Produkte > ISC

Description: ISC016N08NM8ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC016N08NM8ATMA1

Description: ISC016N08NM8ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC016N08NM8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 29A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC016N08NM8ATMA1

MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.35 EUR
10+	5.46 EUR
100+	4.27 EUR
500+	3.56 EUR
1000+	3.31 EUR
2500+	3.09 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC016N08NM8SCATMA1

Description: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC016N08NM8SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 29A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC016N08NM8SCATMA1

Description: ISC016N08NM8SCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 5485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.83 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.15 EUR
2500+	1.13 EUR
5000+	1.07 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 926 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

80+	3.12 EUR
119+	1.96 EUR
250+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 80 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.26 EUR
103+	1.67 EUR
108+	1.56 EUR
200+	1.5 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.45 EUR
2000+	1.4 EUR
5000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 77 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC017N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 0.0013 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 926 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.12 EUR
119+	1.96 EUR
250+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 115W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC017N04NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 193A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

auf Bestellung 5447 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.8 EUR
10+	2.42 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR
2000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC018N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V

auf Bestellung 1583 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	9.4 EUR
10+	6.24 EUR
100+	4.44 EUR
500+	3.92 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC018N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC018N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V

auf Bestellung 3750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.54 EUR
10+	5.72 EUR
25+	5.26 EUR
100+	4.76 EUR
250+	4.52 EUR
500+	4.38 EUR
1000+	4.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC018N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

Infineon

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.82 EUR
190+	1.23 EUR
268+	0.8 EUR
500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 138 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 69W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 1.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Pulsed drain current: 400A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)

auf Bestellung 18544 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.83 EUR
26+	0.81 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.65 EUR
2000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 8156 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.76 EUR
10+	0.68 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.61 EUR
5000+	0.55 EUR
10000+	0.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0016 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 992 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

138+	1.82 EUR
190+	1.23 EUR
268+	0.8 EUR
500+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 138 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 1500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

71+	3.55 EUR
113+	2.06 EUR
171+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 71 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 170A; 100W; PG-TDSON-8 FL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 170A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8 FL
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	1.44 EUR
137+	1.25 EUR
156+	1.07 EUR
200+	1.01 EUR
500+	0.94 EUR
1000+	0.87 EUR
2000+	0.81 EUR
5000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 121 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC019N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 1500 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.55 EUR
113+	2.06 EUR
171+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Description: 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

auf Bestellung 10433 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.68 EUR
13+	1.7 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.8 EUR
2000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 8-Pin TDSON EP T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N04NM5ATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5794 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.22 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.08 EUR
1000+	0.92 EUR
5000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N08NM7ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

auf Bestellung 2480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.06 EUR
10+	4.61 EUR
100+	3.28 EUR
500+	2.7 EUR
2500+	2.59 EUR
5000+	2.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8

IFX FET >80 - 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8ATMA1

Description: ISC019N10NM8ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8ATMA1

MOSFETs OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package

auf Bestellung 143 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.82 EUR
10+	6.43 EUR
100+	4.8 EUR
500+	4.02 EUR
1000+	3.72 EUR
5000+	3.17 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8ATMA1

Description: ISC019N10NM8ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-TDSON-8

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8SCATMA1

Description: ISC019N10NM8SCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.93mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8SCATMA1

MOSFETs OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8SCATMA1

Description: ISC019N10NM8SCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.93mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 114µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC019N10NM8SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 26A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC01P

NKK Switches

Description: GRAPHIC DISPLAY OLED RGB -
Dot Pixels: 52 x 36
Viewing Area: 12.90mm W x 9.90mm H
Interface: SPI
Backlight: Without Backlight
Display Type: OLED - Passive Matrix
Packaging: Box
Part Status: Active
Graphics Color: Red, Green, Blue (RGB)

auf Bestellung 279 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	92.81 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC01P

NKK Switches

OLED Displays & Accessories OLED SmartDisplay 52 X 36 full color

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 254W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8275 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	6.1 EUR
250+	4.84 EUR
1000+	4.61 EUR
3000+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC022N10NM6ATMA1

MOSFETs TRENCH >=100V

auf Bestellung 4929 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.51 EUR
10+	4.84 EUR
100+	4.16 EUR
500+	4.06 EUR
1000+	3.96 EUR
2500+	3.89 EUR
5000+	3.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC022N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC022N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 230 A, 2240 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2240µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 8275 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	8.84 EUR
50+	6.1 EUR
250+	4.84 EUR
1000+	4.61 EUR
3000+	4.52 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC022N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.24mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 147µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6880 pF @ 50 V

auf Bestellung 12134 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.25 EUR
10+	6.47 EUR
100+	5.52 EUR
500+	4.06 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC023N03LF2SATMA1

Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.4 EUR
22+	1 EUR
25+	0.89 EUR
100+	0.79 EUR
250+	0.74 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC023N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	2.44 EUR
151+	1.55 EUR
199+	1.08 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC023N03LF2SATMA1

Description: ISC023N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC023N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC023N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

103+	2.44 EUR
151+	1.55 EUR
199+	1.08 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 103 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC024N08NM7ATMA1

MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

auf Bestellung 2006 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.37 EUR
10+	4.16 EUR
100+	2.92 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.26 EUR
5000+	1.92 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V

auf Bestellung 5908 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.22 EUR
10+	2.37 EUR
25+	2.15 EUR
100+	1.92 EUR
250+	1.81 EUR
500+	1.74 EUR
1000+	1.69 EUR
2500+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N06LM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

auf Bestellung 3951 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.76 EUR
10+	3.75 EUR
100+	2.57 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	2 EUR
2500+	1.87 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	4.33 EUR
500+	3.86 EUR
1000+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM5LF2ATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 7022 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.16 EUR
10+	5.4 EUR
100+	3.83 EUR
500+	3.42 EUR
1000+	3.37 EUR
2500+	3.36 EUR
5000+	3.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

auf Bestellung 4231 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.02 EUR
10+	5.28 EUR
100+	3.71 EUR
500+	3.13 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: INFINEON - ISC025N08NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2550 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 3733 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.77 EUR
36+	6.62 EUR
100+	4.33 EUR
500+	3.86 EUR
1000+	3.81 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM5LF2ATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM6ATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC025N08NM6SCATMA1

MOSFETs OptiMOS 6 PowerMOSFET, 80 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC026N03L5SATMA1

MOSFETs TRENCH <= 40V

auf Bestellung 3808 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2 EUR
10+	1.33 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.7 EUR
1000+	0.58 EUR
5000+	0.49 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.55 EUR
157+	1.49 EUR
238+	0.9 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC026N03L5SATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 48W; PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.6mΩ
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC026N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISC026N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3950 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

99+	2.55 EUR
157+	1.49 EUR
238+	0.9 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 99 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC026N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V

auf Bestellung 21409 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.37 EUR
14+	1.56 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.69 EUR
2000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC026N03L5SATMA1

Infineon

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

auf Bestellung 922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.25 EUR
10+	5.43 EUR
100+	3.83 EUR
500+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC027N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 116µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 217W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4752 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	8.82 EUR
250+	6.16 EUR
1000+	5.27 EUR
3000+	5.16 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC027N10NM6ATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC027N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC027N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 192 A, 2700 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4752 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

16+	15.77 EUR
50+	8.82 EUR
250+	6.16 EUR
1000+	5.27 EUR
3000+	5.16 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC027N10NM6SCATMA1

Description: IFX FET >80 - 100V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	2.23 EUR
150+	1.56 EUR
219+	0.98 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 113 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N03LF2SATMA1

Description: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N03LF2SATMA1

TRENCH <= 40V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.86 EUR
10+	1.39 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.68 EUR
2500+	0.61 EUR
5000+	0.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N03LF2SATMA1

Description: INFINEON - ISC028N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 128 A, 2800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4980 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	2.23 EUR
150+	1.56 EUR
219+	0.98 EUR
500+	0.82 EUR
1000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 113 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N03LF2SATMA1

Description: ISC028N03LF2SATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-62
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

73+	3.43 EUR
115+	2.02 EUR
174+	1.24 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 73 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 5000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N04NM5ATMA1

MOSFETs IFX FET 40V

auf Bestellung 13077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.93 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.23 EUR
500+	0.96 EUR
1000+	0.81 EUR
5000+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N04NM5ATMA1

Description: INFINEON - ISC028N04NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 2100 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 4795 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.43 EUR
115+	2.02 EUR
174+	1.24 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC028N04NM5ATMA1

Description: 40V 2.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V

auf Bestellung 6152 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.92 EUR
12+	1.83 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR
2000+	0.8 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC030N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISC030N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 179 A, 3000 µohm, TDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 179A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	7.24 EUR
250+	4.93 EUR
1000+	4.02 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

ISC030N10NM6ATMA1