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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP24NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.17 EUR
56+4.15 EUR
100+3.59 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NM65NSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 650V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NM65N
auf Bestellung 18479 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP24NM65NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25Banner EngineeringEthernet Cables / Networking Cables Cordset: Double Ended RJ45; 8-pin Straight Male; 8-pin Straight Male; 7.6 m 8x24 Black PVC Shielded Jacket; PVC Black
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
stp25n06
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N06FI
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N10F7STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100V 0.027 Ohm typ 25A STripFET VII
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 25A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.52 EUR
118+1.48 EUR
124+1.38 EUR
200+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.23 EUR
4000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.91 EUR
10+3.56 EUR
100+3.22 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.4 EUR
2000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
50+3.62 EUR
100+3.27 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EPSTMMOSFET N-CH 600V 18A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 188mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N60M2-EPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 19.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP25N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 19.5 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1107 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.92 EUR
31+7.64 EUR
100+6.45 EUR
500+5.83 EUR
1000+5.22 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.17 EUR
10+5.18 EUR
100+4.71 EUR
500+3.92 EUR
1000+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.83 EUR
50+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM50N
Produktcode: 40855
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 550 V
Drain-Strom Idd, A: 21,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,150 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2280/
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
1+6.52 EUR
10+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM50NST
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60NST..
auf Bestellung 30001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 V 0.14 Ohm 20 A 2nd Gen MDmesh
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60N(1236)STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60N-HSTMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60ND
auf Bestellung 17839 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP25NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP260N4F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP260N4F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP260N4F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 40 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP260N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP260N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP260N6F6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2640LF
auf Bestellung 2246 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 180A TO220
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP265N6F6AGSTMicroelectronicsMOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.34 EUR
31+5.52 EUR
35+4.69 EUR
100+4.19 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.97 EUR
100+4.82 EUR
500+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 100 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.68 EUR
10+5.72 EUR
350+3.47 EUR
700+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP26N65DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 100 V
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.39 EUR
100+3.8 EUR
500+3.12 EUR
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STP26N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.156 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
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STP26N65DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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STP26N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 12.6A; Idm: 53A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.6A
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STP26NM60
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP26NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.09 EUR
29+8.16 EUR
100+6.91 EUR
500+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.57 EUR
25+6.94 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.57 EUR
25+6.79 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
750+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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STP26NM60NSTTrans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.72 EUR
31+5.71 EUR
100+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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STP26NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.85 EUR
50+8.02 EUR
100+7.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP26NM60N
Produktcode: 60496
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Transistoren > MOSFET N-CH
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STP26NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
auf Bestellung 1129 Stücke:
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1+16.67 EUR
10+11.39 EUR
100+9.38 EUR
500+8.35 EUR
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STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.58 EUR
25+7.01 EUR
100+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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STP26NM60NSTMMOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Транзистори
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STP26NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Technology: MDmesh™ ||
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Drain current: 12.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+8.47 EUR
14+6.52 EUR
25+5.74 EUR
50+5.18 EUR
100+4.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STP26NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.6 EUR
25+6.87 EUR
100+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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STP26NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1817 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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STP270N04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N4F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N4F3
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP270N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 80 V 2.1 mOhm 180 A STripFET VI DG
auf Bestellung 1068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
25+5.15 EUR
100+4.69 EUR
250+4.58 EUR
5000+4.57 EUR
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STP270N8F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Gate charge: 193nC
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Pulsed drain current: 720A
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7STMMOSFET N CH 80V 180A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 80V 180A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP270N8F7WSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 80V 180A TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2740C94+
auf Bestellung 27410 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2740C0BN/AN/A DIP-8
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2740COB
auf Bestellung 2600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2744B
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP2744C
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP27N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 27A TO220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP27N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V 27 A TO 220
auf Bestellung 2077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP27N60M2-EPSTMMOSFET N-CH 600V 20A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP27N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP27N60M2-EPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 163mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.81 EUR
24+3.64 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
auf Bestellung 950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.82 EUR
50+4.53 EUR
100+4.12 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
35+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60DM2STMMOSFET N-CH 600V 21A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP28N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.65 EUR
57+4.08 EUR
100+3.56 EUR
500+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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STP28N60M2STMMOSFET N-CH 600V 24A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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STP28N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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