Produkte > DMP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMP58D1LVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D1LVQ-13 | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP58D1LVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.22A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP58D1LVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K | auf Bestellung 1442 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6018LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V | auf Bestellung 12413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -48A; Idm: -240A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 2.6W Gate charge: 13.7nC Polarisation: unipolar Drain current: -48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6018LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6018LPSQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -48A; Idm: -240A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 2.6W Gate charge: 13.7nC Polarisation: unipolar Drain current: -48A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Application: automotive industry Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6018LPSQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6018LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 A, 0.013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm | auf Bestellung 375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 2973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6018LPSQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3505 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LE | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 17.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | auf Bestellung 2041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 350 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 17.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 17.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm | auf Bestellung 2041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF | auf Bestellung 20703 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LE-13 | Diodes | MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 145W 20Vgs 2569pF Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LEQ | Diodes Incorporated | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LEQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LEQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 4275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LEQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3820 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LEQ-13 Produktcode: 194335
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMP6023LEQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1269 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LEQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFG | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-13 Produktcode: 165151
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMP6023LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF | auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-13 | Diodes | MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.2A Pulsed drain current: -55A Power dissipation: 1W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-7 | Diodes | MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 9104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | auf Bestellung 15154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 9104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF | auf Bestellung 18948 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFG-7 Transistor Produktcode: 214612
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| DMP6023LFGQ | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 5799 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 97900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 97900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 19596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-7 | Diodes | MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LFGQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | auf Bestellung 5845 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF | auf Bestellung 11778 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4025 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 100 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6023LSS-13 | Diodes | MOSFET P-CH 60V 6.6A SO-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6023LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V | auf Bestellung 2146 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W | auf Bestellung 6043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W | auf Bestellung 2371 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V | auf Bestellung 2788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMP6050SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 5208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V | auf Bestellung 725000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMP6050SPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMP6050SPS-13 | Diodes | MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |