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Description: 40V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6458 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM015NA03CR RLG

MOSFET 30V 205A N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM015NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

auf Bestellung 4988 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM015NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

auf Bestellung 4815 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NA03CR RLG

MOSFET 30V, 185A, Single N- Channel Power MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NB03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NB03CR RLG

MOSFETs 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 956 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4 EUR
10+	2.81 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.92 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.29 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NB03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7252 pF @ 15 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.76 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NM08TL RAG

Description: 80V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12182 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 610 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.88 EUR
10+	7.95 EUR
100+	5.74 EUR
500+	5.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NM08TL RAG

Description: 80V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LOW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12182 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM018NM08TL RAG

MOSFETs 80V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

auf Bestellung 1980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.65 EUR
10+	6.15 EUR
100+	5.63 EUR
500+	5.46 EUR
2000+	4.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6029 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.38 EUR
10+	4.82 EUR
50+	3.72 EUR
100+	3.38 EUR
500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 2400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.25 EUR
10+	4.76 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.76 EUR
2500+	2.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6029 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04LCR

MOSFETs 40V, 100A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04LCR

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN-U EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V

auf Bestellung 4965 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.38 EUR
10+	4.82 EUR
50+	3.72 EUR
100+	3.38 EUR
500+	2.8 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.25 EUR
10+	4.76 EUR
100+	3.33 EUR
500+	2.76 EUR
2500+	2.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04LCR RLG

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN-U EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM019NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6282 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM020N04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM020N04LCR RLG

MOSFET 40V 170A Single N-Ch annel Power MOSFET

auf Bestellung 690 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM020NM10TL RAG

Description: 100V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11246 pF @ 50 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.17 EUR
10+	8.18 EUR
50+	6.46 EUR
100+	5.91 EUR
500+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM020NM10TL RAG

Description: 100V, 300A, SINGLE, N-CHANNEL LO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLLA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11246 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM020NM10TL RAG

MOSFETs 100V, 300A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.23 EUR
10+	6.5 EUR
100+	5.95 EUR
500+	5.84 EUR
4000+	5.26 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM024NA04LCR

MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 170A, 2.4mOhm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM024NA04LCR RLG

MOSFET 40V 170A Single N-Ch annel Power MOSFET

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM024NA04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.5 EUR
10+	2.37 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM024NA04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04CR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 113nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 20 V

auf Bestellung 696 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.17 EUR
10+	2.62 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04CR RLG

MOSFET 40V 161Amp 2.5mOhm N Chan Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04LCR

LDO Voltage Regulators 40V, 161A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04LCR

Trans MOSFET N-CH 40V 161A 8-Pin PDFN EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NB04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/161A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 161A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 20 V

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.74 EUR
10+	3.06 EUR
100+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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TSM025NB04LCR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 24A; 45W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 24A
Power dissipation: 45W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

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TSM025NB04LCR RLG

MOSFETs 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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TSM025NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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TSM025NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4973 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.71 EUR
10+	3.71 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	1.93 EUR
2500+	1.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NH04CR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 25 V

auf Bestellung 4930 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.81 EUR
10+	3.77 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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TSM025NH04LCR

Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PDFN-U EP

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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TSM025NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4987 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.71 EUR
10+	3.71 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.07 EUR
1000+	2 EUR
2500+	1.86 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM025NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4179 pF @ 25 V

auf Bestellung 4995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.81 EUR
10+	3.77 EUR
100+	2.61 EUR
500+	2.11 EUR
1000+	1.94 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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TSM025NH04LCR RLG

Description: 40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4179 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.03 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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TSM026NA03CR

MOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 168A, 2.6mOhm

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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TSM026NA03CR RLG

MOSFET 30V 168A Single N-Ch annel Power MOSFET

auf Bestellung 66 Stücke:

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TSM026NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN

auf Bestellung 4850 Stücke:

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TSM026NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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TSM028N04PQ56 RLG

MOSFET 40V 140Amp N channel Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

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TSM032NH04CR RLG

MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 2482 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.63 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.5 EUR
2500+	1.39 EUR

