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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HGT1S7N60B3Sonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60B3S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3Donsemi / FairchildIGBT Transistors Optocoupler Phototransistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 14A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 3882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DSFAIRCHILD07+ TO-263
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DSHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
166+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DSonsemi / FairchildIGBT Transistors 7A 600V TF=275NS
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DS9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DS9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
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HGT1S7N60C3DS9AFAIRCHILD
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DS9AHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 25600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
117+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT1S7N60C3DS9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT20N50DHarris(N-CH IGBT,500V,20A) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT20N50E1Harris(N-CH IGBT,500V,10A) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT4E20N60A4DSonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-268
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT4E30N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
55+10.01 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGT4E30N60C3SHarris CorporationDescription: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
51+10.72 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTA32N60E2Harris CorporationDescription: IGBT 600V 50A TO-218-5
Power - Max: 208 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 265 nC
Supplier Device Package: TO-218-5
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-218-5
Packaging: Bulk
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+22.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTB12N60D1CHarris CorporationDescription: IGBT 600V 12A TO-220-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N40F1Harris CorporationDescription: IGBT 400V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
224+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N40F1SHarris CorporationDescription: IGBT 400V 12A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 1045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
224+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N40F1SHARRISHGTD10N40F1S
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N40F1SHARRISHGTD10N40F1S
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N50F1Harris CorporationDescription: IGBT 500V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 2649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
145+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N50F1HARRISHGTD10N50F1
auf Bestellung 2648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.42 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N50F1SHarris CorporationDescription: IGBT 500V 12A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
224+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 224 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD10N50F1SHARRISHGTD10N50F1S
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNSonsemi / FairchildIGBTs NPTPIGBT TO252 5.3A 1200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNSFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AONS/FAIIGBT 1200V 5.3A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AONSEMIDescription: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+4.02 EUR
88+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.69 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AONSEMIDescription: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: 60W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 5.3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 5.3A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 10153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
117+1.83 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
250+1.42 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AONSEMICategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 2.7A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 6A
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AonsemiIGBTs 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
auf Bestellung 36628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.2 EUR
100+1.57 EUR
500+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD1N120BNS9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60A4SON SemiconductorHGTD3N60A4S
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
574+1.14 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 574 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60A4S
Produktcode: 83202
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60A4Sonsemi / FairchildMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60A4SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60A4SFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 17A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
413+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3HARRISHGTD3N60B3
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W
auf Bestellung 4349 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
404+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3HARRISHGTD3N60B3
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3HARRISHGTD3N60B3
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3SHarris CorporationDescription: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Power - Max: 33.3 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21 nC
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
579+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 579 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3SHARRISHGTD3N60B3S
auf Bestellung 944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.32 EUR
549+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3S9AHARRISHGTD3N60B3S9A
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
494+1.32 EUR
549+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 494 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60B3S9AHarris CorporationDescription: IGBT 600V 7A TO-252
Power - Max: 33.3 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21 nC
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3HARRISHGTD3N60C3
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
auf Bestellung 4718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
404+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3HARRISHGTD3N60C3
auf Bestellung 2767 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3HARRISHGTD3N60C3
auf Bestellung 955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
561+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 561 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3SHarris CorporationDescription: 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3S9AON SemiconductorHGTD3N60C3S9A
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
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HGTD3N60C3S9AFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3S9AON SemiconductorHGTD3N60C3S9A
auf Bestellung 2538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3S9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 6A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W
auf Bestellung 8284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD3N60C3S9AON SemiconductorHGTD3N60C3S9A
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD6N40E1SHarris CorporationDescription: 6A, 400V N-CHANNEL IGBT
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Part Status: Active
Gate Charge: 6.9 nC
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60A4Sonsemi / FairchildIGBT Transistors TO-252
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3HARRISHGTD7N60B3
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
350+1.87 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3Harris CorporationDescription: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
279+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3SHarris CorporationDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
271+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60B3SHARRISHGTD7N60B3S
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
339+1.93 EUR
500+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3Harris CorporationDescription: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3SHarris CorporationDescription: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3Sonsemi / FairchildIGBTs PTPIGBT TO252 7A 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3SFAIRCHILD07+ TO-252
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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HGTD7N60C3S
Produktcode: 131786
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorDescription: IGBT 600V 14A TO-252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
175+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 175 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9Aonsemi / FairchildIGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.98 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9AON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9AonsemiDescription: IGBT 600V 14A TO-252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W
auf Bestellung 1483 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.05 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD7N60C3S9A_NLonsemi / FairchildIGBT Transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD8P50G1HARRISHGTD8P50G1
auf Bestellung 20501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
10000+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD8P50G1HARRISHGTD8P50G1
auf Bestellung 2523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
244+2.68 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD8P50G1Harris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Power - Max: 66 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 30 nC
Supplier Device Package: I-PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 8A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
auf Bestellung 23728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
212+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD8P50G1SHARRISHGTD8P50G1S
auf Bestellung 6540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD8P50G1SHARRISHGTD8P50G1S
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
325+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 325 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD8P50G1SHarris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Power - Max: 66 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 30 nC
Supplier Device Package: TO-252AA
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
381+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 381 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTD8P50GISHarris CorporationDescription: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNONS/FAITO-247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNonsemi / FairchildIGBTs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNDONS/FAIIGBT NPT 1200V 35A TO-247-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNDonsemiIGBTs 35A 1200V N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+4 EUR
500+3.75 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BND
Produktcode: 91807
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+4 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNDonsemiDescription: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
auf Bestellung 6918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.95 EUR
30+5 EUR
120+4.13 EUR
510+3.49 EUR
1020+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNDonsemi / FairchildIGBTs 35A 1200V N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BNDON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+4 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG10N120BND_Qonsemi / FairchildIGBTs 35A 1200V N-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG11N120CNON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
auf Bestellung 243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HGTG11N120CNFairchild SemiconductorDescription: IGBT NPT 1200V 43A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W
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