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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7540ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540ADP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0115ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0115ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 121057 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
69+3.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.46 EUR
5000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 12A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 16112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.87 EUR
104+1.56 EUR
112+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.07 EUR
3000+1.06 EUR
6000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 12A/9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 7236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.37 EUR
100+2.12 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
3000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DPVishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DPVISHAY09+
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1Vishay728
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDual MOSFETs N-and P-CHANNEL 30V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7540DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7540DP-T1-GE3 - MOSFET, N & P CHANNEL, 12V, 7.6A, POWERP
SVHC: To Be Advised
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7600JAPAN
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7601DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7601DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7606DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GEVishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 39479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.2 EUR
63+3.69 EUR
100+2.33 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.71 EUR
5000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.33 EUR
9000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.21 EUR
6000+1.13 EUR
9000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 14606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+2.68 EUR
100+1.96 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.55 EUR
3000+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.48 EUR
6000+1.33 EUR
12000+1.21 EUR
18000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.44 EUR
6000+1.4 EUR
9000+1.36 EUR
15000+1.32 EUR
24000+1.29 EUR
30000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7611DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
102+2.12 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.38 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7611DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 20 V
auf Bestellung 31966 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.98 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
214+0.81 EUR
215+0.8 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 9754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.59 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.86 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
auf Bestellung 25485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
50+1.46 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
170+1.02 EUR
186+0.9 EUR
187+0.87 EUR
188+0.83 EUR
213+0.7 EUR
250+0.67 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 170 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2620 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.82 EUR
9000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7613DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 17A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
193+0.89 EUR
194+0.87 EUR
217+0.76 EUR
250+0.74 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+1.15 EUR
176+0.98 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VishayTranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 8478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.62 EUR
148+1.57 EUR
167+1.29 EUR
500+1 EUR
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 18745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.05 EUR
195+0.88 EUR
224+0.75 EUR
500+0.58 EUR
3000+0.5 EUR
9000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 183nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1584 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
auf Bestellung 94177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
14+1.56 EUR
50+1.15 EUR
100+1.02 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3
Produktcode: 144688
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4400 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
auf Bestellung 8478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
148+1.57 EUR
167+1.29 EUR
500+1 EUR
1500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
147+1.18 EUR
169+1 EUR
200+0.82 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 16265 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.17 EUR
100+1.04 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3SiliconixTranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.63 EUR
9000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
147+1.15 EUR
169+0.96 EUR
200+0.77 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 18758 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
130+1.34 EUR
168+1 EUR
195+0.83 EUR
225+0.69 EUR
500+0.54 EUR
3000+0.44 EUR
9000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 29A 8-Pin PowerPAK 1212-PT EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615CDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
auf Bestellung 52538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615CDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 12599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.17 EUR
10+0.92 EUR
100+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615CDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 10 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
9000+0.43 EUR
15000+0.4 EUR
21000+0.39 EUR
30000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615CDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.68 EUR
50+2.02 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 35A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
77+3.02 EUR
101+2.14 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2219 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.77 EUR
105+1.64 EUR
120+1.4 EUR
200+1.31 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.15 EUR
2000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7615DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+2.14 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7615DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI76
auf Bestellung 7806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
auf Bestellung 63448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.73 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 36243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.69 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
auf Bestellung 6795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.9 EUR
102+2.28 EUR
151+1.43 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.71 EUR
9000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 5169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7617DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
auf Bestellung 6795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+3.9 EUR
102+2.28 EUR
151+1.43 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
5000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 91591 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 31475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.46 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
auf Bestellung 12036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
191+1.21 EUR
215+1 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.6 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.52 EUR
15000+0.5 EUR
21000+0.49 EUR
30000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
249+0.69 EUR
303+0.56 EUR
372+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7619DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 24 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 14909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.69 EUR
184+1.26 EUR
250+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7619DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+0.8 EUR
233+0.73 EUR
237+0.68 EUR
278+0.56 EUR
372+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7620DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7620DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7621DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7621DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.67 EUR
114+1.48 EUR
115+1.4 EUR
116+1.34 EUR
129+1.15 EUR
250+1.11 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5460 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.32 EUR
10+2.76 EUR
50+2.09 EUR
100+1.88 EUR
500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.08 EUR
85+2.03 EUR
86+1.96 EUR
106+1.56 EUR
250+1.51 EUR
500+1.26 EUR
1000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+2.32 EUR
100+1.86 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7623DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -35A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 52W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3
Produktcode: 49737
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7625DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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