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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FQP22P10onsemiMOSFETs 100V P-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP22P10FAIRCHILD
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP22P10_NLonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP24N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP24N08onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP24N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 24A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 25.5A TO220-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25.5 A, 0.083 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 25.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.23 EUR
2000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27N25..ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 180
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 180
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.15 EUR
69+2.46 EUR
100+2.14 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ON-SemiconductorP-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+8.38 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+1.59 EUR
115+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.46 EUR
250+2.19 EUR
500+2 EUR
1000+1.87 EUR
2500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06
Produktcode: 197511
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+17.02 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 5628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 120W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 8270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
73+3.18 EUR
100+2.49 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06onsemiMOSFETs 60V P-Channel QFET
auf Bestellung 5989 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.26 EUR
10+2.62 EUR
100+2.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
auf Bestellung 12868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.67 EUR
5000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06-SW82127ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V 27A 0.07 Ohm P-Channel QFET
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP27P06_SW82127Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.14A; Idm: 7.2A; 40W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 40W
Gate charge: 5.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.14A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 400V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.8Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N40-F080onsemi / FairchildMOSFET N-CH 400V 1.8A 5.8OHM
auf Bestellung 759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.49 EUR
100+1.93 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 3015 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 84915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
209+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60onsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60FSC09+
auf Bestellung 4618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60B
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60CON-SemiconductorN-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60C
Produktcode: 48426
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 180/8.5
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.57 EUR
10+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60Consemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.13 EUR
94+1.78 EUR
102+1.58 EUR
110+1.42 EUR
500+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60CONS/FAIN-Channel MOSFET 1.35A, 600V, ,TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.86 EUR
102+1.69 EUR
110+1.54 EUR
500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60ConsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N60C_Qonsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel Advance Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80ONS/FAI2.4A, 800V, N-Channel MOSFET,TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.95 EUR
100+2.31 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
283+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 283 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N80ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.52A; Idm: 9.6A; 85W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP2N90 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.2 A, 5.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.6ohm
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
102+2.3 EUR
113+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.37 EUR
89+1.89 EUR
100+1.63 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
auf Bestellung 1478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
256+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 256 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90
Produktcode: 61646
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90ONS/FAIMOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+3.2 EUR
25+3.09 EUR
100+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2NA90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2NA90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
auf Bestellung 1789 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
523+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 523 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P40
auf Bestellung 87090 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P40ON Semiconductor / FairchildMOSFET 400V P-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P40onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P40-F080onsemi / FairchildMOSFET QF -400V 6.5OHM TO220
auf Bestellung 1913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P40-F080onsemiDescription: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P40_F080ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP2P40_F080Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
auf Bestellung 8275000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 1804 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06onsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06LON-SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP30N06L TFQP30n06l
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06LonsemiMOSFETs 60V N-Channel QFET Logic Level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06LONSEMIDescription: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
60+3.9 EUR
100+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP30N06_Qonsemi / FairchildMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N12V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
468+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 468 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQP32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 28 A, 0.068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 28
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 2896 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
38+6.25 EUR
100+4.74 EUR
500+4.02 EUR
1000+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 12150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.86 EUR
1000+2.64 EUR
10000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20Consemi / FairchildMOSFETs 200V N-Channel Advance Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20C_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP32N20C_Qonsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.48 EUR
100+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQP33N10ONS/FAIMOSFET N-CH 100V 33A TO-220 Транзистори
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FQP33N10
Produktcode: 30515
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FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,052 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/38
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.88 EUR
10+1.7 EUR
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FQP33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 27096 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.25 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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FQP33N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
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FQP33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.76 EUR
71+2.39 EUR
100+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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FQP33N10ON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQP33N10 TFQP33n10
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FQP33N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP33N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.052 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 127
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
64+3.64 EUR
100+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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FQP33N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel QFET
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FQP33N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 27100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.26 EUR
84+2 EUR
104+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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FQP33N10
Produktcode: 221638
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VBsemiTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 33 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,052 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/38
Montage: THT
erwartet: 5 St.
  • 5 St. - erwartet
auf Bestellung: 95 St.
  • 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.96 EUR
10+1.76 EUR
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FQP33N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
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