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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN1R1-30EL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4999 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+4.16 EUR
500+3.9 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30EL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30EL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 3507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+4.16 EUR
500+3.9 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PLNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 338
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.81 EUR
500+5.78 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.18 EUR
16+5.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127NexperiaMOSFET PSMN1R1-30PL/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 3077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.16 EUR
10+6.85 EUR
50+6.83 EUR
100+5.53 EUR
500+4.93 EUR
1000+4.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.0011 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 338
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 338
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.77 EUR
26+8.98 EUR
100+6.81 EUR
500+5.78 EUR
1000+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
auf Bestellung 680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.94 EUR
10+7.27 EUR
50+5.7 EUR
100+5.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+8.45 EUR
100+7.9 EUR
500+7.33 EUR
1000+6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30YLEXNexperiaMOSFETs PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.37 EUR
100+2.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.11 EUR
10+4.59 EUR
100+3.69 EUR
500+3.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R1-30YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6317 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 192W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.26mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 265A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.22 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-30YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-30YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 265 A, 0.00101 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
65+3.62 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 6676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.19 EUR
250+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.99 EUR
62+2.69 EUR
65+2.46 EUR
100+2.37 EUR
250+2.26 EUR
500+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
auf Bestellung 4807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.02 EUR
10+5.27 EUR
50+4.09 EUR
100+3.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-40BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
auf Bestellung 6676 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.79 EUR
28+8.35 EUR
50+7.04 EUR
100+6.19 EUR
250+5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NexperiaMOSFETs PSMN1R1-40BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+5.21 EUR
100+4.02 EUR
500+3.33 EUR
800+3.06 EUR
2400+2.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.89 EUR
2400+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 1320A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1320A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-40BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+2.99 EUR
62+2.69 EUR
100+2.57 EUR
250+2.49 EUR
500+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80ASFJNexperiaMOSFETs PSMN1R1-80ASF/SOT8000A/CCPAK12
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.09 EUR
10+10.97 EUR
100+8.07 EUR
1000+7.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.79 EUR
11+22.47 EUR
12+17.99 EUR
50+14.4 EUR
100+13.2 EUR
250+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.36 EUR
10+11.14 EUR
100+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80ASFJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 80V 385A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1110 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1110µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.79 EUR
11+22.47 EUR
12+17.99 EUR
50+14.4 EUR
100+13.2 EUR
250+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80ASFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 385A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 935W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24627 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 385A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.79 EUR
11+22.47 EUR
12+17.99 EUR
50+14.4 EUR
100+13.2 EUR
250+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80CSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15363 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.071kW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.16mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.36 EUR
10+11.14 EUR
100+8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80CSFJNexperiaMOSFETs PSMN1R1-80CSF/SOT8005A/CCPAK12
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.09 EUR
10+10.97 EUR
100+8.07 EUR
1000+7.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R1-80CSFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R1-80CSFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 385 A, 1160 µohm, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1160µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.79 EUR
11+22.47 EUR
12+17.99 EUR
50+14.4 EUR
100+13.2 EUR
250+12.16 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
83+2.02 EUR
93+1.71 EUR
100+1.58 EUR
250+1.49 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
auf Bestellung 4968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
50+2.73 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R2-25YL/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 4176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.32 EUR
10+3.42 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.62 EUR
1500+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 121W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 121W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115
Produktcode: 83240
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.81 EUR
62+2.69 EUR
75+2.13 EUR
100+1.87 EUR
500+1.51 EUR
1500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 121W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 12 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1708 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
83+2.01 EUR
100+1.68 EUR
250+1.62 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLCNXPN-MOSFET 100A 25V 179W 0.0013Ω PSMN1R2-25YLC TPSMN1r2-25ylc
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC
Produktcode: 131603
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
auf Bestellung 3020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.2 EUR
11+2.03 EUR
50+1.52 EUR
100+1.36 EUR
500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
117+1.84 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
69+1.24 EUR
80+1.07 EUR
100+1.02 EUR
250+0.94 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4173 pF @ 12 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.3 EUR
82+2.83 EUR
117+1.84 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
309+2.09 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 309 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R2-25YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.86 EUR
1500+0.79 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-25YLD - N-CHANNEL 25V, 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.67 EUR
40+5.81 EUR
100+3.32 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
261+2.48 EUR
500+2.2 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 261 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R2-25YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.37 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
1500+1.07 EUR
9000+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
201+0.86 EUR
204+0.81 EUR
207+0.77 EUR
211+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 201 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 205A
Pulsed drain current: 1163A
Power dissipation: 172W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4327 pF @ 12 V
auf Bestellung 2663 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.67 EUR
50+2.01 EUR
100+1.81 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
Verlustleistung: 172W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
auf Bestellung 2657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 230A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.84 EUR
207+0.82 EUR
211+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
auf Bestellung 14965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.77 EUR
10+2.4 EUR
50+1.82 EUR
100+1.62 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
Verlustleistung: 215W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R2-30YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.64 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.21 EUR
1500+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1237A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1237A
Power dissipation: 215W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5093 pF @ 15 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.12 EUR
4500+1 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
Verlustleistung: 215W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLC,115NXPMOSFET N-CH 30V 100A LFPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLD/2XNexperiaMOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+1.55 EUR
132+1.26 EUR
160+1 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
235+2.75 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.2 EUR
Mindestbestellmenge: 235 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R2-30YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 2632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.28 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.07 EUR
1500+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4616 pF @ 15 V
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
50+1.76 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 250A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+1.31 EUR
160+1.06 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 209A; Idm: 1181A; 194W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 209A
Pulsed drain current: 1181A
Power dissipation: 194W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHNexperiaMOSFET N-channel 55 V, 1.03 mOhm, 330 A logic level Application Specific MOSFET in LFPAK88
auf Bestellung 1896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+6.5 EUR
100+5.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHNexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.64 EUR
10+6.87 EUR
100+5.63 EUR
500+4.8 EUR
1000+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R2-55SLHAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 330 A, 810 µohm, SOT-123, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-123
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
auf Bestellung 913 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+10.73 EUR
500+9 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAXNexperiaMOSFETs SOT1235 N-CH 55V 330A
auf Bestellung 8651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.21 EUR
10+6.12 EUR
100+4.86 EUR
500+4.32 EUR
1000+3.71 EUR
2000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R2-55SLHAXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
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PSMN1R2-55SLHAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 330A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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