Produkte > TK3
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| TK32-T06-MG02-B1P-743-MIC | Microtherm Sentronic | Thermostats TK32 Series thermal switch, manual reset, 74C switch temperature, T06 terminals, +/-3 tolerance | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK3200 | Interlight | Description: Replacement for Kenwood TK3200 R Part Status: Active Accessory Type: Replacement Battery For Use With/Related Products: Kenwood TK3200 Packaging: Retail Package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK3202 | Interlight | Description: Replacement for Kenwood TK3202 R Packaging: Retail Package For Use With/Related Products: Kenwood TK3202 Accessory Type: Replacement Battery Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK3206 | Interlight | Description: Replacement for Kenwood TK3206 R Part Status: Active Accessory Type: Replacement Battery For Use With/Related Products: Kenwood TK3206 Packaging: Retail Package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK3207 | Interlight | Description: Replacement for Kenwood TK3207 R Part Status: Active Accessory Type: Replacement Battery For Use With/Related Products: Kenwood TK3207 Packaging: Retail Package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32A12N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK32A12N1,S4X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32A12N1,S4X | Toshiba | MOSFETs MOSFET NCh11ohm VGS10V10uAVDS120V | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK32A12N1,S4X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 120V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 83 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32E12N1 | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| TK32E12N1,S1X Produktcode: 190147
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| TK32E12N1,S1X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32E12N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N CH 120V 60A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 98W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 60 V | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK32E12N1,S1X | Toshiba | MOSFETs N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32E12N1,S1X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32E12N1,S1X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK32E12N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 60 A, 0.011 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 98W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK32E12N1,S1X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 120V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32SCR.05.1,30.S.150.A | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: steel Contact plating: gold-plated Tip diameter: 1.3mm Blade tip shape: head 05; round Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32SCR.08.1,30.S.150.A | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: steel Contact plating: gold-plated Tip diameter: 1.3mm Blade tip shape: head 08 Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32SCR.08.2,00.S.150.R | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: steel Contact plating: rhodium plated Tip diameter: 2mm Blade tip shape: head 08 Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK32SCR.09.1,30.C.150.A | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: CuBe Contact plating: gold-plated Tip diameter: 1.3mm Blade tip shape: cone; head 09; inverted Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK32SCR.09.2,00.S.150.A | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: steel Contact plating: gold-plated Tip diameter: 2mm Blade tip shape: cone; head 09; inverted Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK32SCR.10.1,50.C.150.A | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: CuBe Contact plating: gold-plated Tip diameter: 1.5mm Blade tip shape: cylinder; flat; head 10 Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK32SCR.10.2,00.S.150.A | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: steel Contact plating: gold-plated Tip diameter: 2mm Blade tip shape: cylinder; flat; head 10 Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK32SCR.13.1,30.S.150.A | TEKON | Category: Contact Probes Description: Test needle; Spring compression: 4mm; 5.4mm; Min.pitch: 2.54mm; 5A Type of test accessories: test needle Operational spring compression: 4mm Maksimum spring compression: 5.4mm Minimum pitch: 2.54mm Current rating: 5A Contact material: steel Contact plating: gold-plated Tip diameter: 1.3mm Blade tip shape: cone; head 13; sharp Max. contact resistance:: 10mΩ Mounting: screw-in Related items: TK32SCR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK3306 | Interlight | Description: Replacement for Kenwood TK3306 R Part Status: Active Accessory Type: Replacement Battery For Use With/Related Products: Kenwood TK3306 Packaging: Retail Package | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK333PSF-A | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; orange; 0.25mm2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 3m Insulation colour: orange Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK333PSF-B | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; blue; 0.25mm2; Cores: 2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 3m Insulation colour: blue Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK333PSF-G | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; yellow; 0.25mm2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 3m Insulation colour: yellow Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK333PSF-TB | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; brown; 0.25mm2; Cores: 2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 3m Insulation colour: brown Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK333PSF-V | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 3m; green; 0.25mm2; Cores: 2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 3m Insulation colour: green Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK336PSF-A | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; orange; 0.25mm2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 6m Insulation colour: orange Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK336PSF-B | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; blue; 0.25mm2; Cores: 2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 6m Insulation colour: blue Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK336PSF-G | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; yellow; 0.25mm2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 6m Insulation colour: yellow Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK336PSF-TB | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; brown; 0.25mm2; Cores: 2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 6m Insulation colour: brown Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK336PSF-V | TASKER | Category: Audio - Video Cables Description: Cable; XLR male 3pin,XLR female 3pin; 6m; green; 0.25mm2; Cores: 2 Type of connection cable: XLR - XLR Cable/adapter structure: XLR female 3pin; XLR male 3pin Cable length: 6m Insulation colour: green Core section: 0.25mm2 Number of cores: 2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK338M | N/A | 05+ DIP8 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S.9 | Teko | Description: BOX ABS BLACK 188,5L x 133,5W mm Area (L x W): 39.0in² (252cm²) Container Type: Box Design: Cover Included Height: 2.984" (75.79mm) Thickness: 0.055" (1.40mm) Material: Plastic, ABS Size / Dimension: 7.421" L x 5.256" W (188.50mm x 133.50mm) Color: Black Features: PCB Supports Packaging: Bulk | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1L | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1L,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1L,LQ | Toshiba | MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | auf Bestellung 1567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1L,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DPAK+ Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1L,LQ(O | TOSHIBA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 125W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 33nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1L,LQ(O | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1L,LXHQ | Toshiba | MOSFETs PD=40W F=1MHZ AEC-Q101 | auf Bestellung 3239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V | auf Bestellung 3536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1L,LXHQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 10 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1L,LXHQ(O | Toshiba | MOSFETs Silicon N-channel MOS | auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1LLQ(O | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1Z,LQ | Toshiba | MOSFETs UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK | auf Bestellung 3171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | auf Bestellung 4393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V | auf Bestellung 4977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | auf Bestellung 4393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ(O | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | auf Bestellung 2320 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm | auf Bestellung 664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ(O | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | auf Bestellung 3340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LQ(O | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK33S10N1Z,LQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 8200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8200µohm | auf Bestellung 664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LXHQ | Toshiba | MOSFETs 125W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | auf Bestellung 1871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 10 V | auf Bestellung 3964 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK33S10N1Z,LXHQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK33S10N1Z,LXHQ(O | Toshiba | TK33S10N1Z,LXHQ(O | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK33S10N1ZLQ(O | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK3434 | 3M (TC) | Description: HOME TAPE KIT - PREMIUM | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK34A10N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220 | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK34A10N1,S4X | Toshiba | MOSFETs MOSFET NCh 8 mOhms VGS10V10uAVDS100V | auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK34A10N1,S4X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 56 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK34E10N1 | Toshiba | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK34E10N1,S1X | Toshiba | MOSFETs N-Ch PWR FET 75A 103W 100V VDSS | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK34E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK34E10N1,S1X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK34E10N1,S1X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK34E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 7900 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 103W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK34E10N1,S1X(S | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 103W; TO220-3 Case: TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 38nC On-state resistance: 9.5mΩ Power dissipation: 103W Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK34E10N1S1X(S | Toshiba | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK3501B-EQ | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| TK3511-EG | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| TK35A08N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK35A08N1,S4X | Toshiba | MOSFETs MOSFET NCh 10ohm VGS10V10uAVDS80V | auf Bestellung 593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK35A08N1,S4X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK35A65W,S5X | Toshiba | MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK35A65W,S5X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK35A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220 | auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK35A65W,S5X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK35A65W,S5X(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK35A65W,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.068 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK35A65W5,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK35A65W5,S5X | Toshiba | MOSFETs Power MOSFET N-Channel | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK35A65W5,S5X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK35A65W5,S5X(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK35A65W5,S5X(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.08 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK35E08N1,S1X | Toshiba | MOSFET 80V N-Ch PWR FET 55A 72W 25nC | auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK35E08N1,S1X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TK35E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 80V 55A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TK35E08N1,S1X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK35E08N1,S1X(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK35E08N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.01 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 72W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm | auf Bestellung 984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK35E08N1,S1X(S | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine | auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TK35E10K3(S1SS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
