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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.13 EUR
92+1.82 EUR
121+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-25YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLE118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
auf Bestellung 11376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.67 EUR
10+6.41 EUR
50+5.01 EUR
100+4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.61 EUR
2400+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNexperiaMOSFETs PSMN1R5-30BLE/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 1521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.51 EUR
10+6.31 EUR
100+4.5 EUR
500+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30BLEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1521A; 401W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1521A
Power dissipation: 401W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 228nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R5-30YL/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
1500+1.17 EUR
3000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.72 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.58 EUR
10+2.94 EUR
100+1.99 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 790A; 109W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 109W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 63 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLCNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 65139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.71 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.18 EUR
10000+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
87+1.93 EUR
121+1.32 EUR
500+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN1R5-30YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 342 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.55 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
1500+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.51V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+2.4 EUR
137+1.7 EUR
184+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V
auf Bestellung 1379 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.67 EUR
10+2.33 EUR
50+1.75 EUR
100+1.57 EUR
500+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.64 EUR
75+2.28 EUR
111+1.5 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 15 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-30YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 1016A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Pulsed drain current: 1016A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-40ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+3.5 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40ES,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Tube
auf Bestellung 7345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
86+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 343 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+5.71 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 2751 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+5.71 EUR
500+5.34 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+5.71 EUR
500+5.34 EUR
1000+4.93 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 40V 1.6 mOhms
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 1301A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 1301A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40PS,127NexperiaMOSFET PSMN1R5-40PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8 EUR
10+6.72 EUR
50+6.56 EUR
100+5.4 EUR
250+5.3 EUR
500+4.8 EUR
1000+3.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.78 EUR
10+7.16 EUR
50+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 202A; Idm: 1145A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 202A
Pulsed drain current: 1145A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDXNexperiaMOSFETs PSMN1R5-40YSD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.23 EUR
1500+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7752 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 240A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-40YSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7752 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 2084 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+3.32 EUR
50+2.52 EUR
100+2.27 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
auf Bestellung 2595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.43 EUR
10+5.56 EUR
50+4.32 EUR
100+3.93 EUR
500+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-50YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.61V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 7109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.7 EUR
23+10.28 EUR
100+7.58 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R5-50YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.61V
Verlustleistung: 333W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 7109 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+15.7 EUR
23+10.28 EUR
100+7.58 EUR
500+6.05 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHXNexperiaMOSFETs PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.19 EUR
10+4.69 EUR
100+3.31 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R5-50YLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 50V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-25YLEXNexperiaMOSFETs PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.56 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.37 EUR
1500+1.2 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.38 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-25YLEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 185A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
auf Bestellung 1490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
212+3.05 EUR
500+2.71 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-25YLEXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R6-25YLE/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3698 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-25YLEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R6-25YLEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 185 A, 1680 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 124W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1680µohm
auf Bestellung 670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.88 EUR
57+4.13 EUR
100+2.38 EUR
500+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30BL,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+6.83 EUR
100+6.4 EUR
500+5.93 EUR
1000+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+6.24 EUR
100+5.11 EUR
500+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.98 EUR
4500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30MLHXNexperiaMOSFET PSMN1R6-30MLH/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.36 EUR
3000+1.31 EUR
9000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 160A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2369 pF @ 15 V
auf Bestellung 5007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.76 EUR
50+2.09 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 160A 8-Pin LFPAK EP T/R
auf Bestellung 64155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
289+2.24 EUR
500+1.99 EUR
1000+1.78 EUR
10000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 289 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 116A; Idm: 656A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Pulsed drain current: 656A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PLNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 8735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.93 EUR
500+4.59 EUR
1000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 12 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
auf Bestellung 12621 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.93 EUR
500+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.93 EUR
500+4.59 EUR
1000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127NexperiaMOSFET N-CH 30V 1.7 mOhm Logic Level MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12493 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-30PL,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
132+4.93 EUR
500+4.59 EUR
1000+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-40YLC,115Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
auf Bestellung 25209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 401 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-40YLC:115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-40YLC:115NexperiaMOSFET N-channel 40 V 1.55 mo FET
auf Bestellung 2725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-40YLC:115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7790 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-60CLJNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 60V D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R6-60CLJNexperiaMOSFET PSMN1R6-60CL/D2PAK/
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3735 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN1R7-25YLD - N-CHANNEL 25V, 1
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLD115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN1R7-25YLD - POW
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 152A; Idm: 860A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 152A
Pulsed drain current: 860A
Power dissipation: 135W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLDXNexperiaMOSFETs PSMN1R7-25YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+2.37 EUR
100+1.55 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.05 EUR
1500+0.94 EUR
3000+0.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.59 EUR
50+1.95 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+2.11 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
54+4.32 EUR
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 15120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.2 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.57 EUR
10000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.37 EUR
1500+1.21 EUR
3000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 109W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+3.2 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5057 pF @ 12 V
auf Bestellung 1606 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.76 EUR
10+3.06 EUR
50+2.32 EUR
100+2.08 EUR
500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
50+1.92 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLBXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 200A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLBXNexperiaMOSFETs PSMN1R7-40YLB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.18 EUR
1500+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R7-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1500 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 194W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.12 EUR
40+5.81 EUR
100+4.05 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R7-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7966 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 8240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.55 EUR
10+3.58 EUR
50+2.74 EUR
100+2.46 EUR
500+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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