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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2SD1805TSANYO
auf Bestellung 12730 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1805T-TLSANYO07+
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SD1806
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SD1807
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SD1808A
auf Bestellung 13000 Stücke:
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2SD1809
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2SD181TOS/HIT98+ TO-3
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SD1810
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SD1813
auf Bestellung 9800 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1814
auf Bestellung 9800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2SD1815onsemi BIP NPN 3A 100V
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2SD1815-Q-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815-R-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D-Pak
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815-S-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815-T-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1815S-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A-TO251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 77900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1815S-H - 2SD1815S-H, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
626+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 626 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 202 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.92 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 298900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
100000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
700+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-ESANYO08+ TO-252
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815S-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1815T-E - 2SD1815T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 15538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 15528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
524+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 41990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
547+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 547 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
auf Bestellung 1846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-TL-ESANYOSOT-252
auf Bestellung 22400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815T-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815TR-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 20W; DPAK; automotive industry
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Power dissipation: 20W
Collector-emitter voltage: 100V
Current gain: 200...400
Frequency: 180MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815TR-AQDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, DPAK, 100V, 3000mA, NPN, AEC-Q101
auf Bestellung 1613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.43 EUR
10+0.37 EUR
2500+0.35 EUR
5000+0.33 EUR
25000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1815TR-AQDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 20 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2289 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
57+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816SanyoNPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816onsemi BIP NPN 4A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816SANYO
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2SD1816S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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2SD1816S-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
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2SD1816S-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
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2SD1816S-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
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2SD1816S-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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2SD1816S-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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2SD1816S-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
auf Bestellung 20 Stücke:
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2+2.83 EUR
10+1.74 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SD1816S-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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2SD1816S-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 41000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
721+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 721 Stücke
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2SD1816S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.52 EUR
700+1.21 EUR
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2SD1816S-TL-ESanyo ElectricTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 662 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+1.51 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
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2SD1816S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+0.67 EUR
1400+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SD1816S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+1.51 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
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2SD1816S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 611600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SD1816S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 41800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
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2SD1816S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SD1816S-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.23 EUR
100+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2SD1816S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 569100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+1.51 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.21 EUR
10000+1.06 EUR
100000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
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2SD1816S-TL-EXonsemiDescription: 4A, 100V, NPN, TO-252
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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2SD1816S-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
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2SD1816S-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1816S-TL-H - TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, 20W, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 222122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
700+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SD1816S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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2SD1816S-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 221422 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
721+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 721 Stücke
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2SD1816S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7622 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 55600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816S-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
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2SD1816S-TL-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.74 EUR
100+1.14 EUR
700+0.9 EUR
1400+0.77 EUR
2100+0.65 EUR
4900+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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2SD1816S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
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2SD1816S-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 149800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
833+0.8 EUR
1000+0.73 EUR
10000+0.63 EUR
100000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 833 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816S-TL-HQONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1816S-TL-HQ - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 102798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1400+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816S-TL-HQonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A DPAK/TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 102798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
607+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 607 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1816T-E - 2SD1816T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL
auf Bestellung 3780 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL-ESANYO04+ TO-252
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.59 EUR
116+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1816T-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
516+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 516 Stücke
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2SD1816T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1816T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.45 EUR
90+2.59 EUR
116+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
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2SD1816T-TL-HonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.47 EUR
10+2.23 EUR
100+1.49 EUR
700+1.06 EUR
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2SD1816T-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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2SD1816T-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 100V 4A TP-FA
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
700+1.05 EUR
1400+0.96 EUR
2100+0.92 EUR
3500+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 700 Stücke
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