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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJT7600-R1-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600-S1-00001PanjitArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001PanJitPJT7600_R1_00001
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001PanjitMOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 3484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Gate charge: 1.6/2.2nC
On-state resistance: 400/600mΩ
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 2685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.61 EUR
226+0.38 EUR
358+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7600_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V, 151pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V, 2.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 13124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
30+0.71 EUR
100+0.43 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7601-R1-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7601-R2-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7601_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 8421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
31+0.68 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7601_R1_00001PanjitMOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 3352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.75 EUR
100+0.45 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7601_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V, 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7601_R2_00001PanjitMOSFET 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603-R1-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603-R2-00001PanjitMOSFET SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSNP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 8978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.24 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Gate charge: 0.95/1.1nC
On-state resistance: 2.5/6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.36 EUR
350+0.24 EUR
635+0.13 EUR
828+0.1 EUR
1000+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET N/P-CH 50V 0.4A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), 250mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V, 51pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V, 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R1_00001PanjitMOSFETs Complementary Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 3383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
100+0.23 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7603_R2_00001PanjitMOSFET Complementary Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7605-AU-R1-000A1PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 16525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
31+0.69 EUR
100+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
auf Bestellung 12960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.71 EUR
100+0.44 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
24000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6nC
auf Bestellung 5968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
596+0.14 EUR
650+0.13 EUR
715+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7800_R2_00001PanjitMOSFET T00/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI02/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.8A
Drain current: -0.7A
Gate charge: 2.2nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 2845 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.68 EUR
260+0.33 EUR
575+0.14 EUR
642+0.13 EUR
695+0.12 EUR
758+0.11 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.7A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
31+0.68 EUR
100+0.35 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7801_R2_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802-AU_R2_000A1PanjitMOSFET /T02/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI05/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
31+0.69 EUR
100+0.35 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802_R2_00001PanjitMOSFET T02/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI05/PJ///
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802_S1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7802_S1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7807_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7807_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7807_R1_00001PanjitMOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7807_R2_00001PanjitMOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7808_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7808_R1_00001PanjitMOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 2757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.68 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7808_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: 20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7808_R1_00001Panjit International Inc.Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 5919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
28+0.76 EUR
100+0.43 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7808_R2_00001EMO Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 500MA SOT-363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7808_R2_00001PanjitMOSFET /T08/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-20TSMN/NF20TS-QI07/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7812-R1-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7812-R2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7812_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7812_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7812_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7812_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.3A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 300mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R1_00001PanJitTrans MOSFET N-CH 30V 0.3A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R1_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 4518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.65 EUR
100+0.37 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7828_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.4A SOT363
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 0.95nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 50V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
On-state resistance: 6Ω
auf Bestellung 7648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
527+0.17 EUR
569+0.15 EUR
596+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.4A SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
auf Bestellung 4767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R1_00001PanjitMOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 2676 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7838_R2_00001PanjitMOSFET /T38/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-50TSMN/NF50TS-QI03/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7839_R1_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.54 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.25A SOT363
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJT7839_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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30+0.71 EUR
43+0.5 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
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PJT7839_R2_00001PanjitMOSFET /T39/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSMP/NF60TS-QI03/PJ///
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PJT7872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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39+0.55 EUR
57+0.37 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
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PJT7872B_R1_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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PJT7872B_R1_00001Panjit International Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.82nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 600mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
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PJT7872B_R2_00001PanjitMOSFET /T2B/TR/13"/HF/10K/SOT-363/MOS/SOT/NFET-60TSMN/NF60TS-QI02/PJ///
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PJT9843
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PJTB6STR13PANJITPJTB6STR13 B6S_R2_00001 0.5A 600V TO-269AA MBS Діодні мости малопотужні
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PJTBAS21STR7PANJITPJTBAS21STR7 BAS21S _R1 _00001 0.2A, 250V, 50ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
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PJTBAV103TR7PANJITPJTBAV103TR7 BAV103T/R7`` MiniMelf 400mW/75ns/250V/Switching Diode/single Діоди та діодні збірки
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PJTBAV99STB6TR7PANJITPJTBAV99STB6TR7 BAV99STB6 T/R 7`` Діоди та діодні збірки
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PJTBAV99STR7 (BAV99S)PANJITPJTBAV99STR7 (BAV99S) BAV99S _R1 _00001 SOT-363 Діоди та діодні збірки
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PJTES1BTR7PANJITPJTES1BTR7 ES1B_R1_00001 Ultrafast, 1.0A, 100V, Vf=0.92V@1.0A, Trr=15ns, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
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PJTGS1MTR7PANJITPJTGS1MTR7 GS1M_R1_00001 SMA/1A/1000V/Gen.Purp. Rect./SMD/GP Діоди та діодні збірки
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PJTKIT316Hammond1 Twist Latches, Rivets And Screws For Pj Series
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PJTKIT316Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Latch Kit/TwistLatch For PJ Series/Pack2
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PJTL-004-0SAMSUNGBGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
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PJTL-005-0SAMSUNGBGA
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PJTL-007-0
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PJTL-012-HBVE
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PJTL-015BGA
auf Bestellung 3325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PJTMBR20100CTTPPANJITPJTMBR20100CTTP MBR20100CT _T0 _10001 Диод SCHOTTKY, 20A, 100V, TO-220 Діоди та діодні збірки
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PJTP6SMBJ150CA_R2_00001PANJITPJTP6SMBJ150CA_R2_00001 P6SMBJ150CA Супресори
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PJTSB560TRPANJITPJTSB560TR SB560T/R Schottky 5A, 60V, Vf=0.67V, DO-201AD Діоди та діодні збірки
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PJTSK35TR7PANJITPJTSK35TR7 SK35_R1_00001 SMC/3A/50V/Schottky Rect./SMD Діоди та діодні збірки
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PJTSS14TR7PANJITPJTSS14TR7 SS14 Schottky, 1.0A, 40V, Vf=0.55V@1A, SMA=DO-214AC (SMD) Діоди та діодні збірки
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