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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 140 Stücke:
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1+7.35 EUR
10+6.66 EUR
100+5.81 EUR
270+5.78 EUR
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1080+5.32 EUR
2565+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+6.87 EUR
25+6.66 EUR
50+6.51 EUR
100+6.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 51 Stücke:
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1+7.88 EUR
10+7.14 EUR
100+5.43 EUR
270+5.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLIISSISRAM 4Mb 256Kx16 10ns 2.4-3.6V Async SRAM
auf Bestellung 2027 Stücke:
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1+7.31 EUR
10+6.64 EUR
25+6.5 EUR
50+6.12 EUR
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250+5.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.02 EUR
10+6.37 EUR
25+6.22 EUR
50+5.87 EUR
100+5.65 EUR
270+5.11 EUR
2565+5.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLIISSISRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.85 EUR
10+49.85 EUR
25+48.28 EUR
50+47.1 EUR
100+45.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MB 8NS 90FBGA
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 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT 10NS 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLI-TRISSISRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLIISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,24V-36V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: SOJ36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
Memory Organization: 256K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 36 SOJ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSISRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,24V-36V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLIISSISRAM 512K 32Kx16 12ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.46 EUR
10+4.02 EUR
100+3.52 EUR
270+3.39 EUR
2565+3.36 EUR
5130+3.28 EUR
10125+3.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLI-TRISSISRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Memory Organization: 32K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLIISSISRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+8.69 EUR
100+8.21 EUR
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IS61WV3216DBLL-10TLI-TRISSISRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IS61WV3216DBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Kbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IS61WV51216BLL-10MI
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IS61WV51216BLL-10MLIISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.56 EUR
10+46.81 EUR
25+45.34 EUR
50+44.23 EUR
100+42.64 EUR
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IS61WV51216BLL-10MLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.31 EUR
10+31.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.63 EUR
10+39.5 EUR
25+38.25 EUR
50+37.32 EUR
210+35.41 EUR
420+34.51 EUR
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IS61WV51216BLL-10MLI
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TIISSI09+ TO-247
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.98 EUR
10+24.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IS61WV51216BLL-10TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 2.4...3.6V
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 55 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+29 EUR
4+27.5 EUR
10+25.45 EUR
25+22.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.85 EUR
10+23.57 EUR
25+22.75 EUR
40+21.97 EUR
135+18.96 EUR
270+17.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.56 EUR
10+45.03 EUR
25+43.6 EUR
50+42.54 EUR
100+40.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSIСтатична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 16, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.98 EUR
10+24.72 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.79 EUR
10+26.29 EUR
25+25.22 EUR
40+23.79 EUR
135+21.19 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.05 EUR
10+26.93 EUR
25+26.1 EUR
50+25.45 EUR
135+24.56 EUR
270+23.94 EUR
540+23.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIIntegrated Silicon Solution Inc.Fast Asynchronous SRAM, 8Mbit (512k x 16bit), 10ns, 2.5V, -40?85°C IS61WV51216BLL-10TLI 6216512/10-2.5V TSOP2-44 PS8192/16/10 tso2
Anzahl je Verpackung: 2 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+51.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.73 EUR
10+26.24 EUR
25+25.17 EUR
40+23.74 EUR
135+21.16 EUR
270+19.96 EUR
540+18.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+78.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSIIC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI (new die)ISSISRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.79 EUR
10+27.06 EUR
25+25.22 EUR
100+23.79 EUR
250+23.19 EUR
500+22.6 EUR
1000+21.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.65 EUR
10+45.09 EUR
25+43.68 EUR
50+42.64 EUR
100+41.2 EUR
500+41.17 EUR
1000+41.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+28.79 EUR
10+26.47 EUR
25+24.28 EUR
100+22.53 EUR
250+21.41 EUR
500+20.31 EUR
1000+19.22 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLIISSISRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 20ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+21.71 EUR
10+19.71 EUR
25+18.47 EUR
50+17.49 EUR
100+16.16 EUR
480+15.32 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.79 EUR
10+21.16 EUR
25+20.5 EUR
50+20.02 EUR
100+19.52 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+21.87 EUR
10+19.59 EUR
25+18.27 EUR
50+17.15 EUR
100+16.05 EUR
480+14.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.37 EUR
10+29.13 EUR
25+28.21 EUR
50+27.52 EUR
100+26.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSIСтатична пам'ять SRAM, Об'єм RAM = 8 Мбіт, Опис Статична пам'ять SRAM, Орг. пам. = 512 k x 16 ,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSIМікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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