Produkte > IS6

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS61WV25616EDALL-20BLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDALL-20BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDALL-20BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLLISSISRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLIISSISRAM 4Mb 2.4-3.6v 10ns 256K x 16 Async SRAM
auf Bestellung 1150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+14.89 EUR
25+14.6 EUR
50+14.39 EUR
100+14.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10BLI - SRAM, Asynchron, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, miniBGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: miniBGA
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchron
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.56 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 2.4...3.6V
Kind of memory: SRAM
Access time: 10ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.65 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV25616EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+23.4 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.32 EUR
10+14.24 EUR
25+13.82 EUR
50+13.48 EUR
135+13.02 EUR
270+12.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.65 EUR
50+5.28 EUR
100+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 1675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.52 EUR
10+13.51 EUR
25+13.09 EUR
50+12.79 EUR
100+12.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+5.24 EUR
270+4.99 EUR
540+4.7 EUR
1080+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb 512K x 8 10ns Async SRAM
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.11 EUR
10+16.84 EUR
25+16.34 EUR
50+15.93 EUR
100+15.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 8ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLIISSISRAM 4Mb, 8ns,3.3V 256K x 16 Asyn SRAM
auf Bestellung 269 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.55 EUR
10+13.55 EUR
25+13.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLIISSISRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.49 EUR
10+13.47 EUR
25+13.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TFBGA48
Operating temperature: -40...85°C
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 8ns
Memory: 4Mb SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TRISSISRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 3.3V; 8ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 4Mb SRAM
Access time: 8ns
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLIISSISRAM 4Mb (256K x 16) 8ns Async SRAM
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.42 EUR
10+18.05 EUR
25+17.49 EUR
50+17.06 EUR
100+10.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLIISSIМікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLIISSISRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EDBLL-8TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10BLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.39 EUR
10+10.61 EUR
25+10.31 EUR
50+9.84 EUR
100+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10BLIISSIHigh Speed Asynchronous CMOS Static RAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10BLI-TRISSIHigh Speed Asynchronous CMOS Static RAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.35 EUR
10+6.66 EUR
100+5.81 EUR
270+5.78 EUR
540+5.59 EUR
1080+5.32 EUR
2565+5.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616EFBLL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.86 EUR
10+10.12 EUR
25+9.82 EUR
50+9.38 EUR
100+9.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 325 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.19 EUR
10+10.42 EUR
25+10.09 EUR
50+9.65 EUR
100+9.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FALL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLIISSISRAM 4Mb 256Kx16 10ns 2.4-3.6V Async SRAM
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.39 EUR
10+10.61 EUR
25+10.31 EUR
50+9.84 EUR
100+9.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLIISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
auf Bestellung 2128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.36 EUR
10+9.65 EUR
25+9.37 EUR
50+9.17 EUR
100+8.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25616FBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLIISSISRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM
auf Bestellung 929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.85 EUR
10+52.09 EUR
100+45.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MB 8NS 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 256kx32bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT 10NS 90FBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 256kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 256kx32bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV25632BLL-10BLI-TRISSISRAM 8Mb 256Kx32 10ns Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLIISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Case: TFBGA36
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Access time: 10ns
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,24V-36V, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: SOJ36
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
Packaging: Tube
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 36-SOJ
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 256K x 8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400 mil), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10KLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 36 SOJ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSISRAM 2Mb (256K x 8) 10ns Async SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSISRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,24V-36V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 2MB 10NS 44TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 2MbSRAM; 256kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 2Mb SRAM
Memory organisation: 256kx8bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 3.3V; 12ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 12ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLIISSISRAM 512K 32Kx16 12ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.58 EUR
10+10.78 EUR
25+10.47 EUR
50+10.22 EUR
100+9.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.52 EUR
10+10.72 EUR
25+10.41 EUR
50+10.16 EUR
135+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLI-TRISSISRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216BLL-12TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 3.3V; 12ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 12ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 810 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLIISSISRAM 512K, 2.4-3.6V, 10ns 32Kx16 Asynch SRAM
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.29 EUR
10+8.69 EUR
100+8.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH