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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 4532 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.8 EUR
3000+1.7 EUR
6000+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 93468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.37 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.89 EUR
10000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
59+3.95 EUR
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 5037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 46W; PG-VSON-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 46W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 5037 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.87 EUR
101+1.65 EUR
111+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 8390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.37 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
273+2.37 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 273 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.02 EUR
10+3.25 EUR
100+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL60R365P7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.31 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
auf Bestellung 2227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R365P7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPInfineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.61 EUR
100+2.49 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.93 EUR
3000+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 83W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R
auf Bestellung 2122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R
auf Bestellung 3510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V
auf Bestellung 58754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
202+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R
auf Bestellung 28244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
10000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R385CPAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 4-Pin VSON T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.56 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.05 EUR
10000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.7A 8THINPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-ThinPak (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; 56.8W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 56.8W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
452+1.43 EUR
502+1.26 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 452 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1Infineon TechnologiesIPL60R650P6SATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 600V 6.7A 8-Pin Thin-PAK EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL60R650P6SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
auf Bestellung 4230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.57 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.19 EUR
2500+1.08 EUR
5000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65Hammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories IME PLINTH 600X500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R065CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R065CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R065CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R065CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R065CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.65 EUR
16+15.22 EUR
17+12.7 EUR
50+11.35 EUR
100+10.15 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.59 EUR
25+6.44 EUR
100+6.02 EUR
250+5.63 EUR
500+5.25 EUR
1000+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R070C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 169W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.65 EUR
16+15.22 EUR
17+12.7 EUR
50+11.35 EUR
100+10.15 EUR
250+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.59 EUR
25+6.69 EUR
100+6.37 EUR
250+6.1 EUR
500+5.84 EUR
1000+5.55 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 169W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 28A
Power dissipation: 169W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 28A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R070C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 100 V
auf Bestellung 9907 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.03 EUR
10+11.64 EUR
100+8.58 EUR
500+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+4.8 EUR
500+4.49 EUR
1000+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.26 EUR
10+8.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 171W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 8721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.81 EUR
500+4.95 EUR
1000+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2513 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 630µA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 29A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R095CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 29 A, 0.068 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 171W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
auf Bestellung 8721 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.77 EUR
26+9.21 EUR
100+6.15 EUR
500+5.72 EUR
1000+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R095CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.65 EUR
10+8.04 EUR
100+5.68 EUR
500+5.18 EUR
1000+4.8 EUR
3000+4.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER BEST IN CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.88 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.82 EUR
10+8.63 EUR
100+6.25 EUR
500+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.12 EUR
500+4.78 EUR
1000+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R099C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R099C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.088 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 128W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.54 EUR
26+9.26 EUR
100+6.88 EUR
500+5.19 EUR
1000+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
auf Bestellung 2536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.08 EUR
10+6.71 EUR
100+4.81 EUR
500+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R115CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.25 EUR
10+6.72 EUR
100+4.96 EUR
500+4.4 EUR
1000+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R115CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 480µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.71 EUR
25+9.16 EUR
50+8.62 EUR
100+8.14 EUR
250+7.78 EUR
500+7.45 EUR
1000+7.09 EUR
2500+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
45+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15A; 102W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 15A
Power dissipation: 102W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+5.95 EUR
36+4.75 EUR
45+3.69 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R
auf Bestellung 52 Stücke:
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29+5.95 EUR
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IPL65R130C7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R130C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.115 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 73 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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IPL65R130C7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 15A 4VSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.64 EUR
10+7.09 EUR
100+5.08 EUR
500+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IPL65R130C7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 650V 15A VSON-4
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1+11.08 EUR
10+7.27 EUR
100+5.34 EUR
500+4.76 EUR
1000+4.25 EUR
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IPL65R130C7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 15A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
50+6.84 EUR
100+5.65 EUR
500+4.61 EUR
1500+4.31 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R
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176+3.68 EUR
500+3.43 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R130CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.13 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 127W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 127W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.101ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3301 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.4 EUR
500+4.07 EUR
1500+3.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IPL65R130CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1694 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 420µA
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R130CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 21A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R160CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Verlustleistung Pd: 98W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.132ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.72 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+5.82 EUR
100+4.24 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.27 EUR
3000+3.01 EUR
6000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesDescription: COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerTSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
10+5.65 EUR
100+4 EUR
500+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R160CFD7AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 17A 4-Pin VSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R160CFD7AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPL65R160CFD7AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPL65R160CFD7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.132 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 98W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.132ohm
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.29 EUR
42+5.64 EUR
100+3.72 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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