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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPTA60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.89 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
2000+1.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTA60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPTA60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTA60R180CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTA60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, LHSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6 EUR
65+3.57 EUR
100+2.25 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IPTB1000Eaton Electrical 1PTB1000 PIC TP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB13RSfera LabsDisplay Modules Iono Pi Touch Display RTC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB13RPSfera LabsDisplay Modules Iono Pi Touch Display RTC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB13XSfera LabsDisplay Modules Iono Pi Touch Display
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB13XPSfera LabsDisplay Modules Iono Pi Touch Display
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB20R42Sfera LabsDisplay Development Tools IONO PI TOUCH DISPLAY RTC w. Pi4B 2GB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB20R44Sfera LabsDisplay Development Tools IONO PI TOUCH DISPLAY RTC w. Pi4B 4GB
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1332.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB20R48Sfera LabsDisplay Development Tools IONO PI TOUCH DISPLAY RTC w. Pi4B 8GB
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1294.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB20RPSfera LabsDisplay Development Tools IONO PI TOUCH DISPLAY RTC w. PiB3+
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1121.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB400Eaton Electrical PTB400 PIC TAP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTB600Eaton Electrical PIC TAP BXC
Produkt ist nicht verfügbar
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IPTC007N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
19+12.36 EUR
100+8.51 EUR
500+7.13 EUR
1000+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC007N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC007N06NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC007N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 750 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 1211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.27 EUR
19+12.36 EUR
100+8.51 EUR
500+7.13 EUR
1000+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC007N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+9.09 EUR
25+9.07 EUR
100+6.76 EUR
500+6.31 EUR
1800+5.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC007N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 261 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21000 pF @ 30 V
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.47 EUR
10+7.65 EUR
50+6.02 EUR
100+5.49 EUR
500+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
50+8.94 EUR
100+7.65 EUR
500+7.02 EUR
1000+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 408A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 3593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+5.07 EUR
500+4.72 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC011N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 408 A, 1100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 408A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
50+8.94 EUR
100+7.65 EUR
500+7.02 EUR
1000+6.43 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC011N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 42A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 3757 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+5.07 EUR
500+4.72 EUR
1000+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
auf Bestellung 4156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.23 EUR
10+5.43 EUR
50+4.21 EUR
100+3.82 EUR
500+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.21 EUR
31+5.46 EUR
32+5.12 EUR
50+4.91 EUR
100+4.22 EUR
250+3.96 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 311A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 30 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 41A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+6.21 EUR
31+5.58 EUR
32+5.32 EUR
50+5.2 EUR
100+4.58 EUR
250+4.41 EUR
500+4.05 EUR
1000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N06NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
auf Bestellung 832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+7 EUR
100+5.02 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.65 EUR
1800+4.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT package for higher thermal cycling on board performance
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 396A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
50+12.02 EUR
100+8.2 EUR
500+7.97 EUR
1000+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH 40<-<100V
auf Bestellung 2420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.05 EUR
10+12.9 EUR
25+11.71 EUR
100+10.75 EUR
250+10.12 EUR
500+9.48 EUR
1000+8.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesOptiMOS™ 5 power MOSFET in TOLT package for higher thermal cycling on board performance
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 40A/396A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 396A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.2 EUR
10+11.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC012N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC012N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 396 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 396A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
50+12.02 EUR
100+8.2 EUR
500+7.97 EUR
1000+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 330 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.88 EUR
26+9.21 EUR
100+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
auf Bestellung 3550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+7.5 EUR
100+5.53 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.33 EUR
1800+4.13 EUR
3600+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.08 EUR
10+7.41 EUR
100+5.32 EUR
500+4.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N08NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC014N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 330 A, 1200 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N08NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 40 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 1400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.76 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 37 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 50, Qg, нКл = 211, Rds = 1,4 мОм, Ugs(th) = 3,8, Р, Вт = 375, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerSOP-16 Очікується: 630 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1800 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.46 EUR
10+8.35 EUR
50+6.59 EUR
100+6.02 EUR
500+5.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC014N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 365 A, 1400 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.92 EUR
50+8.65 EUR
100+5.76 EUR
500+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC014N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 37A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.9 EUR
50+7.19 EUR
200+5.34 EUR
500+5.15 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC015N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.48 EUR
10+11.27 EUR
100+9.29 EUR
500+8.27 EUR
1000+7.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC015N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 354A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC015N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 354A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.67 EUR
16+15.39 EUR
19+11.52 EUR
50+10.6 EUR
100+8.73 EUR
