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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLI610ATUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI620GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI620GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLI
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI620GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI630GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI630GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI630GPBFVishay SemiconductorsMOSFET 200V N-CH HEXFET
auf Bestellung 966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+4.5 EUR
100+3.61 EUR
250+3.45 EUR
500+3 EUR
1000+2.37 EUR
2000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI630GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
10+5.15 EUR
100+4.14 EUR
500+3.4 EUR
1000+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRLI640GVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLI
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640G
Produktcode: 42042
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 200V 9.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.39 EUR
100+2.81 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.03 EUR
50+4.78 EUR
100+4.11 EUR
500+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.77 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.9A; Idm: 40A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.9 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 20912 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.93 EUR
44+5.36 EUR
100+3.64 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.44 EUR
5000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLI640GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
61+2.8 EUR
100+2.44 EUR
250+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB4343
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB4343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 19A TO220AB FP
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB4343PBFIR
auf Bestellung 4150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB9343Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB9343PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 1903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.65 EUR
76+2.19 EUR
104+1.55 EUR
500+1.3 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB9343PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLIB9343PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 14 A, 0.093 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 14
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 33
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 33
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.093
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB9343PBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 105mOhms 31nC
auf Bestellung 7182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIB9343PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 14A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14G(MFET,N-CH,60V,8A,TO-220) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.4nC
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±10V
Power dissipation: 27W
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+3.38 EUR
100+2.71 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBF(MFET,N-CH,60V,8A,TO-220) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ14GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ24GIR
auf Bestellung 11045 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ24GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ24GVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ24GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ24GPBFVishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 3rd Gen TO-220 Fullpak
auf Bestellung 809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+2 EUR
100+1.31 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ24NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34IR01+
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34GVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRLIZ34GPBF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34GIR01+
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.33 EUR
50+2.94 EUR
100+2.59 EUR
500+2.31 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34GPBFVishay SemiconductorsMOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
auf Bestellung 1781 Stücke:
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1+3.5 EUR
10+2.83 EUR
100+2.32 EUR
500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBF
Produktcode: 169761
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 14304 Stücke:
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114+1.52 EUR
144+1.15 EUR
162+0.99 EUR
179+0.86 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 20A 35mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 2627 Stücke:
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2+2.48 EUR
10+1.81 EUR
100+1.4 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.24 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBFТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 14304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
114+1.52 EUR
144+1.18 EUR
162+1.02 EUR
179+0.9 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLIZ34NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
94+2.49 EUR
120+1.8 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ34NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 22 А, Ptot, Вт = 37, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 12 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
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IRLIZ44GVishay / SiliconixMOSFETs 60V 28mOhms@5V 30A N-Ch
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.72 EUR
49+3.44 EUR
50+3.24 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 30 Amp
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.54 EUR
10+4.52 EUR
100+3.67 EUR
500+3.06 EUR
1000+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRLIZ44GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 7954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.9 EUR
45+5.27 EUR
100+4.39 EUR
500+3.45 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.72 EUR
49+3.51 EUR
50+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44GPBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
50+3.68 EUR
100+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44NPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 28A 22mOhm 32nC Log Lvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.022 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLIZ44NPBF-IRInternational RectifierDescription: IRLIZ44N - HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014IR07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NInternational Rectifier/InfineonN-канальный ПТ, Vdss В = 55, Id = 2 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Rds = 140 мОм, Qg,нКл = 14, Tэксп, °C = -55...+150, Vgs(th) = 10, Входная ёмкость = 230 пФ (при напряжении 25 В),... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NIRSOT-223
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5001 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NHRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NPBFInfineon TechnologiesMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 9.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NPBFInternational Rectifier(MFET,N-CH,55V,2.0A,0.14 OM,SOT-223) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLL014NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NPBF
Produktcode: 36808
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
2+0.7 EUR
10+0.63 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 230 @ 25, Qg, нКл = 14 @ 10 В, Rds = 140 мОм @ 2 A, 10 В, Tексп, °C = -65 ...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 80 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRInternational RectifierTransistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 280mOhm; 2,8A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRLL014N smd TIRLL014n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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