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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 411 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TIXYSMOSFETs 42 Amps 150V 0.045 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.98 EUR
300+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.98 EUR
300+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.5 EUR
50+5.52 EUR
100+5.05 EUR
500+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N25PIXYSMOSFETs 42 Amps 250V 0.084 Rds
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+7.83 EUR
50+6.12 EUR
100+5.53 EUR
250+5.51 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
50+2.38 EUR
100+2.14 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIXYSMOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+2.89 EUR
100+2.07 EUR
500+1.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
110+1.52 EUR
500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 44A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.28 EUR
46+1.87 EUR
51+1.69 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
110+1.56 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TIXYSMOSFETs -44 Amps -150V 0.065 Rds
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.83 EUR
10+11.13 EUR
50+9.45 EUR
100+8.46 EUR
250+8.15 EUR
500+7.5 EUR
1000+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TMOSFET N-CH 150V 44A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.66 EUR
25+7.24 EUR
50+6.81 EUR
100+6.43 EUR
250+6.14 EUR
500+5.88 EUR
1000+5.6 EUR
2500+5.49 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.07 EUR
50+7.85 EUR
100+7.2 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP44P15T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.74 EUR
23+10.21 EUR
100+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 16А, 300Вт, TO220-3, 400нс Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.87 EUR
50+5.22 EUR
100+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
auf Bestellung 1204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.34 EUR
50+6.54 EUR
100+5.99 EUR
500+5 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2
Produktcode: 164249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.41 EUR
10+8.76 EUR
50+8.23 EUR
100+7.06 EUR
250+6.66 EUR
500+6.26 EUR
1000+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.26 EUR
16+5.5 EUR
20+4.39 EUR
50+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.21 EUR
50+4.8 EUR
100+4.37 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+4.8 EUR
100+4.33 EUR
500+4.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TMIXYSMOSFET Modules TO220 200V 48A N-CH TRENCH
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+6.37 EUR
50+5.43 EUR
100+4.65 EUR
250+4.49 EUR
500+4.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TMLittelfuseDiscrete MOSFET N Ch Trench Gate-Gen1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+4.86 EUR
100+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.31 EUR
50+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 150W
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.69 EUR
20+4.38 EUR
50+3.71 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.84 EUR
50+4.84 EUR
100+4.41 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2
Produktcode: 154844
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
auf Bestellung 3023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.75 EUR
50+3.94 EUR
100+3.57 EUR
500+2.92 EUR
1000+2.71 EUR
2000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.64 EUR
41+2.07 EUR
50+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.22 EUR
31+7.7 EUR
100+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+4.44 EUR
100+3.52 EUR
500+3 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N70X2LittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltraJnctX2Class TO-220AB/FP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N70X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N70X2MIXYSMOSFETs TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.72 EUR
10+3.96 EUR
100+3.53 EUR
500+3.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.2 EUR
57+3.03 EUR
100+2.87 EUR
250+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 3 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
50+3.84 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80PIXYSMOSFETs 3.5 Amps 800V 3 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 560ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.49 EUR
50+2.31 EUR
250+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N085TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 85V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: PolarHT™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.22 EUR
50+3.81 EUR
100+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.72 EUR
27+8.77 EUR
100+5.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+7.28 EUR
100+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PIXYSMOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PMIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: Polar™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 20A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PMLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PMIXYSMOSFETs 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N20PMIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25TIXYSMOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.27 EUR
10+5.99 EUR
100+5.46 EUR
500+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+7.91 EUR
13+6.84 EUR
25+5.77 EUR
50+4.82 EUR
100+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25TMOSFET N-CH 250V 50A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.09 EUR
50+6.4 EUR
100+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP50N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.5 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
50+7.24 EUR
100+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP52P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 52 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.11 EUR
19+12.44 EUR
24+9.15 EUR
50+6.81 EUR
100+6.32 EUR
250+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10PIXYSMOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.92 EUR
10+11.57 EUR
100+8.29 EUR
1000+7.91 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP52P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP52P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+19.17 EUR
25+13.34 EUR
100+8.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP55N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 55A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP56N15TIXYSMOSFET 56 Amps 150V 36 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP5N50PIXYSMOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP5N60PIXYSMOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP5N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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