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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMP6023LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 17.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 17.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.07 EUR
130+1.8 EUR
197+1.09 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 429 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
123+1.89 EUR
174+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.63 EUR
100+1.08 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LEQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18.2 A, 0.028 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1269 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.05 EUR
123+1.89 EUR
174+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.32 EUR
10+1.55 EUR
100+1.07 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13
Produktcode: 194335
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7A SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 17.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13
Produktcode: 165151
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.2A; Idm: -55A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -55A
Power dissipation: 1W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
auf Bestellung 1797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.83 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
auf Bestellung 363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.95 EUR
10+1.86 EUR
100+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.63 EUR
4000+0.58 EUR
6000+0.56 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2001 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
227+1.11 EUR
228+1.02 EUR
234+0.92 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 227 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
auf Bestellung 15409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.84 EUR
10+1.8 EUR
100+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFG-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 11534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
101+2.31 EUR
129+1.67 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
auf Bestellung 10256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.52 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFG-7 Transistor
Produktcode: 214612
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 97900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 4944 Stücke:
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2+1.75 EUR
10+1.26 EUR
100+0.81 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 97900 Stücke:
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316+0.56 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.33 EUR
6000+0.32 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
6000+0.56 EUR
9000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.73 EUR
25+1.45 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
4000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.75 EUR
13+1.73 EUR
25+1.45 EUR
50+1.29 EUR
100+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 19596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.23 EUR
100+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
135+1.71 EUR
206+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.7A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.7 A, 0.025 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.98 EUR
135+1.71 EUR
206+1.05 EUR
500+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LFGQ-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 6.6A SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
auf Bestellung 5845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 588 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
343+0.51 EUR
500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 343 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
134+1.74 EUR
202+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 6,6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2569 @ 30, Rds = 25 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 4025 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 100 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2569 pF @ 30 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
auf Bestellung 11778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.43 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 6.6A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6023LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6023LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.6 A, 0.025 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
134+1.74 EUR
202+1.06 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.86 EUR
10+1.17 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.49 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
100+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgss 1.8W
auf Bestellung 2371 Stücke:
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2+1.75 EUR
10+1.2 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
172+1.36 EUR
252+0.86 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
auf Bestellung 725000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
12500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 5208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.25 EUR
100+0.86 EUR
250+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6050SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.043 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+2.3 EUR
155+1.5 EUR
260+0.82 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13DiodesMOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 725602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
17+1.24 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SPSW-13Diodes IncorporatedDescription: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2163 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSDDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.54 EUR
7500+0.51 EUR
12500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.13 EUR
177+0.96 EUR
178+0.92 EUR
242+0.65 EUR
250+0.62 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
auf Bestellung 4397 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes INC.2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 4,8 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1293 @ 30, Qg, нКл = 24 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13
Produktcode: 143724
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
178+0.99 EUR
242+0.71 EUR
250+0.69 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 178 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
19+1.14 EUR
100+0.79 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP6050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 4.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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