Produkte > IRL

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 44 48  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBFTYSТранзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,3А; 1,25Вт; SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -30V -2.3A 165mOhm
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBFKLSSOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
560+0.31 EUR
581+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.27 EUR
5000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 560 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBFUMWSOT-23, Vds=30V, Id=2.3A, -55 ...+150 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML9303TRPBF-MLMOSLEADERDescription: P -30V SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
299+0.07 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.064 EUR
6000+0.063 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 299 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMLS5703TR/2DOEIRF09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMLS6702TR/2COQIRF09+
auf Bestellung 12018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMR6401TRSLKORP-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 SLK
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
150+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503
Produktcode: 41464
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRIR251 SOT23-6
auf Bestellung 39402 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
346+0.51 EUR
539+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
346+0.51 EUR
539+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 3.2A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 25 V
auf Bestellung 107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
29+0.74 EUR
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 3.2A 100mOhm 6.4nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS1503TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1503TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 30V 3.2A 6-Pin Micro T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1902Infineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1902TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1902TRIR04+ SOT-23-6
auf Bestellung 9100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1902TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLMS1902TRPBF - IRLMS1902 - PLANAR <40V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 14043 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1611+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1611 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1902TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 3.2A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2047+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2047 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1902TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 3.2A MICRO6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS1902TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl
auf Bestellung 5077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.18 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002GTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRIR04+
auf Bestellung 9265 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
325+0.71 EUR
437+0.49 EUR
500+0.48 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 20V 6.5A 30mOhm 15nC Log Lvl
auf Bestellung 3937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.58 EUR
100+0.43 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS2002TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+1.19 EUR
325+0.71 EUR
437+0.49 EUR
500+0.48 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
auf Bestellung 1993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 20V 6.5A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS2002TRPBF Transistor
Produktcode: 199695
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS4502TR
Produktcode: 106343
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS4502TRIR09+
auf Bestellung 50918 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS4502TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 12V 5.5A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS4502TRInternational RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS4502TRPBFIR
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS4802TRIR
auf Bestellung 1390 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703IRSOT-163
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703/2DOEIR09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703PbFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRIR01+
auf Bestellung 9098 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 2.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 23109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1864+0.36 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1864 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 7.2nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS5703TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A MICRO6
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702International RectifierТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702IRTO-223
auf Bestellung 429000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702PbFInfineon / IRMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TR SOT163-2CIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TR SOT163-2CIR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TR(94-3270)
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 2.4A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT P-Ch -2.3A 200mOhm 5.8nC LogLvl
auf Bestellung 4507 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.34 EUR
10+1.17 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TRPBF
Produktcode: 53730
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TRSOT163-2CIR
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6702TR\2C0QIRFSOT-163
auf Bestellung 12100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802International Rectifier/InfineonMOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP FETs - Single 50 mOhm @ 5.1A, 4.5V ,20V,5.6A,1.2V @ 250µA ,16nC @ 5V,1079pF @ 10V,2W,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802Infineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRIR99+
auf Bestellung 13068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(SOT23-6)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
346+0.49 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT P-Ch -5.6A 50mOhm 11nC Log Lvl
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.46 EUR
10+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1079 pF @ 10 V
auf Bestellung 412 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 20V 5.6A 6-Pin Micro T/R
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
346+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLMS6802TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.6 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
270+0.86 EUR
376+0.57 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLMS6802TRPBF (IR)
Produktcode: 26801
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Id, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1079/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.39 EUR
10+0.36 EUR
100+0.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLP3034Infineon TechnologiesMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLP3034
Produktcode: 99537
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 195 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,7 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 10315/108
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 4 St.
  • 4 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.93 EUR
43+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.4 EUR
25+5.11 EUR
100+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLP3034PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 327A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.16 EUR
50+7.65 EUR
100+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLP3034PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLP3034PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 327 A, 0.0014 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 327A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+10.9 EUR
34+7.01 EUR
100+5.01 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 36 40 44 48  Nächste Seite >> ]