Produkte > BSD

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
663+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 663 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.99 EUR
481+0.49 EUR
650+0.33 EUR
1017+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
auf Bestellung 53654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.38 EUR
100+0.27 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 192093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1InfineonTransistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
752+0.23 EUR
1007+0.17 EUR
1191+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 752 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.087 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.076 EUR
150000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.99 EUR
481+0.49 EUR
650+0.33 EUR
1017+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
15000+0.089 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.07 EUR
75000+0.067 EUR
150000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1809000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.12 EUR
900000+0.11 EUR
1350000+0.1 EUR
1800000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
235+0.36 EUR
355+0.24 EUR
428+0.2 EUR
532+0.15 EUR
610+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NL6327XTInfineon technologies
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00420100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00420200000TE Connectivity / IntercontecStandard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00430200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00480100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00480200000TE Connectivity / IntercontecStandard Circular Connector 923 PLUG, ANGLED
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00550200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00580100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00580200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00590200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA107NN00810200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA108NN00420100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA108NN00420200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA108NN00430200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA108NN00480200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA108NN00580100000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA108NN00580200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDA108NN00590200000TE ConnectivityStandard Circular Connector
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDB10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC diode in TO263
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDB10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.98 EUR
1600+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDB10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.1 EUR
10+5.34 EUR
100+3.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDB10S65E6-XBournsSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD05G120E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.19 EUR
10+4.36 EUR
100+3.52 EUR
250+3.33 EUR
500+3.14 EUR
1000+2.68 EUR
2500+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD05G120E2Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD05G120E2Bourns Inc.Description: DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
auf Bestellung 4994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.28 EUR
10+4.77 EUR
100+3.34 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD06G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD06G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDD06G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 9 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 9nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.59 EUR
78+3 EUR
100+2.23 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD06G65E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V 6A High Surge SiC diode in TO252
auf Bestellung 4844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+3.2 EUR
100+2.89 EUR
5000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD08G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 8A HIGH SURGE SIC TO252
auf Bestellung 4995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.88 EUR
100+2.81 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A LOW VF SIC TO252
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+5.7 EUR
100+4.58 EUR
250+4.33 EUR
500+4.08 EUR
1000+3.75 EUR
5000+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.56 EUR
10+5.5 EUR
100+4.45 EUR
500+3.95 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDD10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+3.19 EUR
5000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH06G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
auf Bestellung 2844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+2.26 EUR
100+2.18 EUR
500+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH06G65E2Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.19 EUR
50+3.38 EUR
100+2.77 EUR
500+2.36 EUR
1000+2 EUR
2000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH08G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2
auf Bestellung 2931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.56 EUR
10+3.31 EUR
100+3 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH08G65E2Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
50+3.06 EUR
100+2.8 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH08G65E2-XBournsSchottky Diodes & Rectifiers
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10G120E2BournsSiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
auf Bestellung 2382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+4.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10G120E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDH10G120E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 22 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.09 EUR
42+5.62 EUR
100+5.03 EUR
500+4.63 EUR
1000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10G120E2Bourns Inc.Description: DIODE SIC 1200V 10A TO220-2
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.84 EUR
50+7.79 EUR
100+6.68 EUR
500+5.94 EUR
1000+5.08 EUR
2000+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10G65E2BOURNSDescription: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.75 EUR
73+3.18 EUR
100+2.83 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10G65E2Bourns Inc.Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
50+4.51 EUR
100+3.87 EUR
500+3.44 EUR
1000+2.94 EUR
2000+2.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10G65E2BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.27 EUR
10+2.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.72 EUR
50+5.33 EUR
100+4.57 EUR
500+4.06 EUR
1000+3.47 EUR
2000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDH10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in TO220-2
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.25 EUR
10+4.25 EUR
100+3.88 EUR
500+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDL10S65E6BournsSiC Schottky Diodes 650V 10A Low Vf SiC schottky diode in DFN8x8
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.6 EUR
10+5.15 EUR
100+4.02 EUR
500+3.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDL10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.47 EUR
10+5.18 EUR
100+3.8 EUR
500+3.19 EUR
1000+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDL10S65E6BOURNSDescription: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
56+4.2 EUR
100+3.19 EUR
500+3.13 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDL10S65E6Bourns Inc.Description: DIODE SIC SCHTKY 650V 10A DFN8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDL10S65E6BOURNSDescription: BOURNS - BSDL10S65E6 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.19 EUR
500+3.13 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDMC2201A90Sunbank / SouriauSunbank
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDV10G120E2BournsSchottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.46 EUR
10+9.62 EUR
120+7.77 EUR
270+7.35 EUR
510+6.91 EUR
1020+5.93 EUR
2520+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDV10G120E2Bourns Inc.Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.29 EUR
10+9.47 EUR
100+7.66 EUR
500+6.81 EUR
1000+5.83 EUR
2000+5.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDV10G120E2-XBournsBourns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20G120C2Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 1200V TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.37 EUR
30+9.1 EUR
120+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20G120C2BournsSiC Schottky Diodes 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
auf Bestellung 2919 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.8 EUR
10+14.85 EUR
600+12.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20G120C2BOURNSDescription: BOURNS - BSDW20G120C2 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 22 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 22nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.38 EUR
21+11.33 EUR
25+8.57 EUR
50+8.4 EUR
100+8.22 EUR
250+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20G120C2-XBournsBourns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20G65C2Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.75 EUR
30+9.39 EUR
120+8.4 EUR
510+7.41 EUR
1020+6.66 EUR
2010+6.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20G65C2BOURNSCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 1.2kV; 20A; TO247-3; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 1µA
auf Bestellung 2398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+7.33 EUR
85+6.46 EUR
200+6.34 EUR
350+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20G65C2BournsSiC Schottky Diodes 650V each 10A High Surge Dual SiC schottky diode in TO247-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 960 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20S65C6BournsSchottky Diodes & Rectifiers 650V each 10A Low Vf Dual SiC schottky diode in TO247-3
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.14 EUR
10+10.39 EUR
100+10.28 EUR
480+9.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20S65C6BOURNSDescription: BOURNS - BSDW20S65C6 - SiC-Schottky-Diode, Gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 24 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.52 EUR
26+9.23 EUR
35+6.3 EUR
50+6.16 EUR
100+6.05 EUR
250+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSDW20S65C6Bourns Inc.Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 2391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.19 EUR
30+7.08 EUR
120+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 3