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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GAN22LU-V24-2120500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V24-2260060Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V24-2260200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V24-2260300Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V24-2261000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V24-2262000Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN22LU-V2Y-2120200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN30048EUAmphenolCircular MIL Spec Connector
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GAN30084EUAmphenolGAN30084EU
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1694+2.93 EUR
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GAN310U-A0U-6040200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-A0U-6100200-10HHirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-A0U-6101000HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-A0U-7430200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P1J-6110200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P1M-6110200Lumberg Automation / HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P1M-6110200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P1M-6110500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P2M-2280200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P2M-2280500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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GAN31LU-P2M-2281000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 60A; Idm: 230A; 394W
Technology: GaN
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -4...6V
Kind of package: tape
Case: WLCSP8
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 394W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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GAN3R2-100CBEAZNexperiaGaN FETs GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8
auf Bestellung 856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.96 EUR
10+5.95 EUR
100+4.21 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.58 EUR
1500+3.45 EUR
3000+3.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.12 EUR
10+6.03 EUR
50+4.71 EUR
100+4.28 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
28+8.31 EUR
100+5.44 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 60A 8-Pin WLCSP T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNexperia USA Inc.Description: 100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Power Dissipation (Max): 394W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: 8-WLCSP (3.5x2.13)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3R2-100CBEAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN3R2-100CBEAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 2400 µohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 9.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.52 EUR
28+8.31 EUR
100+5.44 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.95 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-A0U-6100500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-A0U-6100500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2280200Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2280500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2281000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2281500HirschmannSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2281500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2590500Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN3ZLU-P2M-2591000Lumberg AutomationSensor Cables / Actuator Cables
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN75420TE Connectivity Measurement SpecialtiesDescription: DISK-2K +/-1% SL 18.64 +/-1%
Packaging: Bulk
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 Mindestbestellmenge: 3600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.45 EUR
34+6.96 EUR
100+4.63 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 4827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
10+4.84 EUR
50+3.74 EUR
100+3.39 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNexperiaGaN FETs SOT8073 150V 28A FET
auf Bestellung 4143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.16 EUR
10+4.69 EUR
100+3.33 EUR
500+2.76 EUR
2500+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 150V; 28A; Idm: 120A; 28W
Technology: GaN
Drain current: 28A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -4...6V
Kind of package: tape
Case: FCLGA3
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 28W
Gate charge: 7.6nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNexperia USA Inc.Description: 150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-VLGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 5mA
Supplier Device Package: 3-FCLGA (3.2x2.2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 85 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GAN7R0-150LBEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GAN7R0-150LBEZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 28 A, 5600 µohm, 7.6 nC, FCLGA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.6nC
Bauform - Transistor: FCLGA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.63 EUR
500+3.81 EUR
1000+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
auf Bestellung 2234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+1.62 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.17 EUR
2500+0.93 EUR
5000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.2nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+3.02 EUR
128+1.82 EUR
131+1.64 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB012-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB012-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 10 A, 7.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
128+1.82 EUR
131+1.64 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.59 EUR
13+18.42 EUR
16+13.77 EUR
50+12.23 EUR
100+10.66 EUR
250+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB1R2-040QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 A, 60 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 60nC
Bauform - Transistor: VQFN
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.59 EUR
13+18.42 EUR
16+13.77 EUR
50+12.23 EUR
100+10.66 EUR
250+10.45 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNexperiaGaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
auf Bestellung 1987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.66 EUR
10+10.66 EUR
100+7.83 EUR
500+7.72 EUR
1000+7.1 EUR
2500+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB1R2-040QBAZNexperia USA Inc.Description: GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 27-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 27-VQFN (6x4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 20 V
auf Bestellung 1366 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.93 EUR
10+10.84 EUR
50+8.66 EUR
100+7.96 EUR
500+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
auf Bestellung 4664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
2500+1.69 EUR
5000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
46+5.08 EUR
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
auf Bestellung 3520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.68 EUR
50+2.82 EUR
100+2.53 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
50+2.17 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperia USA Inc.Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.63 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.94 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNexperiaGaN FETs GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.26 EUR
5000+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB8R0-040CBAZNEXPERIADescription: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 10.1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
56+4.18 EUR
100+2.63 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.94 EUR
5000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650TBHZNexperia USA Inc.Description: GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.62 EUR
10+11.34 EUR
50+9.08 EUR
100+8.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650TBHZNexperiaGaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650TBHZNexperia USA Inc.Description: GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650UTHZNexperia USA Inc.Description: GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.09 EUR
10+11.67 EUR
50+9.35 EUR
100+8.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650UTHZNexperia USA Inc.Description: GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650UTHZNexperiaGaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650VSHQNexperia USA Inc.Description: GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.61 EUR
10+12.05 EUR
50+9.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC035-650VSHQNexperiaGaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC070-650TBHZNexperia USA Inc.Description: GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.28 EUR
10+6.83 EUR
50+5.36 EUR
100+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANC070-650TBHZNexperia USA Inc.Description: GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE140-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.35 EUR
10+5.46 EUR
100+4.08 EUR
500+3.42 EUR
1000+3.25 EUR
2500+3.01 EUR
5000+2.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE140-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE190-700BBAZNexperia USA Inc.Description: GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 37 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE190-700BBAZNexperiaGaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
auf Bestellung 2408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+3.53 EUR
100+3.39 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.68 EUR
2500+2.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE1R8-100QBAZNexperia USA Inc.Description: GANE1R8-100QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANE1R8-100QBAZNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 100A 7-Pin VQFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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