Produkte > TK0

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK068N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V 1.69A N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK068N65Z5S1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK068U65Z5,RQToshiba POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK068Z65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650 V 0.068 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK0705800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK0705800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 7POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Voltage: 250 V
Number of Levels: 1
Current: 15 A
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Positions Per Level: 7
Mating Orientation: Horizontal with Board
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Wire Gauge: 12-22 AWG
Mounting Type: Through Hole
Color: Gray
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2090 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK07058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK073N60Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK073N60Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 73mohm
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.24 EUR
14+17.61 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK073U60Z5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK073U60Z5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: Lead (05-Nov-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 73mohm
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.76 EUR
17+14.22 EUR
100+8.41 EUR
500+6.96 EUR
1000+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK073U60Z5,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK073U60Z5,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 73 mohm, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+8.41 EUR
500+6.96 EUR
1000+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK075TASKERCategory: Audio - Video Cables
Description: Cable; Jack 6,3mm 3pin plug,XLR male 3pin; 1.5m; black; 0.08mm2
Type of connection cable: XLR - JACK
Cable/adapter structure: Jack 6,3mm 3pin plug; XLR male 3pin
Version: stereo
Cable length: 1.5m
Insulation colour: black
Core section: 0.08mm2
Number of cores: 2
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.79 EUR
9+9.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK07H90AToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK07H90A
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK07H90A (Q)ToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK07H90A(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 900V 7A 3-Pin TO-3PW
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK08001N/A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK0805800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK0805800000GAmphenol AnytekDescription: TERM BLK 8POS SIDE ENTRY 5MM PCB
Packaging: Bulk
Color: Gray
Mounting Type: Through Hole
Wire Gauge: 12-22 AWG
Pitch: 0.197" (5.00mm)
Mating Orientation: Horizontal with Board
Positions Per Level: 8
Wire Termination: Screw - Leaf Spring, Wire Guard
Current: 15 A
Number of Levels: 1
Voltage: 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2040 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK08058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2160 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK0805P34A1BGA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080A60Z1,S4XToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
auf Bestellung 113 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.32 EUR
10+7.14 EUR
100+7.12 EUR
500+5.46 EUR
1000+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 600V DTMOS6 TO-247 80MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.91 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080N60Z1,S1FToshibaMOSFETs 600V DTMOS6 TO-247 80mohm
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.05 EUR
10+10.61 EUR
120+10.42 EUR
510+7.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080N60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK080N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.24 EUR
18+13.24 EUR
100+7.87 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080N60Z1S1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.09 EUR
10+6.05 EUR
100+4.31 EUR
500+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080U60Z1,RQToshibaMOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.12 EUR
10+6.06 EUR
100+4.32 EUR
500+4.11 EUR
2000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.08 @10V, T
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.17mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 10.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK080Z60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK080Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 211W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.56 EUR
13+18.44 EUR
15+14.78 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK084V00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK084V01Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" VGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK084X00Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK084X00-001Kyocera Industrial Ceramics CorporationDescription: TOOLKIT TFT LCD 8.4" XGA
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK0905800000GAmphenol AnytekPluggable Terminal Blocks TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09058000J0GAmphenol FCIDescription: 500 TB WIR PRO 180D SOL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2090 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090A65Z,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090A65Z,S4XToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.41 EUR
10+6.06 EUR
100+5.78 EUR
500+5.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090A65Z,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090A65Z,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.81 EUR
18+13.63 EUR
100+8.08 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090E65Z,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.72 EUR
10+9.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090E65Z,S1XToshibaMOSFETs 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+7.83 EUR
50+6.56 EUR
100+5.9 EUR
250+5.59 EUR
500+5.32 EUR
1000+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090E65Z,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090E65Z,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.54 EUR
25+9.42 EUR
100+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090N65Z,S1FToshibaMOSFETs 230W 1MHz TO-247
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.03 EUR
10+9.73 EUR
100+8.21 EUR
