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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IMZA120R007M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 108A, 18V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 47mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 289 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9170 pF @ 800 V
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+91.13 EUR
30+61.81 EUR
120+60.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R007M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R007M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 225 A, 1.2 kV, 7000 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 750W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+118.83 EUR
5+97.37 EUR
10+77.89 EUR
50+76.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R012M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
auf Bestellung 184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.54 EUR
30+27.19 EUR
120+26.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R014M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R014M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 127A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.63 EUR
10+47.39 EUR
50+46.18 EUR
100+44.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R014M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R017M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.21 EUR
10+22.65 EUR
100+21.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 71A
Pulsed drain current: 213A
Power dissipation: 188W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.03 EUR
10+25.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 98A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.24 EUR
30+26.73 EUR
60+24.88 EUR
120+23.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+35.03 EUR
10+26.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R020M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+53.68 EUR
6+40.7 EUR
10+29.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R022M2HXKSA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 32A, 18V
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.56 EUR
30+19.47 EUR
60+18.03 EUR
120+16.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R022M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.21 EUR
10+22.6 EUR
100+19.56 EUR
480+19.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.5 EUR
10+22.07 EUR
100+19.08 EUR
480+19.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.43 EUR
10+25.06 EUR
50+23.69 EUR
100+22.71 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.13 EUR
30+19.84 EUR
60+18.37 EUR
120+17.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R034M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.05 EUR
10+16.48 EUR
100+13.72 EUR
480+12.23 EUR
1200+10.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA120R040M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+26.57 EUR
10+23.97 EUR
50+16.36 EUR
100+14.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 8.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 800 V
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.19 EUR
30+14.48 EUR
120+12.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.82 EUR
10+13.83 EUR
100+12.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1
Produktcode: 213128
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+15.11 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
auf Bestellung 231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.68 EUR
10+15.41 EUR
100+12.84 EUR
480+11.44 EUR
1200+9.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R040M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R040M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 18A, 18V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.16 EUR
30+10.79 EUR
120+9.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA120R053M2HXKSA1
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.73 EUR
30+11.61 EUR
60+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R053M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.45 EUR
10+12.98 EUR
100+10.83 EUR
480+9.62 EUR
1200+8.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA120R078M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.68 EUR
10+10.69 EUR
100+8.9 EUR
480+7.91 EUR
1200+7.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA40R011M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.31 EUR
10+22.04 EUR
100+20.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA40R011M2HXKSA1InfineonIMZA40R011M2HXKSA1 IMZA40R011M2H N-Channel 400 V 112A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA40R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA40R015M2HXKSA1InfineonIMZA40R015M2HXKSA1 IMZA40R015M2H N-Channel 400 V 99A (Tc) 273W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA40R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA40R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 99 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.83 EUR
10+24.3 EUR
11+20.11 EUR
50+18.44 EUR
100+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA40R036M2HXKSA1InfineonIMZA40R036M2HXKSA1 IMZA40R036M2H N-Channel 400 V 46A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+63.11 EUR
10+43.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 210A PG-TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+64.15 EUR
30+42.1 EUR
60+39.48 EUR
120+38.6 EUR
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IMZA65R007M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R007M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 210 A, 650 V, 8500 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 625W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+84.69 EUR
5+70.76 EUR
10+58.02 EUR
50+54.22 EUR
100+50.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1InfineonN-Channel 650 V 210A (Tc) 625W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U02 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R007M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 210A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.82 EUR
10+29.46 EUR
100+27.54 EUR
480+26.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R010M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R010M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 144A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+37.39 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R010M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R010M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 650 V, 0.0131 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0131ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+72.15 EUR
5+57.62 EUR
10+45.28 EUR
50+42.76 EUR
100+40.1 EUR
250+39.01 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 2293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.89 EUR
10+34.5 EUR
25+25.68 EUR
50+25.66 EUR
100+23.78 EUR
240+22.96 EUR
480+22.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.2mOhm @ 64.2A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R015M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R015M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+39.31 EUR
10+32.56 EUR
50+29.83 EUR
100+27.12 EUR
250+26.58 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R015M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 103A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.44 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 83A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 1437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.88 EUR
10+28 EUR
25+17.72 EUR
100+16.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.38 EUR
30+15.52 EUR
120+13.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R020M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.14 EUR
7+34.11 EUR
10+26 EUR
50+25.23 EUR
100+24.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.25 EUR
10+17.36 EUR
100+15.02 EUR
480+14.22 EUR
1200+12.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R026M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.6 EUR
9+28.45 EUR
10+22.36 EUR
50+21.1 EUR
100+19.79 EUR
250+19.25 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R026M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+20.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+45.29 EUR
5+43.09 EUR
10+40.86 EUR
20+38.88 EUR
50+37.39 EUR
100+36.03 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+15.33 EUR
100+14.36 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 799 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.17 EUR
10+14.72 EUR
480+14.71 EUR
1200+14.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.42 EUR
25+11.52 EUR
100+10.98 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 59 A, 650 V, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.16 EUR
9+27.22 EUR
12+19.23 EUR
50+18.44 EUR
100+17.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Mounting: THT
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
auf Bestellung 16560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+15.01 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 38.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2131 pF @ 400 V
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
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IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
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IMZA65R027M1HXKSA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 4-pin package
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IMZA65R030M1HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
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IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
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1+31.02 EUR
30+25.1 EUR
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IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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100+16.51 EUR
480+13.11 EUR
1200+13.04 EUR
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IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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45+14.38 EUR
100+13.47 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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9+19.37 EUR
11+16.21 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IMZA65R030M1HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.69 EUR
12+19.88 EUR
16+13.84 EUR
50+13.55 EUR
100+13.28 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMZA65R030M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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IMZA65R033M2HInfineon Technologies SILICON CARBIDE MOSFET
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IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.71 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IMZA65R033M2HXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.69 EUR
10+23.72 EUR
12+18.64 EUR
50+17.59 EUR
100+16.49 EUR
250+16.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+14.33 EUR
17+10.31 EUR
30+9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
auf Bestellung 6319 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.99 EUR
10+14.05 EUR
100+12.38 EUR
480+11.39 EUR
1200+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IMZA65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
auf Bestellung 2701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.66 EUR
30+15.46 EUR
60+14.24 EUR
120+13.22 EUR
510+11.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R033M2HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 335 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.81 EUR
10+12.26 EUR
100+11 EUR
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IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+16.95 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.18 EUR
30+18.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R039M1HXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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