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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STW9NB90
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NC70Z
auf Bestellung 3458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NC80Z
auf Bestellung 3459 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NC80ZSTMicroelectronicsMOSFET TO-247
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK60Z
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK70
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK70ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 700V 7.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK70Z
auf Bestellung 26600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK70ZSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 700V 1 OHM 7.5A Zener SuperMESH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK70Z
Produktcode: 172311
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.24 EUR
24+3.61 EUR
25+3.47 EUR
30+3.4 EUR
90+3.03 EUR
120+2.92 EUR
150+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90Z
Produktcode: 48680
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2115/72
Montage: THT
auf Bestellung: 34 St.
  • 34 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+6.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9408 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.71 EUR
38+4.65 EUR
100+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTN-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW9NK90Z TSTW9NK90z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.12 EUR
30+5.68 EUR
120+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 9413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.74 EUR
38+4.57 EUR
100+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTMMOSFET N-CH 900V 8A TO-247 Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 8 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 672 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.85 EUR
10+7.77 EUR
100+5.71 EUR
600+5.09 EUR
1200+4.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK95Z
Produktcode: 132810
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK95Z
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK95ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
auf Bestellung 613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.19 EUR
30+3.94 EUR
120+3.22 EUR
510+2.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK95ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW9NK95Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 7 A, 1.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
53+4.39 EUR
100+2.84 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK95ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+3.96 EUR
100+2.78 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9NK95ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+2.28 EUR
1020+2.19 EUR
1200+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14BSeoul Semiconductor Inc.Description: LED WHITE SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-EASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White MID PWR NEUTRL WHITE CRI-80 4000
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-FASeoul Semiconductor Inc.Description: LED ACRICH WARM WHT 3500K 5630
Flux @ 25°C, Current - Test: 33lm (32lm ~ 34lm)
CRI (Color Rendering Index): 90
CCT (K): 3500K (3200K ~ 3700K)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Lumens/Watt @ Current - Test: 105 lm/W
Supplier Device Package: 5630
Current - Max: 160mA
Viewing Angle: 120°
Current - Test: 100mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.15V
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Color: White, Warm
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-FASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White MID PWR WARM WHITE CRI-80 3500
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-GASeoul Semiconductor Inc.Description: LED ACRICH WARM WHT 3000K 5630
Flux @ 25°C, Current - Test: 33lm (32lm ~ 34lm)
CRI (Color Rendering Index): 90
CCT (K): 3000K (2900K ~ 3200K)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Lumens/Watt @ Current - Test: 105 lm/W
Supplier Device Package: 5630
Current - Max: 160mA
Part Status: Active
Color: White, Warm
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Viewing Angle: 120°
Current - Test: 100mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.15V
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-GASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White MID PWR WARM WHITE CRI-80 3000
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-GASeoul Semiconductor Inc.Description: LED ACRICH WARM WHT 3000K 5630
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.15V
Current - Test: 100mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 160mA
Supplier Device Package: 5630
Lumens/Watt @ Current - Test: 105 lm/W
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
CCT (K): 3000K (2900K ~ 3200K)
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 33lm (32lm ~ 34lm)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-HASeoul Semiconductor Inc.Description: LED ACRICH WARM WHT 2700K 5630
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.15V
Current - Test: 100mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 160mA
Supplier Device Package: 5630
Lumens/Watt @ Current - Test: 105 lm/W
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
CCT (K): 2700K (2600K ~ 2900K)
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 33lm (32lm ~ 34lm)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-HASeoul Semiconductor Inc.Description: LED ACRICH WARM WHT 2700K 5630
Packaging: Tape & Reel (TR)
Flux @ 25°C, Current - Test: 33lm (32lm ~ 34lm)
CRI (Color Rendering Index): 90
CCT (K): 2700K (2600K ~ 2900K)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Lumens/Watt @ Current - Test: 105 lm/W
Supplier Device Package: 5630
Current - Max: 160mA
Viewing Angle: 120°
Current - Test: 100mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.15V
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Color: White, Warm
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U0-HASeoul SemiconductorHigh Power LEDs - White MID PWR WARM WHITE CRI-90 2700
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U7-EASeoul Semiconductor Inc.Description: LED ACRICH NEUT WHT 4000K 5630
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Color: White, Neutral
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.15V
Current - Test: 100mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 160mA
Supplier Device Package: 5630
Lumens/Watt @ Current - Test: 98 lm/W
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
CCT (K): 4000K (3700K ~ 4200K)
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 31lm (Typ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 21000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U7-EASeoul Semiconductor Inc.Description: LED ACRICH NEUT WHT 4000K 5630
CRI (Color Rendering Index): 90
CCT (K): 4000K (3700K ~ 4200K)
Height - Seated (Max): 0.037" (0.95mm)
Lumens/Watt @ Current - Test: 98 lm/W
Supplier Device Package: 5630
Current - Max: 160mA
Viewing Angle: 120°
Current - Test: 100mA
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3.15V
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Color: White, Neutral
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Flux @ 25°C, Current - Test: 31lm (Typ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14C-T0U7-GASeoul SemiconductorLED Lighting Modules MID PWR WARM WHITE CRI-80 3000
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14DSeoul Semiconductor Inc.Description: LED WHITE SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Color: White
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.7V
Current - Test: 65mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 200mA
Supplier Device Package: 5630
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
CRI (Color Rendering Index): 90
