Produkte > APT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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| APT47GA60JD40 | Microchip Technology | Description: IGBT MODULE 600V 87A 283W ISOTOP Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.32 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 275 µA Power - Max: 283 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 87 A Part Status: Active IGBT Type: PT Supplier Device Package: ISOTOP® NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47GA60JD40 | Microchip Technology | IGBT Modules IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 47 A ISOTOP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47M60J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT47M60J | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 8 600 V 47 A SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47N60BC3 (TO-247) Produktcode: 95890
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| APT47N60BC3G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT47N60BC3G | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-247 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47N60BC3G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47N60BC3G | MICROSEMI | TO 247/MOSFET N-CH 47A 600V APT47N Anzahl je Verpackung: 30 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47N60BCFG | MICROSEMI | TO 247/FREDFET N-CH 46A 600V APT47N Anzahl je Verpackung: 30 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47N60SC3 | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT47N60SC3G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT47N60SC3G | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-268 | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT47N65BC3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: TO-247 [B] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT47N65SCS3G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT48M80B2 | Microsemi | MOSFET Power MOSFET - MOS8 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT48M80B2 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-247 MAX | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT48M80B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT48M80L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 49A TO264 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT48M80L | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-264 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT48MMCLR | PRO POWER | Description: PRO POWER - APT48MMCLR - PACKAGING TAPE PP 48MM X 66M tariffCode: 39191080 productTraceability: No rohsCompliant: NA euEccn: NLR Rollenlänge - imperial: 216ft hazardous: false Bandbreite - Imperial: 1.88" rohsPhthalatesCompliant: NA Rollenlänge - metrisch: 66m Bandbreite - Metrisch: 48mm usEccn: EAR99 Klebebandfarbe: Transparent Produktpalette: Pro Power - Clear Packaging Tapes SVHC: To Be Advised | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT4F120K | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 1200 V 4 A TO-220 | auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT4F120K | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 4A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT4F120S | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 150 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT4M120K | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| APT4M120K | auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT4M120K | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 170 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT4M120K | MICROSEMI | TO220/N-CHANNEL POWER MOSFET - MOS8 APT4M120 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT4M120K | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1.2KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 170 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT4M120K | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 4 A TO-220 | auf Bestellung 1162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT4M120K | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 [K] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010B2FLL | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010B2FLLG | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS7 500 V 10 Ohm TO-247 MAX | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010B2FLLG | MICROSEMI | T-MAX/POWER FREDFET - MOS7 APT5010 Anzahl je Verpackung: 30 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010B2FLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010B2LC | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010B2LL | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010B2LLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010B2LLG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 40 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010B2LLG | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS7 500 V 10 Ohm TO-247 MAX | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010B2VFR | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010B2VR | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010B2VRG | MICROSEMI | TMAX/POWER MOSFET - MOS5 APT5010 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010B2VRG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS 5 500 V 100 mOhm TO-247 MAX | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010B2VRG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 47A T-MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JFLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 41A 4-Pin SOT-227 Tube | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| APT5010JFLL | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS7 500 V 10 Ohm SOT-227 | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JFLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JFLL | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 41A 4-Pin SOT-227 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JFLL | MICROSEMI | ISOTOP/POWER FREDFET - MOS7 APT5010 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JLC | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010JLL | auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010JLL Produktcode: 22055
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| APT5010JLL | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 7 500 V 100 mOhm SOT-227 | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JLL | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 41A ISOTOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Supplier Device Package: ISOTOP® Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JLLU2 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SOT227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JLLU2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 378W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JLLU3 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 378W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JLLU3 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 41A 4-Pin SOT-227 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JLLU3 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-7-SOT227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 34 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JN Produktcode: 52231
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| APT5010JN | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JN | Microchip Technology | MOSFET Modules FG, MOSFET, 500V, 0.10_OHM, SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JN | APT | auf Bestellung 394 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| APT5010JN | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 48A 4-Pin SOT-227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JVFR | Microsemi | Trans MOSFET N-CH 500V 44A 4-Pin SOT-227 Tube | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| APT5010JVFR | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS 5 500 V 100 mOhm SOT-227 | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JVFR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 44A 4-Pin SOT-227 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JVFR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 44A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JVR | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 44A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JVR | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 44A 4-Pin SOT-227 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JVR | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS 5 500 V 100 mOhm SOT-227 | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JVRU2 | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 44A 4-Pin SOT-227 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JVRU2 | Microchip Technology | MOSFET Modules PM-MOSFET-5-SOT227 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JVRU2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 312 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7410 pF @ 25 V | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010JVRU3 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 312 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7410 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010JVRU3 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules PM-MOSFET-5-SOT227 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LFLL | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010LFLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 46A TO264 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-264 [L] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010LFLLG | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FREDFET MOS7 500 V 10 Ohm TO-264 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LFLLG | MICROSEMI | TO-264/POWER MOS 7 FREDFET APT5010 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LLC | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010LLL | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010LLLG | Microchip Technology | MOSFET Modules MOSFET MOS7 500 V 10 Ohm TO-264 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LLLG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 46A TO264 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-264 [L] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010LLLG | Microchip | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LVFR | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| APT5010LVFRG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 47A TO264 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Supplier Device Package: TO-264 [L] Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LVFRG | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-264 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LVFRG | MICROSEMI | TO264/POWER FREDFET - MOS5 500V 47A 0.100W APT5010 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LVR | APT | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| APT5010LVR TO-264 Produktcode: 46835
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| 8542 39 90 00 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| APT5010LVRG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| APT5010LVRG | Microchip | MOSFET N-CH 500V 47A TO264 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LVRG | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS5 500 V 10 Ohm TO-264 | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5010LVRG Produktcode: 174057
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||
| APT5010LVRG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LVRG | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 21 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| APT5010LVRG | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 500V 47A TO264 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 470 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-264 [L] Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| APT5012JN Produktcode: 63273
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| Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar
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