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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMA1028NZ-F021onsemi / FairchildMOSFET NCh 80V 171A 68mOhm PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZ-F021onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZ_F021Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
auf Bestellung 294887000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZ_F021Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1028NZ_F021Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.7A MICROFET
auf Bestellung 294887000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1029PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
15000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1029PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1029PZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.1 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.25 EUR
179+1.3 EUR
274+0.79 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1029PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
auf Bestellung 86974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.71 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1029PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 11785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.63 EUR
10+1.43 EUR
100+0.99 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.7 EUR
3000+0.62 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
173+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZonsemi / FairchildMOSFETs 20V Complementary PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.09 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA1032CZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
173+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.7/-3.1A
Power dissipation: 1.4W
Case: WDFN6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 68/95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4/7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 1971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+1.24 EUR
87+0.99 EUR
100+0.86 EUR
139+0.62 EUR
159+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZ
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1032CZON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 3.7A/3.1A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
593+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 593 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1430JPON Semiconductor / FairchildMOSFET P-Chan -30V -2.9A
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA1430JPonsemiDescription: FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROF
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Applications: Load Switch
Transistor Type: NPN, P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 2.9A
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Voltage - Rated: 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.31 EUR
134+1.29 EUR
172+0.98 EUR
250+0.95 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 28238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.49 EUR
133+1.26 EUR
134+1.2 EUR
172+0.9 EUR
250+0.86 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
auf Bestellung 42873 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA2002NZonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 33356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.51 EUR
10+1.23 EUR
100+0.88 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
3000+0.55 EUR
6000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA291PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.58 EUR
201+1.15 EUR
305+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA291PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA291Ponsemi / FairchildMOSFETs -20V Single P-Ch. PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.12 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA291PONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA291P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6.6 A, 0.042 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.58 EUR
201+1.15 EUR
305+0.7 EUR
500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA291PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 6.6A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA291PonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4027 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
19+1.12 EUR
100+0.76 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3023PZonsemi / FairchildMOSFETs 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench
auf Bestellung 30368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.63 EUR
10+1.46 EUR
100+1 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.64 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 26430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3023PZONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; 1.4W; WDFN6
Case: WDFN6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3023PZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3023PZonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.58 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3027PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
auf Bestellung 3254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3027PZON Semiconductor / FairchildMOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3027PZON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3.3A 6MICROFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3027PZ-F130ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA3027PZ-F130 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3028NON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel
auf Bestellung 11953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA3028NonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
157+1.49 EUR
227+0.94 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
144+1.21 EUR
146+1.18 EUR
179+0.94 EUR
250+0.92 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 144 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.62 EUR
6000+0.57 EUR
9000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZonsemi / FairchildMOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
auf Bestellung 290950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.55 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.74 EUR
6000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA410NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9.5 A, 0.017 ohm, MicroFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: MicroFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+2.03 EUR
157+1.49 EUR
227+0.94 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.62 EUR
6000+0.6 EUR
9000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single N-Ch 1.5V Specified PowerTrnch
auf Bestellung 5984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
144+1.17 EUR
146+1.11 EUR
179+0.87 EUR
250+0.83 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZTON Semiconductor / FairchildMOSFET Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2
auf Bestellung 1294 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 23378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.45 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZTonsemi / FairchildMOSFETs Single PT4 Nch 20/8V zener in MLP2x2
auf Bestellung 8463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.9 EUR
10+1.29 EUR
100+0.89 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZTonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZT-F130onsemiMOSFET 20 V Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZT-F130onsemiDescription: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.45 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA410NZT-F130onsemiDescription: PT4 NCH 20/8V ZENER IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (2.05x2.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 10 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.61 EUR
9000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA420NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA420NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
138+1.68 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA420NZ
auf Bestellung 2080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA420NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 5.7A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
22+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA420NZonsemi / FairchildMOSFETs 20V 5.7A 30OHM SINGLE NCH 2.5V
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+1 EUR
100+0.69 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA420NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA420NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.7 A, 0.0168 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4722 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
138+1.68 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
164+1.42 EUR
230+0.93 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.64 EUR
6000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
9000+0.39 EUR
15000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZonsemi / FairchildMOSFETs 2.5V SINGLE NCH SPECIFIED POWER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA430NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.04 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 810mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
164+1.42 EUR
230+0.93 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
819+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 819 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA430NZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA507PZON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet
auf Bestellung 9506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA507PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V
auf Bestellung 31695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA507PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
127+1.84 EUR
159+1.36 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA507PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.44 EUR
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA507PZonsemi / FairchildMOSFET 20V Single P Channel PowerTrench Mosfet
auf Bestellung 4522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.5 EUR
100+1.14 EUR
500+0.84 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA507PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA507PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.019 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
127+1.84 EUR
159+1.36 EUR
500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA510PZFairchil10+ SOT153
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA510PZonsemi / FairchildMOSFET -20V Single P-Chan PowerTrench
auf Bestellung 26065 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.68 EUR
10+1.48 EUR
100+1.13 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.65 EUR
6000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA510PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.55 EUR
100+1.02 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA510PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.67 EUR
185+1.26 EUR
240+0.89 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA510PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA510PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA510PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.8 A, 0.027 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: FET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
151+1.67 EUR
185+1.26 EUR
240+0.89 EUR
500+0.65 EUR
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA520PZonsemi / FairchildMOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA520PZonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMA530PZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMA530PZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, µFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: µFET
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 5232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
129+1.81 EUR
176+1.23 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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