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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
auf Bestellung 5748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2899+0.06 EUR
3258+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 2899 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 96185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92 Formed
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 50...200
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.36 EUR
397+0.21 EUR
624+0.13 EUR
721+0.12 EUR
884+0.096 EUR
1042+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 9590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3258+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.11 EUR
4000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 113792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5275+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2218+0.077 EUR
6000+0.074 EUR
10000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550_J24ZonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551FUXINSEMITransistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551UTCNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 12701 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.39 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551NXP/Nexperia/We-EnТранзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
179+0.12 EUR
294+0.071 EUR
500+0.051 EUR
1000+0.045 EUR
2000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551
Produktcode: 193606
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HottechTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Montage: THT
auf Bestellung: 854 St.
  • 854 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551SLKORTransistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551HOTTECH2N5551 NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
Current gain: 30...250
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.043 EUR
2425+0.036 EUR
2725+0.031 EUR
3000+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551ONS/FAINPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551DIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1031+0.23 EUR
1316+0.17 EUR
1645+0.13 EUR
1898+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
auf Bestellung 3721 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+1.96 EUR
50+1.01 EUR
100+0.52 EUR
250+0.24 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.098 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RectronBipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551MICNPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551ONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 6434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.045 EUR
4673+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 47 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Lumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
197+0.11 EUR
334+0.063 EUR
500+0.049 EUR
1000+0.039 EUR
2000+0.036 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551
Produktcode: 175303
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FairTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.098 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 23321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.067 EUR
4000+0.058 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551----NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 6419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
667+0.13 EUR
1117+0.076 EUR
1651+0.051 EUR
1938+0.044 EUR
4000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551On SemiconductorNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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863+0.27 EUR
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2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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2N5551GOODWORKDescription: SOT-23
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2N5551onsemiBipolar Transistors - BJT
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2N5551Diotec2N5551 NPN, Bipolar, Uce=180V, Ic=600mA, P=625mW, TO92, Ammo Pack Транзистори
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2N5551DC ComponentsТранзистори
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2N5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31024
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DIOTEC SEMICONDUCTORTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 33 St.
  • 33 St. - stock Köln
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2N5551 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5551 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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2N5551 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 APP TIN/LEADCentral SemiconductorThrough-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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2N5551 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N5551 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
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2N5551 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH
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2N5551 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
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2N5551 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2+3.14 EUR
10+1.98 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.8 EUR
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2N5551 TIN/LEADCentral Semiconductor2N5551 TIN/LEAD
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2N5551 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5551 TRA PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5551 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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2N5551 TRE PBFREECentral Semiconductor2N5551 TRE PBFREE
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2N5551 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5551 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5551 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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2N5551,116NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-92-3
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2N5551,116Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N5551,412NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-92-3
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2N5551-(TO-92)KLS2N5551-(TO-92) 2N5551 NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
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2N5551-AMCC Corp.Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V, TO-92-3 Транзистори
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2N5551-APDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N5551-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551-TRectronBipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
auf Bestellung 6140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.61 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2N5551-YONS/FAIТранзистори
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2N5551-Y (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1459
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PhilipsTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.039 EUR
10000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-Y_NLFSC08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5551. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551/MMBT555107+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N55512N5401
Produktcode: 113018
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N55512N5401FAIRCHILD
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551AInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551AMOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5551BUFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=160V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1064+0.17 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 1064 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 24557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
410+0.42 EUR
693+0.24 EUR
1080+0.14 EUR
1467+0.1 EUR
1856+0.08 EUR
2000+0.075 EUR
5000+0.063 EUR
10000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 410 Stücke
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