Produkte > CSD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | auf Bestellung 1567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19532Q5BT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 50 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: - Verlustleistung Pd: 188 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 188W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V 8.7mOhm N-CH Pw r MOSFET | auf Bestellung 1809 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA | auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533KCS . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533KCS . - Leistungs-MOSFET, NexFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0087 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 100 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 188 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.8 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533KCS Transistor Produktcode: 195368
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD19533Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm | auf Bestellung 3863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | auf Bestellung 12048 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | MOSFETs 100V 7.8mOhm N-CH Pw r MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD19533Q5AT | auf Bestellung 10278 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19533Q5A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 9400 µohm, SON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 3.2W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: SON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9400µohm | auf Bestellung 3863 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11,1mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; CSD19533Q5AT CSD19533Q5A TCSD19533q5a Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 100V 7.8mOhm SON5x6 N-ch NexFET A 595-CSD19533Q5A | auf Bestellung 592 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 96W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 96W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | auf Bestellung 513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19533Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 50 V | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | CSD19534KCS N-Channel 100 V 100A (Ta) 118W (Tc) Through Hole TO-220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 20mOhm; 100A; 118W; -55°C ~ 175°C; CSD19534KCS TCSD19534kcs Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Pwr MOSFET | auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 118W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0137ohm | auf Bestellung 643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 118W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 118W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 16.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V | auf Bestellung 1167 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | auf Bestellung 6559 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFETs N-Channel MOSFET A 5 95-CSD19534Q5AT A 5 A 595-CSD19534Q5AT | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Dimensions: 5x6mm | auf Bestellung 2392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 63W Case: VSONP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.6mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Dimensions: 5x6mm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | auf Bestellung 5033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 50 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | MOSFETs 100V NCh NexFET A 59 5-CSD19534Q5A A 595 A 595-CSD19534Q5A | auf Bestellung 3037 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19534Q5AT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.0151 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0126ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0151ohm | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19534Q5AT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 50A 8-Pin VSONP EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 650 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET | auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19535KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0031 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-220 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 650 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 650 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 4231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD19535KTTT | auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V | auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A | auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V | auf Bestellung 5503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-Channel NexFE T Power MOSFET A 595-CSD19535KTT | auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7930 pF @ 50 V | auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 400A | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19535KTTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19536KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KCS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | MOSFETs 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 150, Опис N-канальний ПТ,... Транзистори Корпус: TO220-3 Очікується: 520 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS | TEXAS INSTRUMENTS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 150A; 375W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Power dissipation: 375W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V TO-220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS Produktcode: 171204
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | auf Bestellung 10479 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19536KCS | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KCS . | TEXAS INSTRUMENTS | Description: TEXAS INSTRUMENTS - CSD19536KCS . - Leistungs-MOSFET, NexFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19536KTT | TEXAS INSTRUMENTS | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: NexFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V | auf Bestellung 18283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19536KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 Транзистори | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19536KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| CSD19536KTT | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH Si 100V 200A 3-Pin(2+Tab) DDPAK T/R | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| CSD19536KTT Produktcode: 115066
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| CSD19536KTT | Texas Instruments | Description: MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (DDPAK-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|