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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHG32N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG33N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG33N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.61 EUR
10+9.78 EUR
100+7.88 EUR
500+7 EUR
1000+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.55 EUR
19+9.23 EUR
100+7.32 EUR
500+6.35 EUR
1000+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 88A
Case: TO247AC
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.083 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 278
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.55 EUR
19+9.04 EUR
100+7.04 EUR
500+6.01 EUR
1000+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.49 EUR
25+9.21 EUR
50+8.4 EUR
100+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.24 EUR
10+9.07 EUR
100+7.6 EUR
500+7.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247AC
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG33N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.77 EUR
10+11.13 EUR
100+8.98 EUR
500+7.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG33N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32.4 A, 0.09 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 313W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG33N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 101A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 101A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG33N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC
auf Bestellung 843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 32.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG33N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.01 EUR
10+11.27 EUR
100+9.12 EUR
500+7.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.6 EUR
10+9.76 EUR
100+7.85 EUR
500+6.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+7 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG40N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG40N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 40A TO247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG40N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG40N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.48 EUR
10+8.43 EUR
500+8.04 EUR
1000+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG40N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 123A; 329W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 123A
Power dissipation: 329W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 131nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG40N60E-GE3
Produktcode: 154667
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG40N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
auf Bestellung 322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.73 EUR
25+9.37 EUR
50+8.54 EUR
100+7.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG44N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.69 EUR
10+13.99 EUR
100+11.9 EUR
500+10.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHG44N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5892 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG44N65EF-GE3VishaySIHG44N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG44N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.073 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.99 EUR
14+16.61 EUR
17+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG460B-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3094 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG460B-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG460B-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 500V 250mOhm@10V 20A N-Ch D-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.69 EUR
26+6.79 EUR
100+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
10+10.2 EUR
100+8.57 EUR
1000+8.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.93 EUR
48+3.58 EUR
100+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N60AE-GE3 - N-CHANNEL 600V 20AC3821
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.52 EUR
14+17.47 EUR
25+14.35 EUR
50+13.49 EUR
100+12.32 EUR
250+11.86 EUR
500+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.28 EUR
25+10.35 EUR
50+9.46 EUR
100+8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.69 EUR
26+6.65 EUR
100+6.14 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.39 EUR
10+11.21 EUR
100+9.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.94 EUR
14+17.39 EUR
17+13.26 EUR
50+10.54 EUR
100+10.15 EUR
250+8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.87 EUR
25+11.39 EUR
50+10.42 EUR
100+9.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 111A; 313W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 111A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 189nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEL-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 222nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 357W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 781 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.12 EUR
10+12.26 EUR
100+10.36 EUR
500+10.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+9.52 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.48 EUR
25+12.45 EUR
50+11.41 EUR
100+10.54 EUR
500+9.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.064 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1027 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.17 EUR
15+15.87 EUR
20+11.14 EUR
50+10.23 EUR
100+9.21 EUR
250+9.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+9.39 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-E3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.48 EUR
10+14.13 EUR
50+11.41 EUR
100+10.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 47
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V, TO247AC Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3
Produktcode: 203041
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.22µC
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.94 EUR
10+10.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.12 EUR
10+11.25 EUR
500+10.75 EUR
1000+10.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60EF-GE3
Produktcode: 163480
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; Idm: 138A; 379W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 379W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.47 EUR
10+14.14 EUR
100+10.56 EUR
500+10.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.8 EUR
10+14.36 EUR
50+11.61 EUR
100+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60S
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60S-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N60S-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIHG47N60E-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG47N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG47N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.87 EUR
16+15.17 EUR
17+12.7 EUR
50+11.3 EUR
100+9.38 EUR
250+8.76 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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SIHG47N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 139A; 417W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 139A
Power dissipation: 417W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 273nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHG47N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.83 EUR
10+12.89 EUR
50+10.35 EUR
100+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SIHG61N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1+26.57 EUR
10+20.55 EUR
100+17.75 EUR
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SIHG61N65EF-GE3VishaySIHG61N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
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SIHG61N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
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SIHG61N65EF-GE3VishaySIHG61N65EF-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC - Arrow.com
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SiHG64N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.67 EUR
10+20.17 EUR
50+16.54 EUR
100+15.37 EUR
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SIHG64N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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SiHG64N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.21 EUR
10+16.28 EUR
100+15.79 EUR
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SIHG70N60AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 20V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.73 EUR
10+17.15 EUR
100+15.62 EUR
500+13.95 EUR
1000+13.2 EUR
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SIHG70N60AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 417W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.31 EUR
11+23.16 EUR
13+17.62 EUR
50+17.54 EUR
100+16.01 EUR
250+15.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5348 pF @ 100 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.54 EUR
10+15.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHG70N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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