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Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R

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209+	3.13 EUR
500+	2.78 EUR
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IPL60R185CFD7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPL60R185CFD7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V

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IPL60R185CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R

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IPL60R185CFD7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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500+	2.76 EUR
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3000+	2.4 EUR
6000+	2.39 EUR

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IPL60R185CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14A 4-Pin VSON EP T/R

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35+	5.07 EUR
55+	3.17 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.15 EUR
1000+	2.08 EUR
3000+	2.01 EUR

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IPL60R185P7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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IPL60R185P7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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10+	3.92 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.15 EUR
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IPL60R185P7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; 81W; VSON4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Power dissipation: 81W
Case: VSON4
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25nC

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IPL60R185P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R

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IPL60R185P7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

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4+	6.03 EUR
10+	3.92 EUR
100+	2.71 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	2.13 EUR

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IPL60R185P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin VSON EP T/R

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IPL60R185P7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

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IPL60R199CP

MOSFETs N-Ch 600V 16.4A ThinPAK-4 CoolMOS CP

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IPL60R199CPAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V

auf Bestellung 793 Stücke:

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IPL60R199CPAUMA1

Description: INFINEON - IPL60R199CPAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16.4 A, 0.18 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 3000 Stücke:

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25+	10.34 EUR
33+	7.06 EUR
100+	5.41 EUR
500+	4.8 EUR
1000+	4.13 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPL60R199CPAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16.4A
Power dissipation: 139W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPL60R199CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON EP T/R

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IPL60R199CPAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IPL60R1K5C6S

Infineon LOW POWER_LEGACY

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IPL60R1K5C6SATMA1

IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 13543 Stücke:

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581+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR
10000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 581 Stücke

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IPL60R1K5C6SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V

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IPL60R1K5C6SATMA1

IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 1956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

581+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 581 Stücke

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IPL60R1K5C6SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 26.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 26.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPL60R1K5C6SATMA1

IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 4254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

581+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 581 Stücke

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IPL60R1K5C6SATMA1

IPL60R1K5C6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com

auf Bestellung 82784 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

581+	1.12 EUR
1000+	1.02 EUR
10000+	0.89 EUR

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IPL60R1K5C6SATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 3A ThinPAK 5x6

auf Bestellung 13757 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.42 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.93 EUR
2500+	0.84 EUR
5000+	0.75 EUR

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IPL60R210P6

MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM

auf Bestellung 242 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.91 EUR
10+	4.5 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.48 EUR
3000+	2.31 EUR

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IPL60R210P6AUMA1

MOSFETs LOW POWER PRICE/PERFORM

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IPL60R210P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.8 EUR
44+	3.93 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R210P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R210P6AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R210P6AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19.2 A, 0.21 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 151W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	6.77 EUR
48+	4.86 EUR
100+	3.62 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.65 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R210P6AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 19.2A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 151W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2885 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.78 EUR
10+	4.43 EUR
100+	3.08 EUR
500+	2.51 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R210P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 11040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

209+	3.13 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.51 EUR
10000+	2.19 EUR

Mindestbestellmenge: 209 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R210P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 2975 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	5.8 EUR
44+	3.83 EUR
100+	2.64 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R210P6AUMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R210P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 19.2A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IPL60R210P6AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

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IPL60R225CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	3.26 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R225CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	3.26 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

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IPL60R225CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.57 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R225CFD7AUMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.41 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.39 EUR
3000+	2.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R225CFD7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 13434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

200+	3.26 EUR
500+	2.89 EUR
1000+	2.62 EUR
10000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 200 Stücke

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IPL60R225CFD7AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R225CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.189 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6 EUR
65+	3.62 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPL60R225CFD7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A VSON-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPL60R255P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPL60R255P6AUMA1

MOSFET LOW POWER PRICE/PERFORM

auf Bestellung 2650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPL60R255P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R

auf Bestellung 2716 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPL60R255P6AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 15.9A 4VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 255mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPL60R255P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR
10000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPL60R255P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPL60R255P6AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 15.9A 5-Pin Thin-PAK T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

223+	2.94 EUR
500+	2.62 EUR
1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 223 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	4.95 EUR
72+	3.25 EUR
101+	2.14 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 5350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.57 EUR
56+	3.06 EUR
100+	2.07 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.61 EUR
3000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 59W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 59W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Version: ESD
Kind of package: reel

Produkt ist nicht verfügbar

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IPL60R285P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 15952 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

278+	2.34 EUR
500+	2.08 EUR
1000+	1.88 EUR
10000+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 278 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R285P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.218 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.218ohm

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.25 EUR
101+	2.14 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V

auf Bestellung 5900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.7 EUR
10+	3.69 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 5350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

39+	4.57 EUR
56+	3 EUR
100+	2 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.48 EUR
3000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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IPL60R285P7AUMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 752 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.78 EUR
10+	3.72 EUR
100+	2.56 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.98 EUR
3000+	1.82 EUR

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IPL60R299CP

MOSFET N-Ch 650V 11.1A ThinPAK-4 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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IPL60R299CPAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11.1A; 96W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.1A
Power dissipation: 96W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 36886 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	3.02 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 216 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11.1A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 4945 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	3.02 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 216 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 4873 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	3.02 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.59 EUR

Mindestbestellmenge: 216 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	3.02 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 216 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

auf Bestellung 91329 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

164+	3.36 EUR

Mindestbestellmenge: 164 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 254 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 216 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R299CPAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.1A 4-Pin VSON EP T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

216+	3.02 EUR
500+	2.81 EUR
1000+	2.59 EUR
10000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 216 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

MOSFET N-Ch 600V 2.3A ThinPAK 5x6

auf Bestellung 3084 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

auf Bestellung 176342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

626+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 626 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

auf Bestellung 4098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

332+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 332 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

auf Bestellung 141342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

871+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
10000+	0.6 EUR
100000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 871 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

auf Bestellung 4098 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

332+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 332 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSON-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 21.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

auf Bestellung 2219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

871+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 871 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

871+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 871 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.3A; 21.6W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 21.6W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R2K1C6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

871+	0.75 EUR
1000+	0.68 EUR
10000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 871 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R360P6SATMA1

Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm

auf Bestellung 4465 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

51+	4.97 EUR
77+	3.02 EUR
250+	1.89 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 51 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

auf Bestellung 21617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

370+	1.76 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR
10000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 370 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPL60R360P6SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

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IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

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370+	1.76 EUR
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1000+	1.42 EUR
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IPL60R360P6SATMA1

MOSFETs N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6

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IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

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IPL60R360P6SATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

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IPL60R360P6SATMA1

Description: INFINEON - IPL60R360P6SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11.3 A, 0.36 ohm, SMD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm

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250+	1.89 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	1.32 EUR

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IPL60R360P6SATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11.3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R

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500+	1.57 EUR
1000+	1.42 EUR
10000+	1.23 EUR
100000+	1.01 EUR

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IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

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111+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 111 Stücke

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IPL60R365P7AUMA1

Description: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm

auf Bestellung 2227 Stücke:

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500+	1.71 EUR
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IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

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79+	2.21 EUR
91+	1.86 EUR
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IPL60R365P7AUMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

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10+	3.45 EUR
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IPL60R365P7AUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R

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500+	1.95 EUR
1000+	1.76 EUR

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IPL60R365P7AUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD

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IPL60R365P7AUMA1