Produkte > IXT

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 34  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTP60N020TIXYSDescription: MOSFET N-CH TO220AB
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP60N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 60A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0148
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TIXYSMOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+3.64 EUR
100+3.01 EUR
500+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Power dissipation: 176W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 59ns
Mounting: THT
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.46 EUR
22+3.95 EUR
26+3.28 EUR
50+2.53 EUR
100+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.59 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.62 EUR
50+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
Mounting: THT
auf Bestellung 192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.72 EUR
11+8.08 EUR
25+6.58 EUR
50+5.45 EUR
100+5.33 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+7.34 EUR
25+6.93 EUR
50+6.52 EUR
100+6.15 EUR
250+5.88 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.4 EUR
50+7.19 EUR
100+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20TIXYSMOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.71 EUR
10+8.07 EUR
100+7.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
auf Bestellung 666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.68 EUR
50+12.17 EUR
100+11.26 EUR
500+9.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP60N20X4IXYSMOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.13 EUR
10+13.7 EUR
100+12.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15PIXYSMOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.47 EUR
10+8.07 EUR
50+6.83 EUR
100+6.41 EUR
250+5.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.23 EUR
50+7.33 EUR
100+6.28 EUR
500+5.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP64N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP64N055TIXYSMOSFET 64 Amps 55V 13 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP64N055TIXYSMODULE
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP64N10L2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.34 EUR
50+21.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP64N10L2IXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP64N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.49 EUR
13+18.59 EUR
16+14.18 EUR
50+11.2 EUR
100+10.34 EUR
250+10.22 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
auf Bestellung 312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.8 EUR
50+12.27 EUR
100+11.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.42 EUR
10+12.42 EUR
100+11.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+19.69 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
auf Bestellung 1871 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.03 EUR
50+10.15 EUR
100+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.57 EUR
10+13.7 EUR
100+11.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.34 EUR
25+8.81 EUR
50+8.29 EUR
100+7.83 EUR
250+7.49 EUR
500+7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+12.47 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50D2 Transistor
Produktcode: 66796
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50PIXYSMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP70N075T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 70A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP70N075T2IXYSMOSFETs 70 Amps 75V 0.0120 Rds
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+3.8 EUR
100+2.81 EUR
500+2.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP70N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 70A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP72N20TIXYSMOSFETs 72 Amps 200V 33 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 7089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.7 EUR
25+6.74 EUR
26+6.43 EUR
50+5.44 EUR
100+3.94 EUR
1000+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 7089 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.7 EUR
25+6.89 EUR
26+6.68 EUR
50+5.75 EUR
100+4.27 EUR
1000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP75N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP75N10PIXYSMOSFETs 75 Amps 100V 0.025 Rds
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.36 EUR
10+6.81 EUR
100+5.68 EUR
500+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 5684 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.38 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N075TIXYSMOSFETs MOSFET Id76 BVdass75
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TIXYSMOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.19 EUR
10+9.47 EUR
50+8.84 EUR
100+7.47 EUR
250+7.03 EUR
500+6.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.01 EUR
10+11.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TMIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO220
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76N25TMIXYSMOSFET Modules TO220 250V 76A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
auf Bestellung 5642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.06 EUR
50+8.76 EUR
100+8.06 EUR
500+6.82 EUR
1000+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TIXYSMOSFETs TO220 100V 76A P-CH TRENCH
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.52 EUR
10+10.97 EUR
50+6.51 EUR
100+6.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.66 EUR
50+7.58 EUR
100+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP76P10T - MOSFET, P-CH, 100V, 76A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.69 EUR
50+7.44 EUR
100+6.31 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PIXYSMOSFET 1.1 Ohms Rds
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP7N60PMIXYSMOSFET 7 Amps 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2IXYSMOSFETs TO220 N-CH 75V 80A
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.86 EUR
10+12.51 EUR
100+11 EUR
500+9.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP80N075L2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe LinearL2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.31 EUR
18+13.21 EUR
21+10.41 EUR
50+8.62 EUR
100+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+14.72 EUR
14+13.08 EUR
50+12.21 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 281 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.49 EUR
50+8.5 EUR
100+7.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.06 EUR
20+4.28 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TLittelfuseMOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
auf Bestellung 10699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.59 EUR
50+4.97 EUR
100+4.53 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.5 EUR
2000+3.28 EUR
5000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIXYSMOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+4.9 EUR
100+4.3 EUR
500+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+11.09 EUR
25+9.65 EUR
100+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T
Produktcode: 46876
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 25 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N12T2IXYSMOSFETs TO220 120V 80A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
auf Bestellung 346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.91 EUR
50+6.81 EUR
100+6.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20TIXYSMOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
auf Bestellung 704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.68 EUR
10+7.94 EUR
100+7.27 EUR
500+6.78 EUR
1000+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP86N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 86 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.31 EUR
15+14.76 EUR
50+14.29 EUR
100+13.2 EUR
250+12.94 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4IXYSMOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
auf Bestellung 674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.35 EUR
10+14.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP86N20X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PIXYSMOSFET POWER MOSFET N-CHANNEL 500V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PMIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4A TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N50PMIXYSMOSFET 4.6 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+3.27 EUR
100+2.48 EUR
500+2.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO220
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2MLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
50+3.84 EUR
100+3.3 EUR
500+2.37 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP8N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 34  [ Nächste Seite >> ]