Produkte > TQM

Description: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2305 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

40+	0.52 EUR
67+	0.32 EUR
107+	0.2 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM123KCX RFG

Description: 100V, 0.17A, SINGLE N-CHANNEL SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 328mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34.7 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM130NB04CV RGG

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM130NB04CV RGG

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.96 EUR
17+	1.24 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR
2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM130NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0117ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.75 EUR
131+	1.78 EUR
137+	1.57 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM130NB06CR RLG

MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 3845 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.09 EUR
100+	1.48 EUR
500+	1.23 EUR
2500+	1.05 EUR
5000+	1.01 EUR
10000+	0.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM130NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM130NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM130NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0117 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 1199 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	2.75 EUR
131+	1.78 EUR
137+	1.57 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM130NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V

auf Bestellung 3963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.43 EUR
11+	1.99 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCU

TQM138KCU

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 18000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCU

60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCU RFG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 300mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCU RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

618+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 618 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCU RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCU RFG

MOSFETs 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 14212 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.54 EUR
11+	0.33 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCU RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

618+	0.29 EUR
1008+	0.17 EUR
1637+	0.1 EUR
2184+	0.071 EUR
2571+	0.058 EUR

Mindestbestellmenge: 618 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX

TQM138KCX

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 18000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX

60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.094 EUR
9000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 18000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.095 EUR
9000+	0.079 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX RFG

MOSFETs 60V, 0.36A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 38881 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.52 EUR
11+	0.32 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.11 EUR
9000+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 18000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KCX RFG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 360mA; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KDCU6 RFG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1330 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.61 EUR
56+	0.38 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM138KDCU6 RFG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM145NH08CR RLG

MOSFETs 80V, 52A, Single N-Channel Automotive MOSFETs

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.58 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 4990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.73 EUR
13+	1.71 EUR
100+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04CR RLG

Description: MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1044 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04CR RLG

MOSFETs 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 7260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.95 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.89 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 41 A, 0.009 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

125+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 125 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04DCR

MOSFET 40V MOSFET 15 MOhms

auf Bestellung 4753 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.64 EUR
10+	5.99 EUR
25+	5.65 EUR
100+	4.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 4283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	10.27 EUR
36+	6.52 EUR
100+	4.15 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)

auf Bestellung 1670 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.8 EUR
10+	2.4 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM150NB04DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 39 A, 39 A, 0.0103 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 39A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0103ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0103ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 4283 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.15 EUR
500+	3.24 EUR
1000+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM150NB04DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 39A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM170NH10CR RLG

MOSFETs 100V, 50A, Single N-Channel Automotive MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM170NH10LCR RLG

Description: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.02 EUR
5000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM170NH10LCR RLG

MOSFETs 100V, 50A, Single N-Channel Automotive MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM170NH10LCR RLG

Description: 100V, 50A, SINGLE N-CHANNEL AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 936 pF @ 60 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.64 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM202-5.6

OMEGA

Description: OMEGA - TQM202-5.6 - Kraftmessdose / Wägezelle, 2mV/V, 0.57lb, 15V, Produktreihe TQM202
tariffCode: 84834051
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Zellenausgang mV/V: 2
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Versorgungsspannung: 15VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Betriebstemperatur, min.: -54°C
Tragfähigkeit: 0.57lb
Betriebstemperatur, max.: 107°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TQM202 Series
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1+	3513.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM210NH08LDCR RLG

Description: 80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.29 EUR
5000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM210NH08LDCR RLG

Description: 80V, 33A, DUAL N-CHANNEL AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 16.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (4.9x5.75)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.4 EUR
10+	2.82 EUR
100+	1.93 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM240NH10CR RLG

MOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs

auf Bestellung 4978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.12 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.96 EUR
2500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM240NH10LCR RLG

MOSFETs 100V, 34A, Single N-Channel Automotive MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

auf Bestellung 2436 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.94 EUR
10+	4.44 EUR
100+	3.57 EUR
500+	2.93 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06CR RLG

MOSFET 60V, 32A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 2898 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.24 EUR
10+	4.71 EUR
100+	3.8 EUR
500+	3.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06CV RGG

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.12 EUR
16+	1.33 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.62 EUR
2000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06CV RGG

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1221 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06DCR RLG

MOSFETs 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.44 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.5 EUR
500+	1.26 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.12 EUR
5000+	1.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 7455 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.67 EUR
10+	2.18 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.13 EUR
110+	1.96 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A/30A 8PDFNU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 58W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1398pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.09 EUR
5000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM250NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 30 A, 30 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 58W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 58W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2358 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	2.13 EUR
110+	1.96 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NH10DCR RLG

