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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTQ10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N10PIXYSMOSFETs 110 Amps 100V 0.015 Rds
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.37 EUR
120+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 130ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.27 EUR
30+10.75 EUR
60+9.84 EUR
120+9.09 EUR
510+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO3P
On-state resistance: 16mΩ
Reverse recovery time: 150ns
Mounting: THT
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+12.25 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.22 EUR
10+16.09 EUR
120+12.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYSMOSFETs 120 Amps 200V 0.022 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 331 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.55 EUR
30+18.11 EUR
120+15.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO3P
Reverse recovery time: 180ns
Mounting: THT
Power dissipation: 714W
Gate charge: 152nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 22mΩ
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
auf Bestellung 224 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.83 EUR
10+8.27 EUR
120+6.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.4 EUR
30+7.7 EUR
120+6.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ130N20TIXYSMOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+9.16 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ140N10PTO-3P Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60PIXYSMOSFETs 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 36nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N06PIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 150A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PIXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 714W
Gate charge: 0.19µC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Reverse recovery time: 150ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
auf Bestellung 984 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.25 EUR
30+19.15 EUR
60+17.71 EUR
120+16.49 EUR
510+14.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO3P
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Technology: PolarHT™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50PIXYSMOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.32 EUR
30+7.63 EUR
60+6.95 EUR
120+6.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.91 EUR
10+23.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.41 EUR
30+13.52 EUR
120+11.58 EUR
510+11.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.19 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PIXYSMOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N055TIXYSMOSFET 180 Amps 55V 0.004 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
auf Bestellung 2910 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.87 EUR
30+9.23 EUR
120+7.77 EUR
510+6.7 EUR
1020+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ180N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 480W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60PIXYSMOSFETs 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ18N60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N06PIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 200A TO3P
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 400A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO3P
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.05 EUR
10+13.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10T
Produktcode: 103720
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10TIXYSMOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.09 EUR
10+12.73 EUR
30+12.48 EUR
120+10.53 EUR
270+10.42 EUR
510+9.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ200N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+85.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50P
Produktcode: 188888
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PIXYSMOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.47 EUR
10+7.83 EUR
120+7.2 EUR
510+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
auf Bestellung 228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+9 EUR
11+7.75 EUR
13+7 EUR
30+5.89 EUR
60+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.08 EUR
30+8.72 EUR
60+7.96 EUR
120+7.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 350W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
auf Bestellung 326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.72 EUR
16+14.95 EUR
19+11.57 EUR
50+9.32 EUR
100+8.51 EUR
250+7.93 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60PIXYSMOSFETs 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.95 EUR
10+11.65 EUR
120+9.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
auf Bestellung 782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.27 EUR
30+10.75 EUR
60+9.84 EUR
120+9.09 EUR
510+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 230A TO3P
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IXTQ23N60QIXYSMOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ24N55QIXYSMOSFETs 24 Amps 550V 0.270 Rds
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.27 EUR
30+10.75 EUR
60+9.84 EUR
120+9.09 EUR
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IXTQ26N50PMOSFET N-CH 500V 26A TO-3P Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 163 Stücke:
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11+7.98 EUR
13+6.93 EUR
30+6.84 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IXTQ26N50PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
auf Bestellung 117 Stücke:
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10+10.58 EUR
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IXTQ26N50P
Produktcode: 94734
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; 460W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 460W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26N60PIXYSMOSFETs 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
auf Bestellung 411 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.74 EUR
30+11.06 EUR
60+10.14 EUR
120+9.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+9.89 EUR
12+7.56 EUR
30+6.46 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.46 EUR
10+9.97 EUR
120+9.2 EUR
510+9.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 280A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ28N15PIXYSMOSFET MOSFET Polar
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IXTQ28N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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