500+7.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090N65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090N65Z,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090N65Z,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090N65ZS1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65ZToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.91 EUR
10+8 EUR
100+5.78 EUR
500+4.83 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: DTMOS VI TOLL PD=230W F=1MHZ
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 9-Pin(8+Tab) TOLL T/R
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.68 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
auf Bestellung 1035 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.39 EUR
10+6.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.68 EUR
34+6.99 EUR
100+6.32 EUR
500+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6 EUR
31+5.66 EUR
50+5.33 EUR
100+5.03 EUR
250+4.81 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQ(SToshibaTK090U65Z,RQ(S
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+8.7 EUR
24+7.27 EUR
50+5.41 EUR
100+5.27 EUR
200+4.89 EUR
500+4.24 EUR
1000+4.02 EUR
2000+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65Z,RQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090U65Z,RQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.07 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.32 EUR
500+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090U65ZRQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090Z65Z,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.63 EUR
25+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090Z65Z,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090Z65Z,S1FToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO247-4L PD=230W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+15.05 EUR
13+13.45 EUR
25+11.29 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090Z65Z,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK090Z65Z,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.07 EUR
22+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090Z65Z,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.52 EUR
25+13.02 EUR
50+11.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK090Z65ZS1F(OToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095A65Z5,S4XToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET TO-220SIS DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095E65Z5,S1XToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET TO-220 DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095N65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.89 EUR
10+9.28 EUR
120+7.79 EUR
510+7.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095N65Z5,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: 650V DTMOS6-HIGH SPEED DIODE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.64 EUR
30+7.83 EUR
120+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095N65Z5,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK095N65Z5,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.095 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.08 EUR
15+16.27 EUR
17+13.04 EUR
50+11.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095N65Z5,S1F(SToshiba TO247 650V N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095N65Z5S1F(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095U65Z5,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.99 EUR
10+12.35 EUR
100+9.28 EUR
1000+8.08 EUR
2000+7.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.67 EUR
10+8.56 EUR
100+6.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095U65Z5,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 650 V, 0.095 @10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 14.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095V65Z5,LQToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET DFN 8 x 8 DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095V65Z5LQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK095Z65Z5,S1FToshibaMOSFETs 650 V 0.095 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099N60Z1,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.2 EUR
30+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099N60Z1,S1FToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.94 EUR
10+7 EUR
120+4.82 EUR
510+4.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099N60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099N60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.67 EUR
19+12.28 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099U60Z1,RQToshibaMOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.91 EUR
10+5.26 EUR
100+3.71 EUR
500+3.42 EUR
2000+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.94 EUR
10+5.24 EUR
100+3.7 EUR
500+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099U60Z1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 600 V, 0.099 @10V,
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TOLL
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 930µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 8.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.95 EUR
10+8.34 EUR
100+6.76 EUR
500+6 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQToshibaMOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN
auf Bestellung 7394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.3 EUR
10+8.98 EUR
100+6.78 EUR
500+6.76 EUR
1000+6.34 EUR
2500+5.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.07 EUR
22+8.04 EUR
25+7.87 EUR
100+6.15 EUR
250+6 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.27 EUR
3000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
auf Bestellung 2456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.38 EUR
50+5.11 EUR
100+4.82 EUR
250+4.57 EUR
500+4.38 EUR
1000+4.21 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.87 EUR
24+9.96 EUR
100+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(SToshibaTK099V65Z,LQ(S
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.37 EUR
25+6.97 EUR
50+5.2 EUR
100+5.06 EUR
200+4.7 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.88 EUR
2500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099V65Z,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 230W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.87 EUR
24+9.96 EUR
100+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK099Z60Z1,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK099Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DTMOSVI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.74 EUR
15+16.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09H90ATOSHIBA
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09H90AToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09H90A (Q)ToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09H90A(Q)ToshibaMOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK09N90A
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK0DT9PCB-L1
auf Bestellung 46000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2