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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFK44N50PMOSFET N-CH 500V 44A TO-264 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N50QIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.12 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 44A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N60
Produktcode: 117720
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N60IXYSMOSFET DIODE Id44 BVdass600
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK44N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 44 A, 0.19 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.2kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.86 EUR
10+41.72 EUR
50+36.5 EUR
100+34.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.99 EUR
25+32 EUR
100+27.96 EUR
500+27.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80P
Produktcode: 170265
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29.05 EUR
4+28.01 EUR
5+26.39 EUR
10+23.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80PIXYSMOSFETs 44 Amps 800V
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.54 EUR
10+35.83 EUR
100+32.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 44A TO264AA
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK44N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 48A; 521W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 48A
Power dissipation: 521W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50IXYSMOSFETs DIODE Id48 BVdass500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50
Produktcode: 36561
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 48 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.44 EUR
10+42.58 EUR
50+38.58 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.74 EUR
25+39.67 EUR
100+35.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50QТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N50QIXYSMOSFETs 48 Amps 500V 0.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N55IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 48A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.135 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+45.71 EUR
7+37.15 EUR
10+28.41 EUR
50+27.44 EUR
100+26.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60PIXYSMOSFETs 600V 48A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
auf Bestellung 257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.33 EUR
25+28.02 EUR
50+26.05 EUR
100+24.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60Q3MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK48N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N50IXYSMOSFETs 50 Amps 500V 0.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N50Транзистори
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+58.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N50
Produktcode: 221654
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IXYSTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-264AA
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 50 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 100 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/330
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+24.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.5 EUR
10+27.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 50A; 890W; TO264; 218ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.105Ω
Reverse recovery time: 218ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 50A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.91 EUR
25+22.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.27 EUR
25+23.17 EUR
100+20.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+24.64 EUR
10+23.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 520, Ciss, пФ @ Uds, В = 41000 @ 25, Qg, нКл = 545, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 5, Р, Вт = 1250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Очікується: 8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
auf Bestellung 1162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 46 Stücke:
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5+18.41 EUR
10+17.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXFK520N075T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 92 Stücke:
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6+45.16 EUR
7+37.71 EUR
10+30.89 EUR
50+26.99 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XIXYSMOSFETs 52A 1000V POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XLittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
auf Bestellung 263 Stücke:
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1+63.27 EUR
25+42.45 EUR
100+41.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XLittelfuseMOSFET N-CH 1000V 52A TO264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N60Q2IXYSMOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50IXYSMOSFET 500V 55A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50FIXYSMOSFET IXFK55N50F 500V 55A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
auf Bestellung 5 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK60N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK60N55Q2IXYSMOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.83 EUR
10+45.95 EUR
25+43.85 EUR
100+39.22 EUR
500+35.31 EUR
1000+34.08 EUR
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IXFK62N25
auf Bestellung 2935 Stücke:
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IXFK62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 62A TO264
Packaging: Bulk
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IXFK64N50PIXYSMOSFETs 500V 64A
auf Bestellung 367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.53 EUR
10+28.23 EUR
100+24.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.66 EUR
8+33.02 EUR
10+25.25 EUR
50+22.65 EUR
100+21.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+22.48 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50P
Produktcode: 53284
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+22.68 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.83 EUR
10+46.77 EUR
100+44.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 64A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P
Produktcode: 193667
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60PIXYSMOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.1 EUR
10+34.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.66 EUR
25+33.2 EUR
50+30.95 EUR
100+29.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3IXYSMOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.94 EUR
10+25.66 EUR
100+23.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.41 EUR
8+29.87 EUR
11+21.36 EUR
50+19.87 EUR
100+18.4 EUR
250+18.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.29 EUR
5+21.03 EUR
10+19.19 EUR
25+17.15 EUR
50+15.95 EUR
100+15.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+19.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK66N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK66N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 66A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
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IXFK66N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; TO264; 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 230nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 250ns
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IXFK66N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK73N30TO-264 Транзистори
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IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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