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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8 Транзистори
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 50416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.7 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 40250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+2.39 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7288DP-T1-GE3
Produktcode: 160306
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Transistoren > MOSFET N-CH
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SI72C-08200Утримувач nanoSim карти типу PUSH-PUSH з контактом наявності картки HOLDER
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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SI72F63BK4M1
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI72XX-EVAL-KITSilicon LabsDescription: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si72xx
Sensor Type: Hall Effect
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+100.09 EUR
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SI72XX-EVAL-KITSilicon LabsMagnetic Sensor Development Tools Si72xx Hall Effect Magnetic Sensor Kit
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.93 EUR
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SI72XX-EVAL-KITSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI72XX-EVAL-KIT - EVALUATIONSKIT, MAGNETSENSOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: Si7201, Si7202, Si7210, Si7211, Si7212, Si7213
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Silicon Laboratories
Lieferumfang des Kits: 6 Tochterplatinen im Briefmarkenformat, USB-Toolstick mit flexiblem Kabelsteckverbinder, 2 Magnete, 152.4mm langes, flexibles Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI72XX-WD-KITSilicon LabsMagnetic Sensor Development Tools Demo and Development Kit for Si72xx Magnetic Sensors. Includes a degree accurate wheel measurement demo, and boards to evaluate the Si72xx Magnetic sensor family
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+755.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI72XX-WD-KITSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI72XX-WD-KIT - Development Kit, Si72xx, Hall-Effekt-Sensoren, präzise Positionserfassung
Prozessorkern: Si7201, Si7202, Si7210, Si7211, Si7212, Si7213
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Silicon Laboratories
Lieferumfang des Kits: Starter-Kit EFM32, Board Si72XX-EXP, Boards Si7201/02/10/11/12/13, Flachbandkabel & USB-Kabel, Knopfzelle
Unterart Anwendung: Sensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7300
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7300A
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7301E
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7302DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7302DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7302DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7303DNVISHAY05+
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7304DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7308DN
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
172+1.02 EUR
184+0.93 EUR
186+0.88 EUR
188+0.84 EUR
201+0.75 EUR
250+0.71 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 172 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 19931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.55 EUR
100+1.26 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.89 EUR
6000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
auf Bestellung 3897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
215+0.82 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 215 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
auf Bestellung 8027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
12+1.77 EUR
100+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 1063 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.32 EUR
140+1.25 EUR
157+1.08 EUR
200+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 36238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.78 EUR
100+1.37 EUR
500+1.17 EUR
1000+0.94 EUR
3000+0.88 EUR
6000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.95 EUR
111+1.54 EUR
113+1.45 EUR
144+1.09 EUR
250+1.01 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.82 EUR
6000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2792 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
220+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 220 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 10540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.03 EUR
11+1.92 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-E3
Produktcode: 149663
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.8 EUR
6000+0.75 EUR
9000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 31167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.63 EUR
100+1.26 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7309DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 19.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
auf Bestellung 3483 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 12529 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 25342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.01 EUR
10+1.93 EUR
100+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.83 EUR
6000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7309DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7309DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.8 EUR
6000+0.74 EUR
9000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7312DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 26214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 30nC
Power dissipation: 33W
On-state resistance: 315mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7315DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.315 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 16965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7315DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V
auf Bestellung 3102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.05 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7316DP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.9 EUR
6000+0.86 EUR
9000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+1.25 EUR
167+1.05 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.42 EUR
141+1.21 EUR
167+0.98 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 32659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.46 EUR
100+1.21 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2764+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7317DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
12+1.78 EUR
100+1.38 EUR
500+1.18 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 141353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.01 EUR
10+1.26 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 4610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
10+2.61 EUR
100+2.03 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 77243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.68 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.32 EUR
6000+1.26 EUR
9000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 6102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.22 EUR
10+2.64 EUR
100+2.06 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7322DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.33 EUR
6000+1.27 EUR
9000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326SI
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326DN-T1
Produktcode: 182174
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326DN-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7326DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 1.5W
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.49 EUR
100+1.02 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.63 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7326DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7326DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7326DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
auf Bestellung 2780 Stücke:
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2+1.69 EUR
10+1.48 EUR
100+1.02 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7326DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.46 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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SI7326DN-T1-GE3
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SI7326DN-TI-E3
auf Bestellung 250 Stücke:
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SI7328DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
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SI7328DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 35A 52W
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SI7328DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
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SI7328DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
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SI7328DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7328DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
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SI7329DPT1E3VISHAY
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SI7330ASIMODEL
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SI7331SANKEN
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SI7335ASI2005
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si7336SIBGA
auf Bestellung 2000 Stücke:
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SI7336A
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si7336ADPVISHAY09+ SOP14
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7336ADP-T1VISHAY
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7336ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.31 EUR
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