Produkte > MMR
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| MMRD4032GVJBCA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVJBCA00ABA0 | TDK | Memory Cards Industrial SD Memory Card, 32GB, pSLC, -25-85C, In-House Designed Controller, Power Fail Data Safety, SDHC, UHS-1, CLASS10 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVJBWA00AAA0 | TDK | Description: MEM CARD SDHC 32GB 10 UHS 1 PSLC Packaging: Box Memory Size: 32GB Speed: Class 10, UHS Class 1 Memory Type: SDHC™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVJBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVJBWA00ABA0 | TDK Corporation | Description: INDUSTRIAL SD MEMORY CARD, 32GB, Packaging: Box Memory Size: 32GB Speed: Class 10, UHS Class 1 Memory Type: SDHC™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVYBCA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVYBCA00ABA0 | TDK | Memory Cards Industrial SD Memory Card, 32GB, SLC, -25-85C, In-House Designed Controller, Power Fail Data Safety, SDHC, UHS-1, CLASS10 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVYBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4032GVYBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEM CARD SD 32GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 32GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRD4032GVYBWA00ABA0 | TDK Corporation | Description: INDUSTRIAL SD MEMORY CARD, 32GB, Packaging: Box Memory Size: 32GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4512MVNACA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 512MB CLASS 6 SLC Packaging: Box Memory Size: 512MB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Technology: SLC | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRD4512MVNACA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 512MB SD Card | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRD4512MVNACA00ABA0 | TDK | Memory Cards Industrial SD Memory Card, 512MB, SLC, -25-85C, In-House Designed Controller, Power Fail Data Safety | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4512MVNAWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 512MB SD Card | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRD4512MVNAWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEM CARD SD 512MB CLASS 6 SLC Packaging: Box Memory Size: 512MB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC | auf Bestellung 93 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1004GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1004NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1004NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1004NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | auf Bestellung 445 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.3GHz Power - Output: 250W Gain: 22.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1005HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.3GHz Power - Output: 250W Gain: 22.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1006HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 450MHz Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1006HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1006HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1006HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S-4 Frequency: 450MHz Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1007HR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1007HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4H Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1007HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1007HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008GHR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008GHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin CFM T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008GHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780GH-2L Current Rating (Amps): 100µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 900MHz ~ 1.215GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GH-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin NI-780 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 100 V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 20.3dB Power - Output: 275W Frequency: 1.03GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1008HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin NI-780 T/R | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1008HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1008HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1009HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Current - Test: 200 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 110 V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 19.7dB Power - Output: 500W Frequency: 1.03GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1009HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1011HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1011HR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1011HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Current - Test: 150 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 330W Frequency: 1.4GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-957A Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1011HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1011HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.4GHz Power - Output: 330W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1011HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1011HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1012NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Current - Test: 30 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 120 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270-2 Technology: LDMOS Gain: 23.9dB Power - Output: 10W Frequency: 220MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1013HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 30 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 13.3dB Power - Output: 320W Configuration: Dual Frequency: 2.9GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1013HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1013HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 30 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230-4S Technology: LDMOS Gain: 13.3dB Power - Output: 320W Configuration: Dual Frequency: 2.9GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230-4S | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1013HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1014NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA | auf Bestellung 1047 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1014NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1014NT1 | NXP | RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1014NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1014NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1015GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1015GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1015NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Current - Test: 125 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-270-2 Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 10W Frequency: 960MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270-2 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1015NR1 | NXP | Description: NXP - MMRF1015NR1 - HF-FET-Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 0.27V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1015NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Current - Test: 125 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-270-2 Technology: LDMOS Gain: 18dB Power - Output: 10W Frequency: 960MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1015NR1 | NXP | Description: NXP - MMRF1015NR1 - HF-FET-Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 0.27V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMRF1015NR1 Produktcode: 190672
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| MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1016HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors SSL MATRIX CONTROLLER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1016HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 2.6 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 120 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-1230-4H Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 225MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-979A Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1017NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1017NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: OM-780-2 Technology: LDMOS Gain: 20dB Power - Output: 80W Frequency: 960MHz Mounting Type: Surface Mount Current - Test: 1.4 A Package / Case: OM-780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1018NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors SSL MATRIX CONTROLLER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1018NBR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 120V 860MHZ Power - Output: 18W Frequency: 860MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: LDMOS Current - Test: 350 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 120 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Gain: 22dB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1018NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors SSL MATRIX CONTROLLER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1018NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 120V 860MHZ Current - Test: 350 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 120 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 22dB Power - Output: 18W Frequency: 860MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1019NR4 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1019NR4 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 10W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1020-04GNR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1020-04GNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780G-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 19.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780G-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 860 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1020-04NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 250 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMRF1020-04NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 19.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 860 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
