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BSZ042N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 133728 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.09 EUR
144+	1.62 EUR
250+	1.37 EUR
1000+	1.17 EUR
3000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 6405 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

74+	2.34 EUR
82+	2.03 EUR
86+	1.88 EUR
116+	1.33 EUR
250+	1.17 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	0.84 EUR
3000+	0.8 EUR
6000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 74 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ042N06NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ042N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4200 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 132593 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

120+	2.08 EUR
145+	1.61 EUR
250+	1.36 EUR
1000+	1.15 EUR
3000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 120 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

auf Bestellung 4138 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.52 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.42 EUR
2000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ049N03LSCGATMA1

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1316 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0500NSIATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 4916 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.92 EUR
100+	2.32 EUR
250+	2.31 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.89 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

auf Bestellung 9817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.76 EUR
10+	3.05 EUR
100+	2.08 EUR
500+	1.67 EUR
1000+	1.54 EUR
2000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0500NSIATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V

auf Bestellung 9817 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0500NSIATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0501NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 5077 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
114+	1.89 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.33 EUR
5000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0501NSIATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

auf Bestellung 1445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.61 EUR
10+	2.3 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0501NSIATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 123A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 123A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0501NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0501NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 1700 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm

auf Bestellung 5077 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	5.32 EUR
75+	3.11 EUR
114+	1.89 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.33 EUR
5000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0501NSIATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

auf Bestellung 7049 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.97 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.24 EUR
2500+	1.17 EUR
5000+	1.11 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0501NSIATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8SON

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0502NSIATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 9657 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.12 EUR
10+	1.4 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.75 EUR
1000+	0.62 EUR
2500+	0.61 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 82A; 36W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 82A
Power dissipation: 36W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

auf Bestellung 3716 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.78 EUR
12+	1.75 EUR
100+	1.17 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.83 EUR
2000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 2617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.88 EUR
158+	1.48 EUR
221+	0.98 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 20A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.28 EUR
113+	1.51 EUR
200+	1.37 EUR
1000+	1.13 EUR
2000+	1.06 EUR
5000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0503NSIATMA1

Description: INFINEON - BSZ0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 2800 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm

auf Bestellung 2617 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.88 EUR
158+	1.48 EUR
221+	0.98 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 8344 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.2 EUR
16+	1.37 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.64 EUR
2000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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BSZ0506NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

174+	1.44 EUR
228+	1.02 EUR
274+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 174 Stücke

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BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs IFX FET 15V-30V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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BSZ0506NSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSZ0506NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0506NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 4400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 431 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

174+	1.44 EUR
228+	1.02 EUR
274+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 174 Stücke

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BSZ050N03LS G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 5341 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.68 EUR
10+	1.65 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.74 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03LSG

Infineon Technologies

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03LSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

auf Bestellung 5753 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.4 EUR
14+	1.51 EUR
50+	1.12 EUR
100+	1 EUR
500+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03LSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03LSGATMA1

Description: INFINEON - BSZ050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5000 µohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm

auf Bestellung 14592 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	2.44 EUR
171+	1.36 EUR
255+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.58 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03LSGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03LSGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 9018 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.39 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.67 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03MS G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.73 EUR
10+	1.51 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.82 EUR
5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03MSG

Infineon Technologies

Description: BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P

Produkt ist nicht verfügbar

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BSZ050N03MSG

Infineon technologies

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03MSGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ050N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 15 V

auf Bestellung 44 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.56 EUR
14+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0589NSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	2.55 EUR
159+	1.46 EUR
209+	1.02 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.73 EUR
5000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 99 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0589NSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0589NSATMA1

Description: INFINEON - BSZ0589NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17 A, 3500 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6874 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.55 EUR
159+	1.46 EUR
209+	1.02 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.73 EUR
5000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ0589NSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5779 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.92 EUR
10+	1.18 EUR
100+	0.9 EUR
500+	0.76 EUR
1000+	0.64 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03LS G

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 4717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.62 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.73 EUR
2500+	0.68 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03LSG

0950+ TSDSON-8

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03LSGATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

auf Bestellung 2532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.73 EUR
10+	0.71 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03LSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03MS G

QFN

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03MS G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

auf Bestellung 1159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03MSG

Infineon Technologies

Description: BSZ058N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active

auf Bestellung 11233 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

886+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 886 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03MSG

08+

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ058N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk

auf Bestellung 14327 Stücke:

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886+	0.68 EUR

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BSZ058N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

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BSZ058N03MSGATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA

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BSZ058N03MSGXT

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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BSZ0602LSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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BSZ0602LSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 13A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 40 V

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BSZ0602LSATMA1

Infineon Technologies

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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10+	3.62 EUR
100+	2.83 EUR
500+	2.34 EUR

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BSZ060NE2LS

BSZ060NE2LS MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 Транзистори

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BSZ060NE2LS

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

auf Bestellung 40761 Stücke:

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3+	1.56 EUR
10+	1.38 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.67 EUR
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5000+	0.54 EUR

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BSZ060NE2LS

BSZ060NE2LSATMA1 MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 Транзистори

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BSZ060NE2LS

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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5000+	0.58 EUR

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BSZ060NE2LSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS

auf Bestellung 50771 Stücke:

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5+	0.77 EUR
10+	0.58 EUR
100+	0.48 EUR
500+	0.39 EUR
2500+	0.37 EUR
5000+	0.33 EUR

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BSZ060NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSZ060NE2LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ060NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 26965 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.82 EUR
209+	1.12 EUR
300+	0.71 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 138 Stücke

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BSZ060NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

auf Bestellung 54535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.18 EUR
16+	1.37 EUR
50+	1.01 EUR
100+	0.89 EUR
500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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BSZ060NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSZ060NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSZ060NE2LSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 12A/44A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 12 V

auf Bestellung 54500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSZ063N04LS6

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

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BSZ063N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSZ063N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 122975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.32 EUR
10+	1.05 EUR
100+	0.92 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.83 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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BSZ063N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 1480 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

563+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 563 Stücke

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BSZ063N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

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BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 20299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	1.75 EUR
179+	1.3 EUR
250+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 143 Stücke

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BSZ063N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 20 V

auf Bestellung 3761 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.3 EUR
19+	1.11 EUR
25+	1.05 EUR
100+	0.95 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ063N04LS6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 40V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 3825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.25 EUR
173+	0.99 EUR
200+	0.84 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 138 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ063N04LS6ATMA1

Description: INFINEON - BSZ063N04LS6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 6300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 20299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

143+	1.75 EUR
179+	1.3 EUR
250+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR
3000+	0.9 EUR

Mindestbestellmenge: 143 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ065N03LS

QFN

auf Bestellung 792 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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BSZ065N03LS
Produktcode: 148978

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BSZ065N03LS

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

auf Bestellung 5499 Stücke:

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2+	1.98 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.81 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.56 EUR
2500+	0.52 EUR
5000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

auf Bestellung 2557 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

160+	1.08 EUR
188+	0.88 EUR
190+	0.84 EUR
261+	0.58 EUR
264+	0.56 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 160 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm

auf Bestellung 2359 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

96+	2.62 EUR
154+	1.51 EUR
235+	0.92 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 96 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.48 EUR
10000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS

auf Bestellung 8584 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.48 EUR
10+	1 EUR
25+	0.98 EUR
100+	0.68 EUR
250+	0.64 EUR
500+	0.6 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

BSZ065N03LSATMA1

Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 5400 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm

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BSZ065N03LSATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

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BSZ065N06LS5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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BSZ065N06LS5ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V

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