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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN4036LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.14 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2500+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4036LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4036LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 20 V
auf Bestellung 46802 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
26+0.83 EUR
100+0.56 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4036LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4036LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 31V-40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4036LK3Q-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS, 31V to 40V TO252, 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
auf Bestellung 152500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.31 EUR
12500+0.3 EUR
17500+0.29 EUR
25000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3-13Diodesrans MOSFET N-CH 40V 9.3A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 945 pF @ 20 V
auf Bestellung 153674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 9.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Ch Enh Mode 30mOhm 10V 13.8A
auf Bestellung 17864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4040SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
366+0.48 EUR
592+0.3 EUR
598+0.29 EUR
661+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 366 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.2 EUR
18000+0.18 EUR
36000+0.17 EUR
54000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.56 EUR
361+0.48 EUR
366+0.45 EUR
592+0.26 EUR
598+0.25 EUR
661+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
auf Bestellung 4165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
32+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V TSOT26 T&R 3K
auf Bestellung 23361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.63 EUR
100+0.27 EUR
500+0.26 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 45V 4.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V TSOT26 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVTQ-7Diodes ZetexDMN4060SVTQ-7
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4060SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V TSOT26 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4468LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4468LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
auf Bestellung 93306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
28+0.76 EUR
100+0.5 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4468LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.52W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
274+0.84 EUR
414+0.52 EUR
532+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4468LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.37 EUR
10+0.84 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.29 EUR
10000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4468LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 867 pF @ 10 V
auf Bestellung 92500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.3 EUR
5000+0.27 EUR
7500+0.26 EUR
12500+0.25 EUR
17500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4468LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1.52W; SO8
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.52W
Gate charge: 18.85nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4468LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4468LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.95V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.52W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+1.4 EUR
274+0.84 EUR
414+0.52 EUR
532+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
23+0.93 EUR
28+0.77 EUR
50+0.68 EUR
100+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
254+0.92 EUR
443+0.49 EUR
524+0.4 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHAN ENHNCMNT MODE
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.36 EUR
7500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4800LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+1.15 EUR
254+0.92 EUR
443+0.49 EUR
524+0.4 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin SOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSL-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 SO-8,2.5K
auf Bestellung 4157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.06 EUR
10+0.79 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.31 EUR
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
auf Bestellung 5005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.89 EUR
100+0.57 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSL-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
263+0.88 EUR
414+0.52 EUR
527+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSL-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.35 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSL-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4800LSSL-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 4735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
263+0.88 EUR
414+0.52 EUR
527+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.54 EUR
220+1.06 EUR
319+0.68 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.46W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 67014 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
28+0.75 EUR
100+0.51 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh FET 25Vgs 9A 16mOhm 1.6V
auf Bestellung 2704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.15 EUR
10+0.86 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN4800LSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN4800LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.6 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.46W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.54 EUR
220+1.06 EUR
319+0.68 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5010VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5010VAK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.9 EUR
10+0.55 EUR
100+0.36 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5010VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5040LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 5.2A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5040LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 5.2A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5040LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-13Diodes Zetex50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 3844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT523 T&R 3K
auf Bestellung 5740 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.51 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.096 EUR
24000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 159000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.094 EUR
30000+0.093 EUR
75000+0.083 EUR
150000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-7Diodes Zetex50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0LT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
auf Bestellung 161965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
43+0.5 EUR
100+0.24 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0U-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K
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DMN52D0U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
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DMN52D0U-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 3K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
auf Bestellung 171000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.12 EUR
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30000+0.095 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDM-7Diodes ZetexDMN52D0UDM-7
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT26 T&R
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 490mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT26 T&R 3K
auf Bestellung 2722 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.41A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490µW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.4pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT26 T&R 3K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDMQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT26 T&R 3K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.3pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V SOT363 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.3pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 10K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 10K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SOT23 T&R 3K
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
50000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
33+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-13Diodes Zetex50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.17 EUR
6000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-7Diodes Zetex50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 3K
auf Bestellung 272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.5 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 480mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
33+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UVA-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
33+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
5000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UVA-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UVA-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
50000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UVA-13Diodes Zetex50V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN52D0UVA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
33+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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