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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TK63203FCL-GTOKO09+
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TK63715S-G
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TK63718HCL-G
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TK63723AB1GOBTOKO09+
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TK63725HCL-GTOKO09+
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TK63728AB1G0BTOKO09+
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TK63728AB6GHB-C
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TK63728AB6GHB-C-G
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TK63728AB6GHB-G
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TK63728S-G
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TK63733AB1GOBTOKO07NOPB
auf Bestellung 2999 Stücke:
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TK63735AB1G0BTOKO09+
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TK64901AME-GH
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TK65000FTL-GTOKO08NOPB
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TK65015MTOKOSOT-163
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TK65015MTLTOKO1995
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TK65025M
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TK65025MTLToko America Inc.Description: IC REG BOOST 3V 4MA SOT23L-6
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TK65025MTL
auf Bestellung 11420 Stücke:
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TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
auf Bestellung 12 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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TK650A60F,S4XToshibaMOSFETs N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A
auf Bestellung 277 Stücke:
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1+3.52 EUR
10+1.87 EUR
100+1.86 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.14 EUR
5000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK650A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
auf Bestellung 2 Stücke:
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TK650A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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TK65911MTL
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TK65919MTLTKO
auf Bestellung 1789 Stücke:
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TK65929MTL-G
auf Bestellung 3000 Stücke:
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TK65931MTLTOKO
auf Bestellung 6600 Stücke:
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TK65933
auf Bestellung 18200 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65933MTL
auf Bestellung 16900 Stücke:
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TK65A10N1,S4XToshibaMOSFETs MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
auf Bestellung 101 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.87 EUR
67+2.57 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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TK65A10N1S4X(SToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65A10N1S4X(S-XToshibaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.46 EUR
50+3.82 EUR
100+3.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1XToshibaMOSFETs 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
auf Bestellung 528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+5.26 EUR
50+3.5 EUR
100+3.19 EUR
500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 81nC
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.98 EUR
48+1.78 EUR
55+1.57 EUR
60+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
900+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.84 EUR
68+2.55 EUR
100+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 4000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.75 EUR
40+5.89 EUR
100+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
auf Bestellung 2506 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10N1,RQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.49 EUR
10+4.93 EUR
100+3.96 EUR
500+3.25 EUR
1000+2.7 EUR
2000+2.51 EUR
5000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65G10NE,RQ(SToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 7976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+3.06 EUR
100+2.43 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshibaMOSFETs UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
auf Bestellung 1540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.37 EUR
10+3.45 EUR
100+2.4 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.87 EUR
2000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.65 EUR
6000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.36 EUR
4000+1.26 EUR
6000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.37 EUR
4000+1.24 EUR
6000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LQ(OToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 4199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.96 EUR
4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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TK65S04N1L,LXHQToshibaMOSFETs 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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TK65S04N1L,LXHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
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TK65S04N1LLQ(OToshibaMOSFETs
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TK67673M (TC)Description: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION
Tape Included: 17002, 220, 3431, 3903, 471, 6900, 766, 983-326, SJ3550, SJ3560
Tape Type: Safety
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (46)
Packaging: Bulk
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TK68112AS-G
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TK68112AS2GOL-C
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TK68112SG
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TK68126AMFGOL-C
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TK68129AMFGOL-C
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TK68418AB1G0B
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TK68522AS2-GH@C
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TK68528AS2-GH
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TK68530AS2-GH
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TK68530AS2-GH@C
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TK68533AS2-GH
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TK68HC11D0CFNE3TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
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TK68HC11K1CFNE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 84-Pin PLCC
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TK68HC11K1CFUE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 80-Pin QFP
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TK68HC24FN
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TK68HC705C9ACFNTekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
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TK68HC705C9ACFNETekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
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TK68HC711D3CFNE2TekmosTK68HC711D3CFNE2^TEKMOS
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TK68HC711KS2CFNE4-(PROG)TekmosTK68HC711KS2CFNE4-(PROG)^TEKMOS
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TK6900_1/2NA
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TK6A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
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TK6A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFETs N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
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TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
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TK6A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
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TK6A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
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TK6A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
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TK6A55DA
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TK6A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
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TK6A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
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TK6A60
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TK6A60DToshibaMOSFETs
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TK6A60D
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