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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SCTD225K50NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 2.2UF 10% 50V 2917
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTD226K25NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 22UF 10% 25V 2917
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTD336K16NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 33UF 10% 16V 2917
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCTD476K16NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 47UF 16V
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCTD686K6.3NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 68UF 6.3V
auf Bestellung 410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCTE207C-230DMC ToolsCrimpers / Crimping Tools BATT SAFE-T-CABLE TOOL .022" 7"NOSE-230V
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SCTE323B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
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SCTE323C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIES AND CHARGE
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SCTE325B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
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SCTE325C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIES AND CHARGER
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SCTE327B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
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SCTE327C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIES AND CHARGER
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SCTE329B-NBDMC ToolsOther Tools BATTERY TOOL LESS BATTERIES & CHARGER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTE329C-NBDMC ToolsOther Tools TOOL LESS BATTERIS AND CHARGER
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTE409BDMC ToolsCable Mounting & Accessories BATTERY POWERED .040" SAFE-T-CABLE
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTE409B-230DMC ToolsCable Mounting & Accessories BATTERY POWERED .040" SAFE-T-CABLE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTE625CDMC ToolsOther Tools .062 BAT PWR SAFETY CABLE TOOL, 5" NOSE
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10333.79 EUR
5+10181.09 EUR
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SCTEST2Pomona ElectronicsDescription: COMBO TESTER, WRIST STRAP/FOOTWE
Packaging: Box
Type: Footwear, Wrist Strap Tester
Power Supply Type: 9V Battery or AC Adapter
Usage: Verification of Footwear and Wrist Strap Grounding
Part Status: Active
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1004.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTEST2POMONADescription: POMONA - SCTEST2 - COMBO TESTER, W/FOOTPLATE
tariffCode: 0
Produkttyp: Wrist Strap and Footwear Tester with Foot Plate
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: Unknown
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
SVHC: No SVHC (15-Jun-2015)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1461.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTEST2Pomona ElectronicsAntistatic Control Products Combo Wrist Strap and Footwear Tester w/ Foot Plate
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1111.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTEST3PomonaSCTEST3
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+480.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTEST3Pomona ElectronicsAntistatic Control Products Multi-Mount Continuous Monitor (North America Plug)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+475.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTEST3Pomona ElectronicsDescription: MULTI-MOUNT CONTINUOUS MONITOR (
Usage: Calibrating Continuous Workstation Monitors
Power Supply Type: 100 ~ 240VAC
Type: Equipment Monitor
Packaging: Box
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+431.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTF10-11DMC ToolsCable Mounting & Accessories FLANGED FERRULE END FITTING .040 CABLE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTFF5004L2R7YA000KEMETDescription: SUPERCAPACITOR 5F 2.7VDC 85C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTFF5004L2R7YA000KEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 5F Max Temp 85 C 30% Radial
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTFF5004L2R7YC000KEMETSupercapacitors / Ultracapacitors 2.7V 5F Max Temp 85 C 30% Radial
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTFF5004L2R7YC000KEMETDescription: SUPERCAPACITOR 5F 2.7VDC 85C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N120G2-AGSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.36 EUR
10+38.33 EUR
100+36.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315 pF @ 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH100N65G2-7AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.15 EUR
10+38.16 EUR
100+37.89 EUR
500+37.84 EUR
1000+33.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH107K16NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 100UF 10% 16V 2917
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Voltage - Rated: 16 V
Capacitance: 100 µF
Part Status: Active
Height - Seated (Max): 0.169" (4.30mm)
Manufacturer Size Code: H
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Type: Molded
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Package / Case: 2917 (7343 Metric)
Features: General Purpose
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+8.35 EUR
20+7.91 EUR
50+7.47 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH157K10NTE Electronics, IncDescription: CAP-TANT SM 150 10V
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-100Signal TransformerDescription: FIXED IND 10UH 380MA 900 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-150Signal TransformerDescription: FIXED IND 15UH 300MA 1.52 OHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-1R0Signal TransformerDescription: FIXED IND 1UH 1.14A 105 MOHM SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-1R5Signal TransformerDescription: FIXED IND 1.5UH 950MA 145 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-220Signal TransformerDescription: FIXED IND 22UH 240MA 1.7 OHM SMD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-2R2Signal TransformerDescription: FIXED IND 2.2UH 800MA 205 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-2R7Signal TransformerDescription: FIXED IND 2.7UH 720MA 245MOHM SM
