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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS2672onsemi / FairchildMOSFETs 200V N-Ch UltraFET
auf Bestellung 1197 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.57 EUR
10+3.8 EUR
100+2.78 EUR
500+2.56 EUR
3000+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 200V 3.7A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2672onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.68 EUR
100+2.67 EUR
500+2.21 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
10+7.9 EUR
100+5.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734FAIRCHILD
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+7.88 EUR
100+6.28 EUR
500+5.74 EUR
1000+5.45 EUR
3000+4.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A/14A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2365 pF @ 100 V
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS2734 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 2.5 A, 0.122 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.57 EUR
27+8.77 EUR
100+6.47 EUR
500+5.44 EUR
1000+5.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734ONS/FAIMOSFET N-CH 250V 2.8A/14A MLP-8 (5x6) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2734ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 250V 2.8A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D4N03SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.98 EUR
181+0.93 EUR
184+0.88 EUR
187+0.83 EUR
190+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D4N03SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D4N03SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+0.96 EUR
184+0.94 EUR
187+0.9 EUR
190+0.87 EUR
250+0.84 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D4N03SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D4N03SON Semiconductor / FairchildMOSFET PT9 30V/16V NCH ERTREN MO
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08Consemi / FairchildMOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+4.13 EUR
100+3.01 EUR
500+2.98 EUR
1000+2.89 EUR
3000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08CONN
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08ConsemiMOSFETs PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
auf Bestellung 1449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.94 EUR
10+5.24 EUR
100+3.69 EUR
500+3.12 EUR
1000+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS2D5N08ConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 166A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.85 EUR
10+5.16 EUR
100+3.64 EUR
500+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3006SDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3006SDC - FDMS3006SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3006SDConsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5725 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Dual Cool™56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
210+3 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3006SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 2745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3008SDCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3008SDC - FDMS3008SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3008SDCFairchild SemiconductorDescription: 29A, 30V, 0.0026OHM, N-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Dual Cool™56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 7828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
232+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3008SDCON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3008SDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3008SDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3008SDConsemiMOSFETs 30V N-Chan Dual Cool PowerTrench SyncFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3008SDCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 29A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2104 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3016DCON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3016DCON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel Dual Cool PwrTrench
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3016DCON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500Fairchild
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500onsemi / FairchildMOSFETs 75V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.36 EUR
100+2.39 EUR
250+2.37 EUR
500+1.9 EUR
1000+1.82 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.58 EUR
161+1.05 EUR
162+1 EUR
163+0.95 EUR
180+0.83 EUR
250+0.79 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
10+3.42 EUR
100+2.71 EUR
500+2.3 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 75V 9.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
161+1.08 EUR
162+1.06 EUR
163+1.02 EUR
180+0.92 EUR
250+0.89 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 161 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3500onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4765 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6063 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.15 EUR
10+3.8 EUR
100+2.95 EUR
250+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9710 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.57 EUR
58+4.06 EUR
100+2.92 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 40 V
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.09 EUR
100+2.86 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572onsemiMOSFETs 80V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.83 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.48 EUR
3000+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; 78W; WDFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 78W
Drain current: 22A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Case: WDFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3572ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 8.8A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600ASonsemi / FairchildMOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
auf Bestellung 2975 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600SON SemiconductorFDMS3600S ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 15A/30A 8-Pin Power 56 T/R Si - Arrow.com
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+1.95 EUR
91+1.84 EUR
93+1.75 EUR
94+1.65 EUR
100+1.57 EUR
250+1.48 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.31 EUR
100+2.38 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.55 EUR
10+3.77 EUR
100+3 EUR
250+2.76 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.2 EUR
3000+1.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600S
Produktcode: 112021
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602ASON Semiconductor / FairchildMOSFET PowerTrench Power Stage Asymmetric Dual N-Channel MOSFET
auf Bestellung 2430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
auf Bestellung 1474 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
182+1.25 EUR
250+1.23 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 182 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602ASFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770pF @ 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 2.2W, 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
auf Bestellung 14975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
318+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 318 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 15A/26A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
176+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602Sonsemi / FairchildMOSFET 25V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+4.38 EUR
25+4.14 EUR
100+3.53 EUR
250+3.36 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 26A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3602S-PonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 15A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc), 26A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 13V, 4120pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, 64nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604ASonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 766 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
230+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 230 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604S
Produktcode: 205110
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604Sonsemi / FairchildMOSFETs PowerTrench Power Stage
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.71 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.09 EUR
3000+1.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/40A; Idm: 40÷100A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/40A
Pulsed drain current: 40...100A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 10.8/4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29/66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Semiconductor structure: asymmetric
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13A/23A 8-Pin Power 56 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604SonsemiMOSFETs PowerTrench Power Stage
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3604SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 3719 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.92 EUR
10+2.5 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606ASON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Asymtrc Dual NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3606AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606ASonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1695pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A, 27A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606Sonsemi / FairchildMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.67 EUR
10+2.23 EUR
100+1.8 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.34 EUR
3000+1.26 EUR
6000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3606SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS36101L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 100V 26 MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS36101L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 38A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS36101L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 38A POWER56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3945 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3610SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 25V 17.5/30A PWR56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3610SON Semiconductor / FairchildMOSFET Gaming/DT/Notebook NVDC/Server
auf Bestellung 2801 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3615SFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 475 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3615SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 16A/18A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 4888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
107+1.57 EUR
132+1.23 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.83 EUR
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3615SON Semiconductor / FairchildMOSFET DUAL N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3615SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS3615S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
526+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 526 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS3615SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 25V 16A/18A 8-Pin Power 56 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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