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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IAUC100N10S5L054ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 2082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+3.2 EUR
100+2.2 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.61 EUR
5000+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L054ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3744 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 64µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5L054ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
auf Bestellung 24985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.4 EUR
2500+2.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.79 EUR
50+4.71 EUR
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon Technologies100V, N-Ch, 4 mΩ max, Automotive MOSFET, SS08 (5x6), OptiMOS™-5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC100N10S5N040ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC100N10S5N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4570 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.11 EUR
500+2.62 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 430µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.22 EUR
250+3.67 EUR
1000+3.64 EUR
3000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 11203 @ 25, Qg, нКл = 177, Rds = 0,55 Ом, Ugs(th) = 2, Р, Вт = 187, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 1700 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L005ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00043 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 430µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
55+4.22 EUR
250+3.67 EUR
1000+3.64 EUR
3000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.01 EUR
50+3.47 EUR
52+3.24 EUR
100+2.8 EUR
250+2.64 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.23 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 41375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
10+4.65 EUR
100+3.25 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 5754 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+4.61 EUR
100+3.36 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.62 EUR
2500+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 435A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.78 EUR
52+3.25 EUR
54+2.99 EUR
100+2.57 EUR
250+2.38 EUR
500+2.13 EUR
1000+1.94 EUR
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L005ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.55mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11203 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesIAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L008ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 650 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.75 EUR
70+3.32 EUR
100+2.46 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 15546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.75 EUR
100+2.57 EUR
500+2.14 EUR
1000+2 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6L009Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
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IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
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IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+1.67 EUR
10000+1.58 EUR
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IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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IAUC120N04S6L009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7806 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.97 EUR
10+3.86 EUR
100+2.64 EUR
500+2.13 EUR
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2000+1.82 EUR
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IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
auf Bestellung 5924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IAUC120N04S6L012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
114+2.03 EUR
127+1.69 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.29 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6L012ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.21mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4832 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3613 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.67 EUR
100+1.89 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.31 EUR
5000+1.26 EUR
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IAUC120N04S6L012ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6L012ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.00096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00096ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13864 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+2.49 EUR
114+2.03 EUR
127+1.69 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.29 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
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IAUC120N04S6L012ATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4832 @ 25, Qg, нКл = 80, Rds = 1,21, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 115, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Очікується: 20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6N006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.4 EUR
46+5.11 EUR
100+3.81 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesIAUC120N04S6N006ATMA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
10+3.92 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 3478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.09 EUR
10+3.97 EUR
100+2.76 EUR
500+2.39 EUR
5000+2.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N006ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N006ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00046 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 460µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 460µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.81 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N006ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10117 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N008ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(20V 40V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N008ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 15349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
67+3.47 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7360 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
100+2.24 EUR
500+2 EUR
1000+1.8 EUR
2500+1.73 EUR
5000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N009ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N009ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 750 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 750µohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
auf Bestellung 15349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N010Infineon TechnologiesMOSFET MOSFET_(20V 40V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N010ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
75+3.13 EUR
250+2.44 EUR
1000+1.96 EUR
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.28 EUR
10+3.4 EUR
100+2.33 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IAUC120N04S6N010ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N010ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00081 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 810µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 810µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
250+2.44 EUR
1000+1.96 EUR
3000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6878 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+3.39 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.68 EUR
5000+1.64 EUR
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IAUC120N04S6N010ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
77+3.02 EUR
102+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(20V 40V)
auf Bestellung 10632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.96 EUR
100+1.56 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
auf Bestellung 10164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N013ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N04S6N013ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00102 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00102ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
102+2.12 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.45 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.26 EUR
110+1.54 EUR
200+1.48 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.38 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N04S6N013ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IAUC120N04S6N013ATMA1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.37 EUR
10+4.16 EUR
100+2.92 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.4 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
50+4.74 EUR
100+3.4 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 235A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8193 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.63 EUR
100+1.78 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L022ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5
auf Bestellung 3914 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.27 EUR
100+2.23 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.64 EUR
5000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L022ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 65µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5651 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L022ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
103+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L022ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+5.55 EUR
70+3.32 EUR
103+2.09 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032InfineonN-Channel 60 V 120A (Tj) 94W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34 Силові MOSFET-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 18183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+3.43 EUR
90+2.59 EUR
127+1.7 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.43 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
2000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-34
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 44µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-34
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3823 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5L032ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 20681 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
101+2.31 EUR
144+1.49 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 364A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5L032ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 129A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
45+5.25 EUR
100+3.38 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.37 EUR
10+4.16 EUR
100+2.92 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-53
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9822 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N011ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N015ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_)40V 60V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 94µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-43
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6952 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IAUC120N06S5N015ATMA1Infineon Technologies MOSFET_)40V 60V)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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