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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP36N30PIXYSMOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.88 EUR
10+6.62 EUR
100+5.99 EUR
500+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.04 EUR
41+5.78 EUR
100+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+6.79 EUR
15+5.78 EUR
16+5.43 EUR
17+5.22 EUR
25+4.95 EUR
30+4.87 EUR
50+4.82 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30P
Produktcode: 208172
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PMOSFET N-CH 300V 36A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 1832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.61 EUR
10+8.48 EUR
50+6.71 EUR
100+6.14 EUR
500+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30P-PDPIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Bulk
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36N30TIXYSMOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 228ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 55nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -150V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+10.94 EUR
10+8.66 EUR
12+7.66 EUR
50+6.05 EUR
100+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.17 EUR
10+10.17 EUR
100+8.48 EUR
500+8.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+6.28 EUR
100+5.71 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2
Produktcode: 163724
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
1+3.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.49 EUR
18+4.75 EUR
25+4.31 EUR
50+4.01 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.04 EUR
10+8.08 EUR
50+6.38 EUR
100+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.7 EUR
32+5.31 EUR
50+4.97 EUR
100+4.63 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP3N100D2. - MOSFET, N-CH, 1KV, 3A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.4 EUR
25+9.35 EUR
29+7.5 EUR
50+6.37 EUR
100+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N100PIXYSMOSFETs 3 Amps 1000V 4.8 Rds
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.15 EUR
10+7.54 EUR
100+5.71 EUR
500+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Reverse recovery time: 700ns
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.5Ω
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+11.13 EUR
9+10.13 EUR
10+9.66 EUR
50+8.64 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.06 EUR
50+9.03 EUR
100+8.65 EUR
500+8.1 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120Trans MOSFET N-CH 1.1KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.42 EUR
50+13.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 117 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.64 EUR
10+23.48 EUR
12+17.97 EUR
50+14.24 EUR
100+13.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
auf Bestellung 1522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.69 EUR
10+15.02 EUR
50+12.16 EUR
100+11.25 EUR
500+9.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+10.06 EUR
50+8.84 EUR
100+8.33 EUR
500+7.68 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120IXYSMOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.37 EUR
10+11.98 EUR
100+11.06 EUR
500+10.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N120
Produktcode: 129937
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.71 EUR
50+6.2 EUR
100+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
auf Bestellung 1242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+6.28 EUR
100+5.71 EUR
500+5.62 EUR
1000+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 24ns
Gate charge: 1.07µC
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 500V
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: depletion
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+7.41 EUR
14+6.25 EUR
25+5.14 EUR
50+4.26 EUR
100+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP3N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.47 EUR
21+11.3 EUR
26+8.46 EUR
50+6.51 EUR
100+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N50PMOSFET N-CH 500V 3.6A 2Ohm 40W TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 411 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TIXYSMOSFETs 42 Amps 150V 0.045 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.94 EUR
300+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+2.94 EUR
300+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
auf Bestellung 728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.5 EUR
50+5.52 EUR
100+5.05 EUR
500+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N25PIXYSMOSFETs 42 Amps 250V 0.084 Rds
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.32 EUR
10+7.83 EUR
50+6.12 EUR
100+5.53 EUR
250+5.51 EUR
500+5.49 EUR
1000+5.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP42N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 130W; TO220AB; 60ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 60ns
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+3.28 EUR
46+1.87 EUR
51+1.69 EUR
100+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1262 pF @ 25 V
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
50+2.94 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIXYSMOSFETs 44 Amps 100V 25.0 Rds
auf Bestellung 817 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.81 EUR
10+2.89 EUR
100+2.07 EUR
500+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 182 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.61 EUR
110+1.51 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.61 EUR
110+1.55 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TIXYSMOSFETs -44 Amps -150V 0.065 Rds
auf Bestellung 692 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.83 EUR
10+11.13 EUR
50+9.45 EUR
100+8.46 EUR
250+8.15 EUR
500+7.5 EUR
1000+7.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TMOSFET N-CH 150V 44A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 3628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.58 EUR
25+7.15 EUR
50+6.74 EUR
100+6.35 EUR
250+6.07 EUR
500+5.82 EUR
1000+5.55 EUR
2500+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.07 EUR
50+7.85 EUR
100+7.2 EUR
500+6.22 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP44P15TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP44P15T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.74 EUR
23+10.21 EUR
100+8.41 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 16А, 300Вт, TO220-3, 400нс Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.75 EUR
50+5.16 EUR
100+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
auf Bestellung 902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.04 EUR
10+8.76 EUR
50+6.91 EUR
100+6.32 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2
Produktcode: 164249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP450P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.41 EUR
10+8.76 EUR
50+8.23 EUR
100+7.06 EUR
250+6.66 EUR
500+6.26 EUR
1000+5.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.21 EUR
50+4.8 EUR
100+4.37 EUR
500+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.26 EUR
16+5.5 EUR
20+4.39 EUR
50+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TIXYSMOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
auf Bestellung 693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.91 EUR
10+5.74 EUR
100+5.21 EUR
500+5.02 EUR
1000+4.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TMLittelfuseDiscrete MOSFET N Ch Trench Gate-Gen1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48N20TMIXYSMOSFET Modules TO220 200V 48A N-CH TRENCH
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.22 EUR
10+6.7 EUR
100+4.93 EUR
500+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.84 EUR
50+4.84 EUR
100+4.41 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05TIXYSMOSFETs TenchP Power MOSFET
auf Bestellung 278 Stücke:
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1+9.32 EUR
10+4.86 EUR
100+4.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP48P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 30ns
auf Bestellung 291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.69 EUR
20+4.38 EUR
50+3.71 EUR
100+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IXTP48P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.25 EUR
50+4.97 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2
Produktcode: 154844
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
auf Bestellung 3023 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.19 EUR
10+5.37 EUR
50+4.16 EUR
100+3.77 EUR
500+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTP4N65X2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.52 EUR
34+7.03 EUR
100+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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