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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
QS6J1ROHM07+ SOT-163
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11FU7TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
auf Bestellung 3684 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 600mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.88 EUR
281+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET PCH 12V 2A 6PIN
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.25 EUR
198+0.84 EUR
281+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J11TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J1TRROHM SemiconductorMOSFETs 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
auf Bestellung 5938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 11562 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.11 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 278 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
169+1 EUR
262+0.62 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.43 EUR
6000+0.4 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J1TRROHM0551+ SOT-163
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.04 EUR
262+0.65 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6J3TRROHM05+
auf Bestellung 27010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1ROHMSOT163
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1 TRROHMSOT26
auf Bestellung 5290 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1FRATRROHMDescription: ROHM - QS6K1FRATR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.17 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-457
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1FRATRROHM SemiconductorMOSFETs 0.26Rds(on) 1.7Qg
auf Bestellung 3575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
179+0.94 EUR
260+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRROHMDescription: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
165+1.4 EUR
252+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 8526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRROHM SemiconductorMOSFETs 2N-CH 30V 1A TSMT6
auf Bestellung 14342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
6000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 5253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.98 EUR
260+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRROHM05+
auf Bestellung 27010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 238mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRROHMDescription: ROHM - QS6K1TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.364 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.364ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+2.43 EUR
165+1.4 EUR
252+0.84 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K1TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
440+0.39 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRROHM SemiconductorMOSFETs 0.415Rds(on) 1.5Qg
auf Bestellung 3102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRROHMDescription: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.42 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRROHMDescription: ROHM - QS6K21FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 1 A, 0.42 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
176+1.32 EUR
269+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8708 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.87 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21FRATRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+1.65 EUR
176+0.96 EUR
267+0.61 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 2385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2385 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21TRROHMDescription: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
189+1.24 EUR
289+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 45V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1595 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+1 EUR
267+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21TRROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A
auf Bestellung 3890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21TRROHMDescription: ROHM - QS6K21TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 45 V, 1 A, 1 A, 0.42 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 45V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 45V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.42ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
189+1.24 EUR
289+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6K21TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 45V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.76 EUR
20+1.09 EUR
100+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3ROHM SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3ROHMSOT163
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
9000+0.37 EUR
15000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3TRROHMDescription: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
209+1.11 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3TRROHM SemiconductorMOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.89 EUR
100+0.62 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3TRROHMDescription: ROHM - QS6M3TR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
209+1.11 EUR
278+0.77 EUR
500+0.68 EUR
1500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M3TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 20108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4ROHMSOT163
auf Bestellung 6720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4 TRROHMSOT26
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 8731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+0.99 EUR
273+0.63 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
auf Bestellung 8700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.7 EUR
20+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 8731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
176+0.95 EUR
273+0.6 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.37 EUR
3000+0.31 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.38 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 456 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TR
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRROHM SemiconductorMOSFETs N+P 30 20V 1.5A TSMT6
auf Bestellung 11537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.15 EUR
100+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.46 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
245+0.71 EUR
256+0.67 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6M4TRRohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 30V/20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6U22
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6U22TRROHMDescription: ROHM - QS6U22TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.43 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6U22TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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QS6U22TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
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QS6U22TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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QS6U22TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
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QS6U22TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 1.5A 6-Pin TSMT T/R
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QS6U22TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6
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QS6U24ROHMSOT163
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QS6U24TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 10 V
auf Bestellung 11231 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
20+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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QS6U24TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS6U24TRROHMDescription: ROHM - QS6U24TR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.8 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 900
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 900
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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QS6U24TRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 1A 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 1029 Stücke:
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453+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 453 Stücke
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QS6U24TRROHM SemiconductorMOSFETs P-CH 30V 1A TSMT6
auf Bestellung 4481 Stücke:
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2+1.87 EUR
10+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
3000+0.43 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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QS6U37
auf Bestellung 33000 Stücke:
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QS6U40ROHM09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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QS6Z5TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS6Z5TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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409+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
QS6Z5TRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP 50V 1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz, 400MHz
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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QS6Z5TRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN/PNP 50V 1A 1250mW 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 4879 Stücke:
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128+1.37 EUR
195+0.88 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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