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PSMN130-200D,118NexperiaMOSFET N-CH TRENCH 200V 20A
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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PSMN130-200D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
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PSMN130-200D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
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PSMN130-200D,118-NEXNexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
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PSMN130_2COD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN165-200K
auf Bestellung 13161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN165-200K,118NXPТранзистори
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PSMN165-200K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
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PSMN165-200K518NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
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PSMN1R0-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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PSMN1R0-100ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.44 EUR
9+28.52 EUR
10+23.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNexperiaMOSFETs PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
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PSMN1R0-100ASEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 430A 12-Pin CCPAK EP
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.05 EUR
8+30.14 EUR
10+22.87 EUR
50+19.28 EUR
100+19.06 EUR
250+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNexperiaMOSFETs PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
auf Bestellung 1254 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.55 EUR
10+12.1 EUR
100+11.75 EUR
1000+11.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 460A 12-Pin CCPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
auf Bestellung 510 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.99 EUR
10+15.23 EUR
50+12.34 EUR
100+11.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.87 EUR
50+19.28 EUR
100+19.06 EUR
250+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.6 EUR
10+25.55 EUR
12+18.93 EUR
50+15.77 EUR
100+14.65 EUR
250+13.52 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNexperiaMOSFETs PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.55 EUR
10+14.93 EUR
100+11.75 EUR
1000+11.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+24.34 EUR
100+22.78 EUR
500+21.12 EUR
1000+19.5 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+9.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 1040 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
auf Bestellung 973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.55 EUR
12+18.93 EUR
50+15.77 EUR
100+14.65 EUR
250+13.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 460A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100CSFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100CSF/SOT8005A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.91 EUR
10+15.17 EUR
50+12.29 EUR
100+11.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5308 pF @ 12 V
auf Bestellung 5541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.21 EUR
10+3.38 EUR
50+2.57 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 216A; Idm: 1226A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 216A
Pulsed drain current: 1226A
Power dissipation: 160W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R0-25YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.53 EUR
100+1.82 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
9000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.89mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5308 pF @ 12 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLCNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLCNXPMFET, N-CH, 30 V, 100A, 272W, 1.1 mOm, Power SO8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.87 EUR
4500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 70nC
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.74 EUR
200+2.02 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+1.11 EUR
168+0.99 EUR
169+0.94 EUR
250+0.9 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.82 EUR
3000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 162 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1150 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
73+3.18 EUR
79+2.74 EUR
200+2.02 EUR
500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.05 EUR
169+1.02 EUR
250+0.99 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.95 EUR
3000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
auf Bestellung 14117 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.81 EUR
10+3.77 EUR
50+2.89 EUR
100+2.61 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 20203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.62 EUR
100+1.76 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.27 EUR
1500+1.19 EUR
3000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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PSMN1R0-30YLC.115
Produktcode: 173650
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Transistoren > MOSFET N-CH
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PSMN1R0-30YLDNexperiaMOSFETs
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PSMN1R0-30YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
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PSMN1R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs PSMN1R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 1074 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.69 EUR
101+2.12 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.02mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121.35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8598 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.64 EUR
10+2.32 EUR
50+1.75 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 238W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
auf Bestellung 1071 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
85+2.76 EUR
135+1.58 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLDXNXPN-Channel 30V 300A 238W Surface Mount LFPAK-56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 275A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+3.87 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.55 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLEXNexperiaMOSFETs PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.65 EUR
10+2.81 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 275A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-30YLE/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 275A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7389 pF @ 15 V
auf Bestellung 3943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+3.72 EUR
50+2.86 EUR
100+2.57 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 275 A, 940 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 275A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 224W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940ohm
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.7 EUR
27+8.7 EUR
100+5.55 EUR
500+4.41 EUR
1000+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.88 EUR
30+7.77 EUR
100+5.74 EUR
500+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJNexperiaMOSFETs PSMN1R0-40SSH/SOT1235/LFPAK88
auf Bestellung 998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.12 EUR
10+3.61 EUR
100+3.27 EUR
500+2.68 EUR
2000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A
Mounting: SMD
Case: LFPAK88; SOT1235
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 137nC
Polarisation: unipolar
Technology: NextPowerS3
Drain current: 293A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Pulsed drain current: 1659A
Power dissipation: 375W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 325A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 325A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10322 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40SSHJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40SSHJ - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 40 V, 325 A, 880 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 325A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 880µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.88 EUR
30+7.77 EUR
100+5.74 EUR
500+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40ULDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1168A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1168A
Power dissipation: 164W
Case: SOT1023A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLD/1XNexperia USA Inc.Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-40YLD/SOT1023/4 LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-40YLD/SOT1023/4 LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLD/2XNexperiaMOSFETs PSMN1R0-40YLD/SOT1023/4 LEADS
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.49 EUR
4500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 198W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
auf Bestellung 12983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.65 EUR
59+3.96 EUR
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNXPMOSFETs SOT1023 N-CH 40V 280A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R0-40YLD/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.76 EUR
10+3.08 EUR
100+2.12 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 198A; Idm: 1284A; 198W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 1284A
Power dissipation: 198W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.93mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 280A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8845 pF @ 20 V
auf Bestellung 7661 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
10+3.09 EUR
50+2.36 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 280A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 198W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
auf Bestellung 13010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.27 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.7 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YLDX Transistor
Produktcode: 220980
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PSMN1R0-40YSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 290A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-40YSHXNexperiaMOSFETs PSMN1R0-40YSH/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 1362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+4.49 EUR
100+3.42 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.68 EUR
1500+2.67 EUR
3000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH