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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PMZB200UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB200UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 421580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5773+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 5773 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB200UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN,315NexperiaMOSFET 20V Single N-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 6039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.5 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UN/FYLNXP USA Inc.Description: PMZB290UN/FYL
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 20V 1A 715mW
auf Bestellung 7970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2315NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1A
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.068 EUR
30000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
auf Bestellung 9870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
59+0.36 EUR
82+0.26 EUR
100+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB290UNE2YL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.27 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
242+1.04 EUR
351+0.67 EUR
553+0.39 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 770000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.067 EUR
40000+0.064 EUR
50000+0.062 EUR
150000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 770000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.065 EUR
50000+0.062 EUR
100000+0.058 EUR
250000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaMOSFET PMZB290UNE2/SOT883B/XQFN3
auf Bestellung 129280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.12 EUR
2500+0.1 EUR
10000+0.083 EUR
20000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 28568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
425+0.4 EUR
558+0.3 EUR
567+0.29 EUR
808+0.19 EUR
850+0.18 EUR
1120+0.13 EUR
1616+0.084 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 425 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB290UNE2YLNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-B T/R
auf Bestellung 28568 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
806+0.21 EUR
848+0.2 EUR
1114+0.15 EUR
1593+0.1 EUR
3000+0.096 EUR
6000+0.087 EUR
15000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 806 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB300XN,315NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperiaMOSFETs SOT883 P-CH 30V 1A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperiaMOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB320UPEYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.43 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+1 EUR
390+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB320UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
39+0.55 EUR
53+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB350UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 127 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 20021 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
47+0.45 EUR
102+0.2 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB350UPE,315NexperiaMOSFET PMZB350UPE/SOT883B/XQFN3
auf Bestellung 13521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.48 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
10000+0.12 EUR
20000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315NexperiaMOSFET N-Chan 30V 900mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.05V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.16 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315NXPDescription: NXP - PMZB370UNE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 570000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8417+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB370UNE,315-NEXNexperia USA Inc.Description: EFFECT TRANSISTOR, 0.9A I(D), 30
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB380XN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 930MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNENexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 900mA
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
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Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
579+0.4 EUR
971+0.23 EUR
1145+0.19 EUR
1444+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
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productTraceability: No
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auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.39 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 900mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
329+0.76 EUR
579+0.4 EUR
971+0.23 EUR
1145+0.19 EUR
1444+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 329 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .9A
auf Bestellung 14862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB390UNEYL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6281+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB390UNEYLNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN-B T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB420UN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNE/S500,YLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB550UNE/S500,YL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNE315NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMZB550UNE SMALL SI
auf Bestellung 338000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6231+0.095 EUR
Mindestbestellmenge: 6231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883 N-CH 30V .59A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB550UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
635+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 635 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNE315Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 599486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 9578 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB600UNE - SMALL SIGN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
500+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperiaN-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNELYLNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
auf Bestellung 3435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
53+0.4 EUR
74+0.29 EUR
100+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEYLNexperiaMOSFETs SOT883B N CHAN 20V
auf Bestellung 12348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.55 EUR
10+0.33 EUR
100+0.14 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
2500+0.1 EUR
5000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB600UNEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 7892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.45 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB670UPE,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1934000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7082+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7082 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
auf Bestellung 16550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
46+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB670UPE,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
auf Bestellung 168722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2959+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2959 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB790SN,315Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 300mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPE315Rochester Electronics, LLCDescription: P-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 490000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6888 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEL315NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMZB950UPEL - 20 V, P-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6086+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6086 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
479+0.49 EUR
971+0.23 EUR
1124+0.19 EUR
1316+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 15321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.7 EUR
100+0.44 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMZB950UPELYL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 1.02 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPELYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
auf Bestellung 28788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
54+0.39 EUR
100+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYLNexperiaMOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
auf Bestellung 4697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMZB950UPEYLNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8189 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
56+0.38 EUR
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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