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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
UJ4C075044K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-3
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.36 EUR
25+18.58 EUR
100+16.02 EUR
250+14.33 EUR
600+14.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044K3SQORVODescription: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20 EUR
13+17.62 EUR
50+16.79 EUR
100+14.93 EUR
250+14.63 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/44MOSICFETG4TO247
auf Bestellung 553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.53 EUR
10+12.29 EUR
100+11.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044K3SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/44mOhm, N-Off SiC CASCODE, G4, TO-247-3L, REDUCED RTH
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.51 EUR
10+23.95 EUR
120+19.81 EUR
510+17.26 EUR
1020+16.18 EUR
2520+15.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044K3SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
auf Bestellung 1219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.25 EUR
30+12.11 EUR
120+10.33 EUR
510+9.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 1593 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.3 EUR
25+19.4 EUR
100+16.73 EUR
250+15.4 EUR
600+14.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044K4SonsemiDescription: 750V/44MOHM, SIC, CASCODE, G4, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
auf Bestellung 5163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.61 EUR
30+14.98 EUR
120+12.86 EUR
510+12.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075044K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+29.92 EUR
10+26.86 EUR
50+23.59 EUR
100+20.37 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044L8SonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
auf Bestellung 1961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.15 EUR
10+16.17 EUR
100+14.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075044L8S
auf Bestellung 1117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20 EUR
25+17.36 EUR
100+14.99 EUR
250+13.8 EUR
500+12.84 EUR
1000+12.4 EUR
6000+12.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044L8SonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044L8SSBonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075044L8SSRonsemiDescription: 750V/44MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 12V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+9.79 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO263-7
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.4 EUR
10+14.14 EUR
100+11.94 EUR
800+11.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 25.8 A, 750 V, 58 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.82 EUR
17+13.76 EUR
19+11.84 EUR
50+10.98 EUR
100+10.13 EUR
250+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060B7SonsemiDescription: 750V/60MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
auf Bestellung 10678 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.48 EUR
10+14.18 EUR
100+11.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mOhms,SICFET,G4,TO263-7
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.46 EUR
25+13.64 EUR
100+11.83 EUR
250+10 EUR
500+9.48 EUR
2400+9.28 EUR
4800+9.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K3SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+31.42 EUR
10+25.2 EUR
11+19.6 EUR
50+17.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K3SQorvoSiC MOSFETs 750V/60mO,SICFET,G4,TO247-3
auf Bestellung 2618 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.55 EUR
25+15.27 EUR
100+13.17 EUR
250+11.77 EUR
1200+11.75 EUR
3000+11.71 EUR
5400+11.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K3SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
auf Bestellung 14453 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.72 EUR
30+15.65 EUR
120+14.68 EUR
510+12.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K3SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247
auf Bestellung 1916 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.29 EUR
10+16.97 EUR
100+14.52 EUR
600+12.9 EUR
1200+12.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K4SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1422 pF @ 100 V
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.15 EUR
30+14.65 EUR
120+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4C075060K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 750 V, 58 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 58mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.47 EUR
12+19.71 EUR
16+13.66 EUR
50+13.39 EUR
100+13.11 EUR
250+12.85 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.16 EUR
10+17.83 EUR
100+15.6 EUR
600+13.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K4SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 750V 28A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K4SONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolar; cascode; 750V; 20.6A
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -25...25V
On-state resistance: 147mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 37.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+15.09 EUR
7+13.36 EUR
10+11.96 EUR
30+11.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060K4S-DonsemiDescription: SIC JFET
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060L8SonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+9 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/60MOSICFETG4TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060L8SonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.12 EUR
10+13.2 EUR
100+11.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4C075060L8S
auf Bestellung 1698 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.54 EUR
25+13.51 EUR
100+11.65 EUR
250+10.72 EUR
500+10 EUR
1000+9.65 EUR
6000+9.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060L8SSBonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4C075060L8SSRonsemiDescription: 750V/60MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 20A, 12V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4N075004L8SQorvoJFETs 750V/4mO, G4, N-On JFET in TOLL
auf Bestellung 598 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
1+91.93 EUR
25+79.9 EUR
100+71.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4N075004L8SonsemiDescription: 750V/4MO, G4, N-ON JFET IN TOLL
auf Bestellung 1088 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.24 EUR
10+67.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4N075004L8SonsemiJFETs UJ4N075004L8S
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.87 EUR
10+77.22 EUR
100+68.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4N075004L8SonsemiDescription: 750V/4MO, G4, N-ON JFET IN TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4N075005K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4N075005K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 4800 µohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -3.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 714W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+94.78 EUR
5+79.34 EUR
10+65.22 EUR
50+63.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4N075005K4SonsemiJFETs UJ4N075005K4S
auf Bestellung 576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+95.76 EUR
10+78.75 EUR
120+69.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4N075005K4SonsemiDescription: UJ4N075005K4S
auf Bestellung 2174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+86.61 EUR
10+65 EUR
100+56.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075005L8SQorvoSiC MOSFETs UJ4SC075005L8S
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+124.89 EUR
1000+62.75 EUR
4000+62.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
auf Bestellung 15740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+61.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075005L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 120A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 12V
Power Dissipation (Max): 1153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
auf Bestellung 15821 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.7 EUR
10+75.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 656 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+177.02 EUR
30+137.12 EUR
120+109.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/6mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+103.04 EUR
25+89.58 EUR
100+77.28 EUR
250+71.16 EUR
600+69.03 EUR
