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Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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724+	0.76 EUR
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IRFU3410PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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IRFU3410PBF

Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V

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7+	2.52 EUR
75+	1.16 EUR
150+	1 EUR
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IRFU3412

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IRFU3412PBF

Description: MOSFET N-CH 100V 48A IPAK

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IRFU3418PBF

Description: MOSFET N-CH 80V 70A IPAK

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IRFU3504PBF

Description: MOSFET N-CH 40V 30A IPAK

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IRFU3504Z

Description: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK

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IRFU3504ZPBF

Description: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK

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IRFU3518
Produktcode: 52680

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFU3518-701PBF

Description: MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

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IRFU3518PBF

MOSFET N-CH 80V 38A IPAK=TO-251 Транзистори

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IRFU3518TRL-701

05+

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IRFU3607

Array

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IRFU3607

N-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

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25+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IRFU3607-701PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V

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IRFU3607PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

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161+	0.9 EUR
162+	0.88 EUR
200+	0.84 EUR
2000+	0.83 EUR
3000+	0.81 EUR

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IRFU3607PBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 7340 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7340µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IRFU3607PBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement

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53+	1.36 EUR
75+	1.1 EUR

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IRFU3607PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 1772 Stücke:

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450+	1.22 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR

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IRFU3607PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 1890 Stücke:

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180+	0.81 EUR
182+	0.79 EUR
188+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IRFU3607PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 2464 Stücke:

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IRFU3607PBF

Infineon

Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 80А, 140Вт; IPAK Транзистори

auf Bestellung 490 Stücke:

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3+	1.85 EUR

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IRFU3607PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 2464 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2464+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2464 Stücke

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IRFU3607PBF

Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V

auf Bestellung 2190 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.09 EUR
75+	1.09 EUR
150+	1.07 EUR

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IRFU3607PBF

Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 1897 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

177+	0.83 EUR
178+	0.79 EUR
185+	0.74 EUR

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IRFU3607PBF
Produktcode: 191828

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IRFU3607PBF

MOSFETs MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg

auf Bestellung 963 Stücke:

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1+	4.12 EUR
10+	2.64 EUR
100+	1.8 EUR
500+	1.53 EUR
1000+	1.35 EUR
3000+	1.28 EUR
6000+	1.22 EUR

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IRFU3607TRL701P

Description: MOSFET N CH 75V 56A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IRFU3607TRL701P

MOSFET MOSFET, 75V, 80A, 9 Ohm, 56 nC Qg, I-Pak

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IRFU3704

auf Bestellung 11500 Stücke:

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IRFU3704

Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

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IRFU3704PBF

Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

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IRFU3704ZPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 60A IPAK

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IRFU3706

Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

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IRFU3706-701PBF

Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

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IRFU3706PBF

Description: MOSFET N-CH 20V 75A IPAK

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IRFU3706TRL-701

06+

auf Bestellung 24000 Stücke:

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IRFU3707

Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK

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IRFU3707PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK

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IRFU3707Z

04+

auf Bestellung 51600 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFU3707ZPBF

MOSFETs MOSFT 30V 56A 9.5mOhm 9.6nC

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IRFU3707ZPBF
Produktcode: 103006

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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010

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IRFU3707ZPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V

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IRFU3707ZPBF

auf Bestellung 18075 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IRFU3708

Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK

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IRFU3708

auf Bestellung 1222 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3708PBF

Description: MOSFET N-CH 30V 61A IPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3709

DIP

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3709

Description: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3709Z

04+

auf Bestellung 42675 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3709Z-701P

Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3709Z-701P

05+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3709ZPBF

Description: MOSFET N-CH 30V 86A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3709ZPBF

MOSFET MOSFT 30V 86A 6.5mOhm 17nC

auf Bestellung 232 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710Z
Produktcode: 99520

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 100
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2930/69
JHGF: THT

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1+	1.26 EUR
10+	1.13 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710Z

Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710Z-701

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710Z-701HR

Infineon

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IRFU3710Z-701P

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710Z-701P

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710ZHR

Infineon

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710ZPBF

Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFU3710ZPBF

MOSFET MOSFT 100V 56A 18mOhm 69nC Qg

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3710ZTRL701

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3711

Description: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 10 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 300 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3711

MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3711

auf Bestellung 72500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3711PBF

Description: MOSFET N-CH 20V 100A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3711ZPBF

Description: MOSFET N-CH 20V 93A IPAK

Produkt ist nicht verfügbar

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IRFU3711ZPBF

07+

auf Bestellung 50000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU3806PBF

Description: MOSFET N-CH 60V 43A IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V

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IRFU3910

N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

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25+	1.47 EUR

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IRFU3910

Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 3000 Stücke:

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238+	0.62 EUR
239+	0.61 EUR
500+	0.59 EUR

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IRFU3910PBF

MOSFETs MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC

auf Bestellung 1055 Stücke:

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2+	2.6 EUR
10+	1.15 EUR
100+	1.03 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.72 EUR
6000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 54000 Stücke:

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3000+	0.61 EUR

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 324 Stücke:

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101+	1.46 EUR
181+	0.78 EUR
186+	0.73 EUR

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IRFU3910PBF
Produktcode: 77965

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251AA
Uds,V: 100
Idd,A: 16
Rds(on), Ohm: 0.115
Ciss, pF/Qg, nC: 640/44
JHGF: THT

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Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	0.57 EUR

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IRFU3910PBF

INFINEON

Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2695 Stücke:

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IRFU3910PBF

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 269 Stücke:

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117+	0.61 EUR
150+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 117 Stücke

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IRFU3910PBF

MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK Транзистори

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 15 Stücke:

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IRFU3910PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

auf Bestellung 319 Stücke:

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184+	0.78 EUR

Mindestbestellmenge: 180 Stücke

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IRFU3910PBF

Description: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V

auf Bestellung 2969 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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75+	1.06 EUR
150+	0.95 EUR
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IRFU3911PBF

Description: MOSFET N-CH 100V 14A IPAK

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IRFU4101TRL-701

05+

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IRFU4104
Produktcode: 99521

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Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 40
Idd,A: 42
Rds(on), Ohm: 5.5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
JHGF: THT

auf Bestellung 2 St.:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

1+	1.2 EUR
10+	1.08 EUR

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IRFU4104

04+

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IRFU4104-701PBF

Description: MOSFET N-CH 40V 42A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

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IRFU4104PBF

MOSFET MOSFT 40V 119A 5.5mOhm 59nC Qg

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IRFU4104PBF

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IRFU4105

Description: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube

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IRFU4105PBF

MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC

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IRFU4105PBF

Description: MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)

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IRFU4105Z

N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke

auf Bestellung 45 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

25+	1.6 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRFU4105Z