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TSM032NH04CR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2896 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.71 EUR
10+	3.02 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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TSM032NH04CR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2896 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.38 EUR
5000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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TSM032NH04LCR

MOSFETs 40V, 81A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

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TSM032NH04LCR

Trans MOSFET N-CH 40V 81A 8-Pin PDFN-U EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM032NH04LCR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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TSM032NH04LCR RLG

MOSFETs 40V, 81A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.63 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.5 EUR
2500+	1.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM032NH04LCR RLG

Description: 40V, 81A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 25 V

auf Bestellung 4220 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.71 EUR
10+	3.02 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA03CR

MOSFET Power MOSFET, N-CHL 30V, 129A, 3.3mOhm

auf Bestellung 70 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA03CR RLG

MOSFET 30V 129A Single N-Ch annel Power MOSFET

auf Bestellung 59 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA03CR RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN

auf Bestellung 2340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA04LCR

MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 141A, 3.3mOhm

auf Bestellung 75 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA04LCR RLG

MOSFET Power MOSFET, N-CHL, 40V, 141A, 3.3mOhm

auf Bestellung 71 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.62 EUR
10+	2.45 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NA04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5022 pF @ 20 V

auf Bestellung 1122 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.58 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 2247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.89 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NB04CR RLG

MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 3886 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.58 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.13 EUR
5000+	1.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5022 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM033NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM033NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2400 µohm, PDFN56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm

auf Bestellung 2247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	6.47 EUR
57+	4.11 EUR
100+	2.89 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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TSM033NB04LCR

Trans MOSFET N-CH 40V 121A 8-Pin PDFN EP T/R

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TSM033NB04LCR

LDO Voltage Regulators 40V, 121A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

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TSM033NB04LCR RLG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 21A; 36W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Power dissipation: 36W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

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TSM033NB04LCR RLG

TSM033NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 40V 21A 8-Pin PDFN EP T/R - Arrow.com

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TSM033NB04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4456 pF @ 20 V

auf Bestellung 4354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.58 EUR
10+	2.27 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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TSM033NB04LCR RLG

TSM033NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor MOSFETs Transistor N-CH 40V 21A 8-Pin PDFN EP T/R - Arrow.com

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TSM033NB04LCR RLG

MOSFETs 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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TSM033NB04LCR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5.2x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4456 pF @ 20 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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TSM035NB04CZ

Description: MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6990 pF @ 20 V

auf Bestellung 97 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.77 EUR
50+	2.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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TSM035NB04CZ C0G

MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 3881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.37 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.71 EUR
2000+	1.59 EUR

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TSM035NB04CZ C0G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 157A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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TSM035NB04LCZ C0G

MOSFETs 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET

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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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TSM035NB04LCZ C0G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 157A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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TSM035NB04LCZ C0G

Description: 40V, 157A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6350 pF @ 20 V

auf Bestellung 1861 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.67 EUR
100+	1.82 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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TSM036N03PQ56

Description: 30V, 124A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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TSM036N03PQ56

MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 30V, 95A, 3.6mOhm

auf Bestellung 2595 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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TSM036N03PQ56 RLG

MOSFETs 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 1666 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.67 EUR
10+	1.69 EUR
100+	1.12 EUR
500+	1.01 EUR
1000+	0.87 EUR
2500+	0.81 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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TSM036N03PQ56 RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.45 EUR
14+	1.55 EUR
100+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM036N03PQ56 RLG

Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM038N03PQ33

Description: 30V, 78A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM038N03PQ33

MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 30V, 80A, 3.8mOhm

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM038N03PQ33 RGG

Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V

auf Bestellung 10891 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.15 EUR
16+	1.34 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.69 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM038N03PQ33 RGG

MOSFETs 30V, 78A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 3994 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.01 EUR
10+	1.26 EUR
100+	0.83 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.54 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM038N03PQ33 RGG

Description: MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.51 EUR
10000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM038N04LCP ROG

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5509 pF @ 20 V

auf Bestellung 417 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.92 EUR
10+	2.5 EUR
100+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TSM038N04LCP ROG