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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
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SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4484EY-T1-E3Vishay Siliconix(100% замена SI4482DY), PBF Транзистори
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SI4484EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
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SI4484EY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4484EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4484EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
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SI4484EYT1E3VISHAY
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4485DY
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4485DY-T1-E3
auf Bestellung 87520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SI4485DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6A; Idm: -25A; 5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4485DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4485DY-T1-GE3Vishay Siliconix30V 6.0A 5.0W 42mohm Транзистори
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SI4485DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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SI4485DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 6.0A 5.0W 42mohm @ 10V
auf Bestellung 4957 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI4485DY-T1-GE3
auf Bestellung 58588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4485DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.21 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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SI4486SISOP-8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4486DYVISHAY09+
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4486DY-T1-E3
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4486EYVISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4486EY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4486EY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4486EY-TE2
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4486EYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
auf Bestellung 9523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI4487DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V -11.6A 5W
auf Bestellung 3950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
auf Bestellung 9523 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4487DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4488SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI44880DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4488DYVishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4488DYVISHAY09+
auf Bestellung 1768 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4488DYVishay / SiliconixMOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4488DY-T1-E3VISHAYMOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+16.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
auf Bestellung 5795 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 7196 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.56 EUR
100+2.26 EUR
500+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 2.8A; Idm: 50A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 1572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.45 EUR
10+3.25 EUR
100+2.93 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.37 EUR
2500+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
auf Bestellung 5478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
10+3.89 EUR
100+2.7 EUR
500+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4488DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5 A, 0.05 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.7 EUR
50+4.66 EUR
100+3 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4488DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490SISOP-8
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DYVISHAY09+
auf Bestellung 593 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DYVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 3.2A; 3.1W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 90mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4490DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI44
auf Bestellung 11808 Stücke:
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1+5.97 EUR
10+3.62 EUR
100+2.64 EUR
500+2.2 EUR
1000+2.14 EUR
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SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2500+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 587 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.09 EUR
100+2.86 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+2.07 EUR
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SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.85A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 80mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
auf Bestellung 2415 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
10+3.57 EUR
100+2.69 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.08 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 867 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4490DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.85A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.85A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 80mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.58 EUR
100+2.7 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.78 EUR
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SI4490DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4490DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.85 A, 0.08 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+8.97 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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SI4490DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DY-TI-E3VISHAY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4490DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 6.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
111+2.09 EUR
157+1.37 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.37 EUR
14+1.59 EUR
100+1.12 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
166+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 166 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 17,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 4620 @ 15, Qg, нКл = 153, Rds = 6,5 мОм, Ugs(th) = 2,8, Р, Вт = 6,9, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOIC-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 80 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 25V Vgs SO-8
auf Bestellung 3149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.89 EUR
10+1.36 EUR
100+1.21 EUR
500+0.95 EUR
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 6.9W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.71 EUR
5000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4491EDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.8 A, 5400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 6.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
auf Bestellung 1930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
111+2.09 EUR
157+1.37 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4491EDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.7 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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