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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2218+0.08 EUR
6000+0.075 EUR
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 2218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 113792 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5275+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5550_J24ZonsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551GOODWORKDescription: SOT-23
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551MICNPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551ONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorТранзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 180, Ic = 600 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 80/125 @ 10 мА, Icutoff-max = 50 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 47 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551LUGUANG ELECTRONICCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.2A TO-92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 9955 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.07 EUR
2802+0.062 EUR
4000+0.054 EUR
8000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.06 EUR
8000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551
Produktcode: 193606
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HottechTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Montage: THT
auf Bestellung: 1437 St.
  • 1437 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551JSMicro SemiconductorTransistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551----NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551On SemiconductorNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625/15W
Case: TO92
Current gain: 30...250
Mounting: THT
Frequency: 100...300MHz
auf Bestellung 4350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1975+0.044 EUR
2400+0.036 EUR
2700+0.032 EUR
2950+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 1975 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 160V 625MW 80@10MA,5V 600MA NPN
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
176+0.12 EUR
288+0.073 EUR
500+0.052 EUR
1000+0.045 EUR
2000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551RectronBipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec2N5551 NPN, Bipolar, Uce=180V, Ic=600mA, P=625mW, TO92, Ammo Pack Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551DC ComponentsТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551onsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk
auf Bestellung 13113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
109+0.19 EUR
177+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.075 EUR
2000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
auf Bestellung 27263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
19+0.18 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
4000+0.082 EUR
8000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551FUXINSEMITransistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 TO92 NPN 180V 600mA 625m T2N5551 FUX
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551UTCNPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551NXP/Nexperia/We-EnТранзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 9855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
893+0.095 EUR
1356+0.063 EUR
1786+0.048 EUR
2000+0.043 EUR
2243+0.038 EUR
4000+0.033 EUR
8000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551Lumimax Optoelectronic TechnologyDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 4742 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
112+0.19 EUR
193+0.11 EUR
327+0.064 EUR
500+0.05 EUR
1000+0.04 EUR
2000+0.037 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551
Produktcode: 175303
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FairTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 А
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.098 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551onsemiBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551SLKORTransistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551HOTTECH2N5551 NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551ONS/FAINPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: NO
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
550+0.45 EUR
878+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 550 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 31024
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
DIOTEC SEMICONDUCTORTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 33 St.
  • 33 St. - stock Köln
auf Bestellung: 662 St.
  • 662 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.079 EUR
10+0.058 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.039 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 APM PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92-3
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 APM TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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2N5551 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551 APP PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 APP TIN/LEADCentral SemiconductorThrough-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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2N5551 APP TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.14 EUR
100+1.42 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.74 EUR
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2N5551 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box
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2N5551 T/RNXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH
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2N5551 TIN/LEADCentral Semiconductor2N5551 TIN/LEAD
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2N5551 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.14 EUR
10+1.98 EUR
100+1.32 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.87 EUR
5000+0.8 EUR
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2N5551 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.01 EUR
100+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2N5551 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551 TRA PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 TRA PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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2N5551 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
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2N5551 TRA TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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2N5551 TRE PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 TRE PBFREECentral Semiconductor2N5551 TRE PBFREE
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2N5551 TRE TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: 160V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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2N5551 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
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2N5551,116Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N5551,116NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 630 mW
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2N5551,412NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 160V 0.3A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 630 mW
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2N5551-(TO-92)KLS2N5551-(TO-92) 2N5551 NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 Транзистори
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2N5551-AMCC Corp.Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V, TO-92-3 Транзистори
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2N5551-APDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N5551-APMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-BPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-TRectronBipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
auf Bestellung 6156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.81 EUR
10+0.61 EUR
100+0.35 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-YONS/FAIТранзистори
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2N5551-Y (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 1459
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
PhilipsTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 300 MHz
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 160 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 180 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,6 A
Stromverstärkung h21: 250
Montage: THT
verfügbar: 120 St.
  • 120 St. - stock Köln
1+0.079 EUR
10+0.055 EUR
100+0.039 EUR
10000+0.036 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551-Y_NLFSC08+;
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5551. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551/MMBT555107+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N55512N5401FAIRCHILD
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N55512N5401
Produktcode: 113018
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551AMOTOROLA
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551AInfineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
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2N5551BUonsemiDescription: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
auf Bestellung 405025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
67+0.31 EUR
107+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
5000+0.098 EUR
10000+0.088 EUR
50000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.42 EUR
705+0.24 EUR
1099+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 25762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
672+0.35 EUR
1229+0.18 EUR
1670+0.13 EUR
1832+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUONS/FAIBipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1961+0.089 EUR
5000+0.08 EUR
10000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1961 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
auf Bestellung 25507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+0.43 EUR
691+0.25 EUR
1079+0.15 EUR
1465+0.11 EUR
1852+0.081 EUR
2000+0.077 EUR
5000+0.064 EUR
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUFairchild/ON SemiconductorТранзистор NPN (Uce=160V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N5551BUonsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N5551BUONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 80...250
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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2N5551BU.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5551BU. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
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