3000+69.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4SonsemiDescription: 750V/6MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8374 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: TO-247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.78 EUR
30+67.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4SUnitedSiCJFET 750V/6mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+147.26 EUR
10+138.31 EUR
30+133.88 EUR
120+124.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075006K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 750 V, 5.9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+112.13 EUR
5+102.05 EUR
10+92.27 EUR
50+90.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075006K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/6MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+93.39 EUR
10+69.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075008L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075008L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/8MOSICFETG4TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075008L8SQorvo / UnitedSiCMOSFET 750V/8mO,SICFET,G4,TOLL
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+116.3 EUR
10+108.53 EUR
100+94.64 EUR
500+91.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075008L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 106A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
auf Bestellung 1795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+55.98 EUR
10+43.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075008L8SQorvoSiC MOSFETs 750V/8mOhms,SICFET,G4,TOLL
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 318-322 Tag (e)
1+95 EUR
25+89.14 EUR
100+77.79 EUR
250+71.29 EUR
500+69.03 EUR
1000+68.98 EUR
2000+53.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/9MOSICFETG4TO263-7
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+56.41 EUR
10+43.93 EUR
500+43.68 EUR
800+41.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7SQorvo / UnitedSiCJFET
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.13 EUR
10+81.3 EUR
100+69.42 EUR
500+66.5 EUR
800+64.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+117.5 EUR
5+95.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO263-7
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+90.44 EUR
25+79.8 EUR
100+69.17 EUR
250+58.51 EUR
500+56.8 EUR
800+53.22 EUR
2400+53.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7SUnitedSiCJFET
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+76.7 EUR
10+70.75 EUR
100+60.43 EUR
500+57.89 EUR
800+55.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009B7SonsemiDescription: 750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
auf Bestellung 699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.52 EUR
10+47.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075009K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+85.37 EUR
5+72.91 EUR
10+62.44 EUR
50+57.68 EUR
100+55.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/9mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 474 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+85.62 EUR
10+79.9 EUR
120+69.64 EUR
510+68.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/9mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+60.84 EUR
25+57.37 EUR
100+57.2 EUR
250+56.42 EUR
600+56.22 EUR
1200+56.07 EUR
3000+55.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075009K4SonsemiDescription: 750V/9MOHM, SIC, STACKED CASCODE
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+73.93 EUR
30+49.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075010L8SonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075010L8SonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
auf Bestellung 1796 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.42 EUR
10+36.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075010L8SSBonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075010L8SSRonsemiDescription: 750V/10MO,SICFET,G4,TOLL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.37 EUR
10+41.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011B7SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO263-7
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+70.98 EUR
25+62.64 EUR
100+54.29 EUR
250+45.93 EUR
500+41.78 EUR
800+35.52 EUR
2400+33.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011B7SonsemiDescription: 750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+34.26 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011B7SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075011B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.53 EUR
6+42.94 EUR
10+35.94 EUR
50+35.56 EUR
100+35.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO263-7
auf Bestellung 387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.14 EUR
10+41.75 EUR
500+41.55 EUR
800+39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011B7SQorvo / UnitedSiCJFET
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+67.82 EUR
25+62.53 EUR
250+53.41 EUR
800+53.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011K4SQorvoSiC MOSFETs 750V/11mO,SICFET,G4,TO247-4
auf Bestellung 541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.32 EUR
25+46.33 EUR
100+40.02 EUR
250+39.35 EUR
600+39.33 EUR
3000+39.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011K4SUnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 868 Stücke:
Lieferzeit 415-419 Tag (e)
1+69.25 EUR
10+63.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011K4SONSEMIDescription: ONSEMI - UJ4SC075011K4S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 750 V, 11 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11mohm
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+86.97 EUR
5+70.66 EUR
10+54.04 EUR
50+48.46 EUR
100+44.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011K4SonsemiSiC MOSFETs 750V/11MOSICFETG4TO247-4
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+59.9 EUR
10+58.7 EUR
30+39.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011K4SQorvo / UnitedSiCJFET 750V/11mOhm, N-Off SiC STACK CASCODE, G4, TO-247-4L, REDUCED RTH
auf Bestellung 768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+71.98 EUR
30+66.41 EUR
120+66.39 EUR
270+56.68 EUR
1020+54.31 EUR
2520+52.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075011K4SonsemiDescription: 750V/11MOHM, SIC, STACKED CASCOD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 60A, 12V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3245 pF @ 400 V
auf Bestellung 2271 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.85 EUR
30+22.56 EUR
120+20.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
auf Bestellung 13600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+21.6 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018B7SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TO263
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+44.07 EUR
10+32.93 EUR
100+28.49 EUR
500+27.48 EUR
800+25.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018B7SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+33.63 EUR
10+28.86 EUR
50+27.72 EUR
100+26.61 EUR
250+25.47 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018B7SonsemiDescription: 750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
auf Bestellung 13763 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.59 EUR
10+27.01 EUR
100+26.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
auf Bestellung 33210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+35.77 EUR
10+25.64 EUR
100+24.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018L8SonsemiSiC MOSFETs 750V/18MOSICFETG4TOLL
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.46 EUR
10+26.13 EUR
100+25.3 EUR
1000+25.28 EUR
2000+23.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018L8SQORVODescription: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+34.86 EUR
10+31.65 EUR
50+31.12 EUR
100+30.61 EUR
250+30.07 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018L8SonsemiDescription: SICFET N-CH 750V 53A TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 12V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1414 pF @ 400 V
auf Bestellung 32000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+20.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UJ4SC075018L8SQorvoMOSFET 750V/18mO,SICFET,G4,TOLL
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+37.97 EUR
25+33.53 EUR
100+29.07 EUR
250+24.63 EUR
500+22.93 EUR
4000+22.22 EUR
10000+20.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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