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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7460DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 11A, SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5843 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.9 EUR
10+3.47 EUR
100+2.48 EUR
500+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7460DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 11 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7460DP-TI-E3
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-GE3SiliconixTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO SI7461DP SI7461DP-T1-E3 SI7461DP-GE3 SI7461DP-T1-E3 VISHAY TSI7461dp
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 8,6 А, Qg, нКл = 190 @ 10 В, Rds = 14,5 мОм @ 14,4 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: POWERPAK SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10502 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.34 EUR
46+5.08 EUR
100+3.3 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 20708 Stücke:
Lieferzeit 625-629 Tag (e)
1+6.7 EUR
10+4.36 EUR
100+3.06 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.45 EUR
3000+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VishayMOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7461DP-T1-GE3
Produktcode: 196585
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7461DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7461DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.26 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP-T1-E3
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 46A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
auf Bestellung 2399 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.25 EUR
50+1.69 EUR
100+1.51 EUR
500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 15889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.96 EUR
25+1.82 EUR
100+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -46A; Idm: -70A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
Pulsed drain current: -70A
Power dissipation: 25W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 144nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3
Produktcode: 176105
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 46 A, 0.01 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
122+1.9 EUR
147+1.46 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 900 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 46A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
49+3.55 EUR
100+2.81 EUR
250+2.7 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.97 EUR
49+3.45 EUR
100+2.68 EUR
250+2.53 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18.6 A, 9200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
62+2.61 EUR
100+2.2 EUR
250+2.09 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
auf Bestellung 18913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.12 EUR
10+4.16 EUR
100+3.17 EUR
250+3.14 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.36 EUR
62+2.7 EUR
100+2.33 EUR
250+2.27 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 18.6A 5.4W 9.2mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 11A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7463DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 11 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.58 EUR
500+2.94 EUR
1000+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7463DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DPVISHAYSO-8
auf Bestellung 86200 Stücke:
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SI7464DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 1609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.48 EUR
11+2.05 EUR
100+1.76 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
93+1.81 EUR
94+1.74 EUR
108+1.44 EUR
250+1.38 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-E3VishaySI7464DP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3VishaySI7464DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 2110 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.52 EUR
10+2.92 EUR
100+2.32 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7464DP-T1-GE3VishaySI7464DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 200V 1.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DPVISHAY10+ SMD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3
Produktcode: 199543
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 37655 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.32 EUR
50+1.75 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.3 EUR
135+1.27 EUR
160+1.05 EUR
250+1.02 EUR
500+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 121359 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.58 EUR
10+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.15 EUR
3000+0.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayMOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
9000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.52 EUR
134+1.25 EUR
135+1.2 EUR
160+0.98 EUR
250+0.93 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.44 EUR
18000+1.3 EUR
27000+1.18 EUR
36000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -25A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Power dissipation: 0.94W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
115+1.87 EUR
500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 331 Stücke:
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SI7465DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
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10+2.14 EUR
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SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7465DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7465DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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77+3.27 EUR
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SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7465DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7465DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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3000+0.98 EUR
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SI7465DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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3000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Si7469ADPVishayMOSFET
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Si7469ADPVishayTrans MOSFET P-CH 80V 7.4A 8-Pin PowerPAK Транзистори
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SI7469ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK P CHAN 80V
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10+2.81 EUR
100+2.24 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.81 EUR
6000+1.44 EUR
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SI7469ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 7.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SI7469ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0161 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 73.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7469ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7469ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7469ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 46 A, 0.0161 ohm, PowerSO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 46
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 73.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 73.5
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0161
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0161
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7469ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 40 V
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.09 EUR
10+3.28 EUR
100+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7469DPVISHAY09+
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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