250+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC015N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC015N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 354 A, 1300 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 354A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+8.57 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.42 EUR
10+9.04 EUR
50+7.18 EUR
100+6.57 EUR
500+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 5 Linear FET 2, 100 V
auf Bestellung 825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.22 EUR
10+9.51 EUR
100+7.66 EUR
500+6.78 EUR
1000+6.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N10NM5LF2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 321A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+5.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 32A 16-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+6.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 32A 16-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 4128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.97 EUR
10+10.64 EUR
100+8.07 EUR
250+8.04 EUR
500+7.58 EUR
1800+7.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N12NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC017N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 331 A, 1700 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 331A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 395W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.47 EUR
14+17.01 EUR
17+12.98 EUR
50+11.73 EUR
100+10.47 EUR
250+10.26 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC017N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-U01
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V
auf Bestellung 5190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.79 EUR
10+10.73 EUR
50+8.58 EUR
100+7.88 EUR
500+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC019N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.01 EUR
10+5.21 EUR
100+4.77 EUR
500+4.25 EUR
1000+4.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC019N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 1900 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 279A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.45 EUR
34+6.96 EUR
100+4.95 EUR
500+4.47 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC019N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC019N10NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC019N10NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 279 A, 1900 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 279A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.95 EUR
500+4.47 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC019N10NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 31A/279A HDSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 279A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.17 EUR
10+6.77 EUR
50+5.31 EUR
100+4.83 EUR
500+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 2096 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.77 EUR
10+10.72 EUR
100+7.87 EUR
500+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC020N13NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 135V; 297A; 395W; PG-HDSOP-16
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 135V
Drain current: 297A
Power dissipation: 395W
Case: PG-HDSOP-16
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+7.76 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC020N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.56 EUR
50+14.32 EUR
100+10.17 EUR
500+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 297A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 142A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 135 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 68 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC020N13NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.99 EUR
10+12.98 EUR
100+10.7 EUR
500+9.56 EUR
1000+8.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC020N13NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC020N13NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 135 V, 297 A, 1950 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 135V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 297A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 395W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1950µohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.56 EUR
50+14.32 EUR
100+10.17 EUR
500+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.21 EUR
10+10.32 EUR
100+7.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC025N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 264A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 120A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 60 V
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.57 EUR
10+9.15 EUR
100+6.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.2 EUR
10+7.79 EUR
100+6.34 EUR
500+6.24 EUR
1000+6.22 EUR
1800+5.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC026N12NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC02YK14-19PGlenairCircular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - BLQ - 26482 CONNECTORS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
auf Bestellung 1185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.58 EUR
10+7.06 EUR
100+5.07 EUR
500+4.57 EUR
1000+4.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC034N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 194A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 84A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 179µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 75 V
auf Bestellung 1806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.85 EUR
10+7.94 EUR
50+6.26 EUR
100+5.72 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC039N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 16-Pin HDSOP EP T/R
auf Bestellung 19800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1800+9.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC039N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1800+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC039N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 5714 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+8.82 EUR
100+6.41 EUR
500+6.09 EUR
1000+5.68 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC039N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 16-Pin HDSOP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC039N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 243µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
auf Bestellung 3600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.48 EUR
10+8.39 EUR
50+6.63 EUR
100+6.07 EUR
500+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC044N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V
auf Bestellung 1541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.35 EUR
10+7.59 EUR
50+5.99 EUR
100+5.46 EUR
500+5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC044N15NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.77 EUR
18+13.21 EUR
22+9.98 EUR
50+8.48 EUR
100+6.37 EUR
250+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC044N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2764 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.07 EUR
10+8.15 EUR
100+6.24 EUR
500+5.59 EUR
1000+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC044N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 235µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC044N15NM5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPTC044N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0037 ohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+16.77 EUR
18+13.21 EUR
22+9.98 EUR
50+8.48 EUR
100+6.37 EUR
250+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPTC054N15NM5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 191µA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 75 V
auf Bestellung 3331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.16 EUR
10+7.46 EUR
100+5.37 EUR
500+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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