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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTQ18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60PIXYSMOSFETs 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N06PIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO3P
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 400A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10TIXYSMOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.09 EUR
10+12.73 EUR
30+12.48 EUR
120+10.53 EUR
270+10.42 EUR
510+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.05 EUR
10+13.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T
Produktcode: 103720
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PIXYSMOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.18 EUR
10+8.59 EUR
120+7.2 EUR
510+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P
Produktcode: 188888
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.48 EUR
30+7.16 EUR
120+5.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.74 EUR
18+13.02 EUR
21+10.52 EUR
50+9.04 EUR
100+8.27 EUR
250+7.69 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60PIXYSMOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.95 EUR
10+10.58 EUR
120+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 882 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.1 EUR
30+8.81 EUR
120+7.43 EUR
510+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 230A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ23N60QIXYSMOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ24N55QIXYSMOSFETs 24 Amps 550V 0.270 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.16 EUR
30+8.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50PMOSFET N-CH 500V 26A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.82 EUR
10+8.27 EUR
120+7.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50P
Produktcode: 94734
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.89 EUR
12+7.56 EUR
30+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.29 EUR
30+8.94 EUR
120+7.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.1 EUR
10+13.04 EUR
120+10.75 EUR
510+9.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 280A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ28N15PIXYSMOSFET MOSFET Polar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ28N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50LIXYSMOSFETs 30 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTQ30N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
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IXTQ30N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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IXTQ30N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8100 pF @ 25 V
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+16.35 EUR
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IXTQ30N50PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
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IXTQ30N50P
Produktcode: 76072
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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IXTQ30N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 460W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 710ns
Power dissipation: 540W
Gate charge: 335nC
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60L2IXYSMOSFETs 30 Amps 600V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.28 EUR
10+30.73 EUR
120+26.39 EUR
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IXTQ30N60PIXYSMOSFETs 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
auf Bestellung 1050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.78 EUR
30+14.29 EUR
120+12.22 EUR
510+10.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ30N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Power dissipation: 540W
Gate charge: 82nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2205 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32P20TIXYSMOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ32P20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2MLittelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 34A 650V X2 TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 54nC
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+12.74 EUR
8+11.45 EUR
10+10.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ34N65X2MIXYSMOSFETs TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N20TIXYSMOSFETs 36 Amps 200V 60 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PIXYSMOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.76 EUR
10+6.03 EUR
120+6.01 EUR
510+5.87 EUR
1020+5.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
30+6.37 EUR
120+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N30PТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.33 EUR
30+16.66 EUR
120+14.33 EUR
510+13.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 276 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+24.09 EUR
10+20.82 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PMOSFET N-CH 500V 36A TO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PIXYSMOSFETs 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.44 EUR
10+16.73 EUR
120+15.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PIXYSMOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.46 EUR
10+10.86 EUR
120+9.2 EUR
510+9.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.22 EUR
30+10.75 EUR
120+9.1 EUR
510+7.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PFP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 1.83A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 73W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ3N150MIXYSMOSFETs TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYSMOSFETs 40 Amps 500V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.88 EUR
30+27.14 EUR
120+23.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ40N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Box
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ42N25PIXYSMOSFETs 42 Amps 250V 0.084 Rds
auf Bestellung 287 Stücke:
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1+13.47 EUR
10+7.75 EUR
120+6.47 EUR
510+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.39 EUR
30+6.49 EUR
120+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50PIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds
auf Bestellung 94 Stücke:
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1+29.11 EUR
10+22.18 EUR
120+16.53 EUR
510+16.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 658W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
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 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.72 EUR
30+8.57 EUR
120+7.22 EUR
510+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTQ450P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ450P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
auf Bestellung 246 Stücke:
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2+15.98 EUR
30+9.31 EUR
120+7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ460P2IXYSMOSFETs PolarP2 Power MOSFET
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
10+8.9 EUR
120+7.66 EUR
510+7.64 EUR
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IXTQ460P2Транзистори
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