MOSFETs 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs Non-Logic Level, RDS (max) 25V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM250NH10LDCR RLG

MOSFETs 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive MOSFETs Logic Level, RDS (max) = 25V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.69 EUR
10+	3.03 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.52 EUR
2500+	1.43 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2M9016

Qorvo

Signal Conditioning 1.575GHz IL=.6dB Attenution 31dB

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002CU RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

402+	0.44 EUR
653+	0.26 EUR
661+	0.25 EUR
1044+	0.15 EUR
1055+	0.14 EUR
1421+	0.1 EUR
1722+	0.08 EUR
3000+	0.068 EUR
6000+	0.054 EUR

Mindestbestellmenge: 402 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002CU RFG

MOSFETs 60V, 0.31A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 17775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.5 EUR
11+	0.31 EUR
100+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002CU RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002CU RFG

Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1044+	0.17 EUR
1421+	0.12 EUR
1722+	0.096 EUR
3000+	0.08 EUR
6000+	0.062 EUR
15000+	0.054 EUR

Mindestbestellmenge: 1044 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002CX RFG

MOSFETs 60V, 0.38A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 17430 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.56 EUR
10+	0.38 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002CX RFG

Description: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 806mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002CX RFG

Description: 60V, 0.38A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 806mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

46+	0.46 EUR
76+	0.27 EUR
121+	0.18 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 46 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002DCU6 RFG

Description: 60V, 0.26A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 376mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 260mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002DCU6 RFG

MOSFETs 60V, 0.26A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.73 EUR
10+	0.44 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.19 EUR
3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002DCU6 RFG

Description: 60V, 0.26A, DUAL N-CHANNEL SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 376mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 260mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.69 EUR
50+	0.42 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCU RFG

Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2285 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

39+	0.55 EUR
62+	0.35 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCU RFG

MOSFETs 60V, 0.32A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 16970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.54 EUR
11+	0.33 EUR
100+	0.21 EUR
500+	0.15 EUR
1000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCU RFG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; 316mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 316mW
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCU RFG

Description: 60V, 0.32A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V
Power Dissipation (Max): 316mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCX RFG

Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2704 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

40+	0.52 EUR
65+	0.32 EUR
105+	0.2 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCX RFG

Description: 60V, 0.37A, SINGLE N-CHANNEL SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 370mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCX RFG

MOSFETs 60V, 0.37A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 7419 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.52 EUR
11+	0.32 EUR
100+	0.2 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.11 EUR
6000+	0.096 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KCX RFG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 416mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 416mW
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KDCU6 RFG

MOSFETs 60V, 0.33A, Dual N-Channel Small-signal MOSFETs

auf Bestellung 19165 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.61 EUR
10+	0.38 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KDCU6 RFG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 316 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.67 EUR
51+	0.42 EUR
100+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KDCU6 RFG

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 330mA; 337mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.33A
Power dissipation: 337mW
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM2N7002KDCU6 RFG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.33A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 337mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 330mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	1.5 EUR
172+	1.34 EUR
178+	1.2 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 167 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CR RLG

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4999 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.76 EUR
15+	1.44 EUR
100+	1.12 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06CR RLG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.025 ohm, PDFN56U, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: PDFN56U
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

167+	1.5 EUR
172+	1.34 EUR
178+	1.2 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 167 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CR RLG

MOSFETs 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4196 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.83 EUR
10+	1.7 EUR
100+	1.19 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.84 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CR RLG

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CV RGG

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CV RGG

MOSFETs 60V, 22A, Single N-Channel Automotive MOSFETs

auf Bestellung 9972 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.12 EUR
10+	1.32 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.55 EUR
5000+	0.5 EUR
10000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06CV RGG

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.15x3.1)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	1.96 EUR
17+	1.24 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.63 EUR
1000+	0.57 EUR
2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06DCR RLG

MOSFETs 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET

auf Bestellung 4667 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.44 EUR
10+	1.96 EUR
100+	1.44 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.11 EUR
2500+	1.01 EUR
5000+	0.98 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06DCR RLG

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 25A; 48W; PDFN56U
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: PDFN56U
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

TQM300NB06DCR RLG

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

auf Bestellung 2394 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

41+	6.22 EUR
59+	3.95 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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TQM300NB06DCR RLG

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8PDFNU
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-PDFNU (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TQM300NB06DCR RLG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 25 A, 25 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 25A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PDFN56U
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C

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500+	2.31 EUR
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