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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXFK50N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 50A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.91 EUR
25+22.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
auf Bestellung 351 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+41.5 EUR
10+27.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK50N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 75V 520A
auf Bestellung 1172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.81 EUR
10+23.45 EUR
100+23.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK520N075T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 520 A, 2200 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+44.36 EUR
7+36.03 EUR
10+30.12 EUR
50+26.94 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 520A 3-Pin(3+Tab) TO-264
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.22 EUR
10+24.1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 75, Id = 520, Ciss, пФ @ Uds, В = 41000 @ 25, Qg, нКл = 545, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 5, Р, Вт = 1250, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-264-3 Очікується: 8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 520A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41000 pF @ 25 V
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.27 EUR
25+23.17 EUR
100+20.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK520N075T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 520A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 520A
Gate charge: 545nC
On-state resistance: 2.2mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.6 EUR
10+17.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XLittelfuseMOSFET N-CH 1000V 52A TO264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 52A TO264
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.27 EUR
25+42.45 EUR
100+41.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XLittelfusePower MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N100XIXYSMOSFETs 52A 1000V POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 52A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N60Q2IXYSMOSFET 52 Amps 600V 0.12 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK52N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50IXYSMOSFET 500V 55A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50FIXYSMOSFET IXFK55N50F 500V 55A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 55A TO264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK55N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 500V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK60N25QIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK60N55Q2IXYSMOSFET 60 Amps 550V 0.09 Rds
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+49.83 EUR
10+45.95 EUR
25+43.85 EUR
100+39.22 EUR
500+35.31 EUR
1000+34.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK60N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 62A TO264
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK62N25
auf Bestellung 2935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+23.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+23 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PIXYSMOSFETs 500V 64A
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+40.53 EUR
10+25.95 EUR
100+24.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50P
Produktcode: 53284
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N50P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 500 V, 64 A, 0.085 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+40.66 EUR
8+33.02 EUR
10+25.25 EUR
50+22.65 EUR
100+21.16 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.79 EUR
25+33.28 EUR
100+29.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P
Produktcode: 193667
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60PIXYSMOSFETs 600V 64A
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+47.1 EUR
10+34.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 145nC
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.29 EUR
5+21.03 EUR
10+19.19 EUR
25+17.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3IXYSMOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.79 EUR
10+24.91 EUR
100+23.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK64N60P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 64 A, 0.1 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.13kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.41 EUR
8+29.87 EUR
11+21.36 EUR
50+19.87 EUR
100+18.4 EUR
250+18.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK64N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.54 EUR
25+25.37 EUR
100+22.02 EUR
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IXFK64N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
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IXFK64N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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IXFK64N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 64A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.01 EUR
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IXFK64N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+19.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IXFK66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 66A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK66N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-264
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXFK66N85XIXYSMOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK66N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 66A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.79 EUR
10+20.15 EUR
25+19.5 EUR
50+18.97 EUR
100+17.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXFK73N30IXYSMOSFETs 300V 73A
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK73N30TO-264 Транзистори
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IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.79 EUR
10+19.71 EUR
25+18.79 EUR
50+17.96 EUR
100+16.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IXFK73N30QIXYSMOSFETs 73 Amps 300V 0.042 Rds
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 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 73A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK74N50P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK74N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 74A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.18 EUR
25+33.56 EUR
100+29.38 EUR
500+29.04 EUR
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IXFK78N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK78N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 78 A, 0.068 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 78
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.13
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar3 HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3IXYSMOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.88 EUR
10+34.64 EUR
100+34.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK78N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N15QIXYSMOSFETs 80 Amps 150V 0.0225 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N15QIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 80A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N15QTO-264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20IXYSMOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20QIXYSMOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20QTO-264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO264AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50P
Produktcode: 35720
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IXFK80N50PN-CH 500V 80A 0.065 mOm 200 nsec 1040 W TO-264 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 80A
Gate charge: 197nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.04kW
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.18 EUR
10+23.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+51.02 EUR
25+33.44 EUR
100+29.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50PIXYSMOSFETs 500V 80A
auf Bestellung 388 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.05 EUR
10+34.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.05 EUR
25+52.26 EUR
100+48.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.72 EUR
25+28.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+24.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N60P3IXYSMOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+43.88 EUR
10+28.42 EUR
500+27.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8245 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXFK80N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 80A; 890W; TO264P; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 80A
Power dissipation: 890W
Case: TO264P
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
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IXFK80N65X2IXYSMOSFETs 650V/80A Ultra Junction X2-Class
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IXFK88N20QIXYSMOSFET 88 Amps 200V 0.028W Rds
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IXFK88N20QTO-264AA Транзистори
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IXFK88N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 88A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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IXFK88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
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IXFK88N30P
Produktcode: 106275
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