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 245mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 720mA
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Inductance: 2.7 µH
Current Rating (Amps): 720 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-3R3Signal TransformerDescription: FIXED IND 3.3UH 680MA 265 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-4R7Signal TransformerDescription: FIXED IND 4.7UH 590MA 350 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-6R8Signal TransformerDescription: FIXED IND 6.8UH 480MA 515 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH2010-R56Signal TransformerDescription: FIXED IND 560NH 1.52A 70 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH226K35NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 22UF 10% 35V 2917
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ 45 A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+24.57 EUR
12+19.12 EUR
50+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+13.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.88 EUR
10+17.39 EUR
100+14.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.51 EUR
10+24.57 EUR
12+19.12 EUR
50+18.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 45A; Idm: 90A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 208W
Case: H2PAK7
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+11.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.19 EUR
11+22.25 EUR
13+16.9 EUR
50+16.62 EUR
100+16.33 EUR
250+16.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.7 EUR
10+16.58 EUR
100+12.54 EUR
500+11.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsSiC MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.61 EUR
10+16.53 EUR
100+14.55 EUR
1000+12.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+28.19 EUR
11+22.25 EUR
13+16.9 EUR
50+16.62 EUR
100+16.33 EUR
250+16.04 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH35N65G2V-7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ., 36 A in an H2PAK-7 package
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.85 EUR
10+21.52 EUR
100+19.75 EUR
500+19.68 EUR
1000+16.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+30.42 EUR
10+25.43 EUR
11+20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH40N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 238W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 238W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.43 EUR
11+20.88 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+27.75 EUR
2000+26.49 EUR
3000+25.26 EUR
5000+24.04 EUR
10000+22.85 EUR
20000+21.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 33A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 201000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+27.75 EUR
2000+27.08 EUR
3000+26.23 EUR
5000+25.39 EUR
10000+24.75 EUR
20000+24.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH40N120G2V7AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH476K20NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 47UF 10% 20V 2917
Tolerance: ±10%
Features: General Purpose
Packaging: Bag
Package / Case: 2917 (7343 Metric)
Size / Dimension: 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Molded
Operating Temperature: -55°C ~ 85°C
Manufacturer Size Code: H
Height - Seated (Max): 0.169" (4.30mm)
Capacitance: 47 µF
Voltage - Rated: 20 V
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+6.58 EUR
20+6.24 EUR
50+5.89 EUR
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH50N120-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH50N120-7STMicroelectronicsMOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ TJ = 150 C)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+28.68 EUR
50+27.8 EUR
100+27.25 EUR
250+26.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH60N120G2-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+51.03 EUR
6+39.23 EUR
10+28.68 EUR
50+27.8 EUR
100+27.25 EUR
250+26.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH60N120G2-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH625DMC ToolsHand Tools SAFE-T-CABLE TOOL, HYD. .062", 5" NOSE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH686K20NTE Electronics, IncDescription: CAP TANT 68UF 10% 20V 2917
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 90 A, 21 mOhm (typ. TJ = 25 C)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+78.15 EUR
5+67.62 EUR
10+56.61 EUR
50+52.97 EUR
100+51.54 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7STMicroelectronicsDescription: SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: H2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SCTH70N120G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH70N120G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 469W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.45V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+56.61 EUR
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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SCTH90N65G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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SCTH90N65G2V-7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - SCTH90N65G2V-7 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 116 A, 650 V, 0.018 ohm, H2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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4+72.13 EUR
5+63.77 EUR
10+55.91 EUR
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 4098 Stücke:
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5+35.24 EUR
25+34.7 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsDescription: SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: H2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 400 V
auf Bestellung 476 Stücke:
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1+42.55 EUR
10+30.8 EUR
100+25.26 EUR
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH SiC 650V 116A 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R
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SCTH90N65G2V-7STMicroelectronicsSiC MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an
auf Bestellung 13945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.39 EUR
10+49.19 EUR
25+48.47 EUR
50+40.63 EUR
100+38.96 EUR
250+38.01 EUR
500+37.47 EUR
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