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14D(DISTY)Seoul Semiconductor Inc.Description: LED WHITE SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Color: White
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.7V
Current - Test: 65mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 200mA
Supplier Device Package: 5630
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
CRI (Color Rendering Index): 90
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14D-E3Seoul Semiconductor Inc.Description: LED WHITE SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Color: White
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.78V
Current - Test: 65mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 200mA
Supplier Device Package: 5630
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
CRI (Color Rendering Index): 90
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14D-E3 (S0G22Y1)Seoul Semiconductor CO., LTD.5630D 3V / 3000-3100K(=WW) / 28.1-29.6lm@65mA@2,7-2,8V (при Tj=25C) / Max=200mA@0,52W / CRI=90 / 120deg Світлодіоди PLCC
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14D-E3 (S0G22Y1)Seoul Semiconductor CO., LTD.5630D 3V / 3000-3100K(=WW) / 28.1-29.6lm@65mA@2,7-2,8V (при Tj=25C) / Max=200mA@0,52W / CRI=90 / 120deg Світлодіоди та світлодіодні модулі
Anzahl je Verpackung: 4500 Stücke
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STW9Q14D-E3(DISTY)Seoul Semiconductor Inc.Description: LED WHITE SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Color: White
Size / Dimension: 0.205" L x 0.118" W (5.20mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.78V
Current - Test: 65mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 200mA
Supplier Device Package: 5630
Height - Seated (Max): 0.033" (0.85mm)
CRI (Color Rendering Index): 90
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA12N120K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 long leads
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA12N120K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
auf Bestellung 573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.1 EUR
30+11.52 EUR
120+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA20N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA20N95DK5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 950 V, 275 mOhm typ 18 A MDmesh DK5 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA20N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.3 EUR
30+8.29 EUR
120+6.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA20N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
auf Bestellung 599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.74 EUR
10+8.84 EUR
100+6.41 EUR
600+6.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA20N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
600+6.06 EUR
Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA30N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.61 EUR
30+7.85 EUR
120+6.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA30N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.09 EUR
10+7.85 EUR
100+6.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA32N65DM6AGSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA32N65DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 37 A, 0.083 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 320W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.87 EUR
14+17.39 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA32N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2211 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA32N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA35N65DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.093 Ohm typ 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA35N65DM2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA35N65DM2STMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±25V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA38N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2805 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 21A, 10V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA38N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 68 mOhm typ., 42 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.96 EUR
10+8.72 EUR
50+6.91 EUR
100+6.33 EUR
500+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 78 mOhm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247 long leads
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N90K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA40N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 40 A, 0.088 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 40A TO247
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N90K5STMicroelectronicsMOSFET N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ 38 A MDmesh K5 Power MOSFET
auf Bestellung 1198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.34 EUR
10+19.9 EUR
25+19.67 EUR
100+19.46 EUR
600+19.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95DK5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 100 V
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.96 EUR
30+19.69 EUR
120+17.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95DK5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 122-126 Tag (e)
1+29.55 EUR
10+28.8 EUR
25+19.12 EUR
50+19.08 EUR
100+17.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95K5STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 583 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95K5
Produktcode: 180858
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA40N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N60DM2AGSTMicroelectronicsDescription: PTD HIGH VOLTAGE
Packaging: Tube
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.067 Ohm 35 A MDmesh(TM)
auf Bestellung 601 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.95 EUR
10+10.26 EUR
100+9.23 EUR
600+9.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STWA45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.17 EUR
15+15.71 EUR
18+12.32 EUR
50+11.19 EUR
100+10.26 EUR
250+9.47 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA45N65M5STMicroelectronics
auf Bestellung 596 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA46N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3344 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA46N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 55 mOhm typ., 50 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60DM2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
auf Bestellung 381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.52 EUR
10+12.71 EUR
100+9.57 EUR
600+8.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.37 EUR
10+10.83 EUR
100+8.76 EUR
600+7.38 EUR
1200+6.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STWA48N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STWA48N60M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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STWA48N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STWA48N60M6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STWA48N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.56 EUR
10+13.83 EUR
100+11.52 EUR
600+10.26 EUR
1200+9.59 EUR
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STWA50N65DM2AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 38A TO247
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STWA50N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STWA57N65M5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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STWA57N65M5STMicroelectronics
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STWA57N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
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STWA57N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
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 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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STWA58N65DM2AGSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 600 Stücke
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