Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| DMP3056LDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V | auf Bestellung 67825 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LDMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 41904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LDMQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.25W; SOT26 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.3A Power dissipation: 1.25W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | auf Bestellung 2616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDMQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT26 T&R 3K | auf Bestellung 2671 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LDMQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 6-Pin SOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LDMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSD | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSD | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSD - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A, 0.045 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.045ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 3924 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs PMOS-DUAL | auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 Produktcode: 116130
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| Verschiedene Bauteile > Other components 3 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | Diodes | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A Automotive 8-Pin SOP T/R Транзистори | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.1A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; Idm: -24A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.8A Pulsed drain current: -24A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.7nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 51377 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSDQ-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.9 A, 6.9 A tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | auf Bestellung 8843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 6.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 7.1A | auf Bestellung 794 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSS-13 | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 7,1, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 722 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 45 мОм @ 6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 3 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V | auf Bestellung 3139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7.1 A, 0.045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 2.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSS-13 | Diodes | MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 722 pF @ 25 V | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 870 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 2263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.9A; Idm: -25A; 1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.9A Pulsed drain current: -25A Power dissipation: 1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17.3nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LSSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3056LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 1.2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 2263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 1925 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LSSQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3056LSSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3056LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V TSOT26 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3056LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A TSOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 642 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3065LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3065LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 20Vgss 587pF 12.3nC | auf Bestellung 3948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3065LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.2A; Idm: -18A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.165Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -18A Gate charge: 15.9nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A | auf Bestellung 19987 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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| DMP3068L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R DMP3068L-13 DMP3068L-7 TDMP3068L-7 Diodes Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2640 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| DMP3068L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7 Produktcode: 143440
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| DMP3068L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3068L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.072 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 700mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3068L-7 | Diodes | P-Channel 30V 3.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 85mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3068L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.072 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 700mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V Verlustleistung: 700mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068L-7-ML | MOSLEADER | Description: P 30V 3.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3068LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TSOT26 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3068LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3068LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 33000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSD | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 81998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -20A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -20A Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.1A On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 1.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape | auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3085LSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2510 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 563pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 268 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A | auf Bestellung 235424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 268 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP3085LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.9A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMP3085LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP3085LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.8 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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