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| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPL60R185C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 85W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 85W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.346Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 8950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 3361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 85W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm | auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 5700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R185CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.185 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 85W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm | auf Bestellung 1744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 8950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R185CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V | auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R185P7 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | auf Bestellung 2343 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 3692 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R185P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 81W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R185P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Power dissipation: 81W Case: VSON4 On-state resistance: 0.149Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 25nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP | auf Bestellung 1300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R199CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16.4A Power dissipation: 139W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R199CPAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | auf Bestellung 9783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R199CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R199CPAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R199CPAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R199CPAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16.4 A, 0.18 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2A - 4 Wochen usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R1K5C6S | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_LEGACY | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6 | auf Bestellung 13757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 4254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 82784 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 13543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3A Power dissipation: 26.6W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R1K5C6SATMA1 | Infineon Technologies | IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 1956 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R210P6 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 3510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 11040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R210P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19.2A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA Power Dissipation (Max): 151W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R210P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 2975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R225CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2A - 4 Wochen Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 13434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-VSON-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R225CFD7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2A - 4 Wochen Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 68W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: VSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R225CFD7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R | auf Bestellung 2716 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Power Dissipation (Max): 126W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R | auf Bestellung 996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM | auf Bestellung 2650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R255P6AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 59W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.285Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 18nC Version: ESD Kind of package: reel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 5350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 3752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 15952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 59W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | auf Bestellung 5900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-VSON-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 5350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R285P7AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 59W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: VSON Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm | auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R299CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 4945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 4873 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-VSON-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 91329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R299CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.1A Power dissipation: 96W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.299Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R299CPAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R | auf Bestellung 36886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 141342 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 4098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 2219 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R2K1C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.3A Power dissipation: 21.6W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6 | auf Bestellung 3084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TSON-8-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 176342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R2K1C6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 4098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R360P6SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 89.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm | auf Bestellung 4465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 43084 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 4460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R360P6SATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 89.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm | auf Bestellung 4465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 147812 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6 | auf Bestellung 2718 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPL60R360P6SATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R | auf Bestellung 21617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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