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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 8136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
362+0.48 EUR
489+0.35 EUR
493+0.32 EUR
828+0.19 EUR
829+0.18 EUR
869+0.17 EUR
1345+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 362 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 421580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5773+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5773 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
auf Bestellung 5543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
53+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN,315NexperiaMOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 6039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.5 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN/FYLNXP USA Inc.Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 20V 1A 715mW
auf Bestellung 7970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2315NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+1.04 EUR
351+0.67 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 770000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.065 EUR
40000+0.063 EUR
50000+0.062 EUR
150000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 770000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.064 EUR
50000+0.062 EUR
100000+0.057 EUR
250000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaMOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
auf Bestellung 129280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.1 EUR
10000+0.083 EUR
20000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 9870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
82+0.26 EUR
100+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 28568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
425+0.4 EUR
558+0.3 EUR
567+0.29 EUR
808+0.19 EUR
850+0.18 EUR
1120+0.13 EUR
1616+0.083 EUR
3000+0.081 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 28568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
806+0.21 EUR
848+0.2 EUR
1114+0.15 EUR
1593+0.1 EUR
3000+0.095 EUR
6000+0.087 EUR
15000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 806 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.067 EUR
30000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperiaMOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
53+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
390+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
102+0.2 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB350UPE,315NexperiaMOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3
auf Bestellung 13521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.48 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 30V 900mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315NXPDescription: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 570000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8417+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315-NEXNexperia USA Inc.Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30
Produkt ist nicht verfügbar
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PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
auf Bestellung 3207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1014+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1014 Stücke
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PMZB390UNENexperiaNexperia
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
579+0.4 EUR
971+0.23 EUR
1145+0.19 EUR
1444+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
579+0.4 EUR
971+0.23 EUR
1145+0.19 EUR
1444+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A
auf Bestellung 14862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6281+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNE315NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI
auf Bestellung 338000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6231+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 6231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .59A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
635+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 635 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 599486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9578 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperiaN-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperiaMOSFETs PMZB600UNEL/SOT883B/XQFN3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
53+0.4 EUR
74+0.29 EUR
100+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883B N CHAN 20V
auf Bestellung 12348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.55 EUR
10+0.33 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 7892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1934000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7082+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7082 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
auf Bestellung 16050 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
43+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
auf Bestellung 168722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2959 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 490000 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 6888 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6086+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6086 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
479+0.49 EUR
971+0.23 EUR
1124+0.19 EUR
1316+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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PMZB950UPELYLNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
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4+1.02 EUR
10+0.7 EUR
100+0.44 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 28788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
54+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYLNexperiaMOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 4697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
56+0.38 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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