Produkte > PBS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PBSS5160PAPSX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160PAPSX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 68750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160PAPSX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160PAPSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 60V 1A DFN2020D-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160PAPSX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160PAPSX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT1118 60V | auf Bestellung 2902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5160PAPSX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160PAPSX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 2000mW 6-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 60V 1A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 60V 1A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 60V 1A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QA-QZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5160QA-Q/SOT1215/DFN1010D- | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | auf Bestellung 310000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5293 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5160QA/SOT1215/DFN1010D-3 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5160QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160QAZ | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4075 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PBSS5160T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T T/R | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 9275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 1056000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 11009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 14710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 11009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 Produktcode: 144133
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB Power - Max: 400 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 270 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 6275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 14710 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 220MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 400 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 17910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 270mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...350 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 220MHz Power dissipation: 0.27W Pulsed collector current: 2A | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5160T-Q/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 5951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5160T-QR | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1.25W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 1.25W Polarisation: bipolar Application: automotive industry Type of transistor: PNP Current gain: 100...400 Collector current: 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 16938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.9A TO-236AB Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5160T-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160T-QVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 60V 1A PNP TRANS | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T-QVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW Automotive 3-Pin SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160T-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5160T-Q/SOT23/TO-236AB Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 270 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160TVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 270mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 900mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 9825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160TVL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP SOT23 60V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160TVL | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 1250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160TVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160TVL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 270 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 270mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-236AB Dauerkollektorstrom: 900mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 9825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160TVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160U | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160U,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...350 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 185MHz | auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160U,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160U,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 185MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160U,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.7A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 185MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 415 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160U,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5160U/SOT323/SC-70 | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5160U,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160U,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 250 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 350hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 185MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5160U,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.7A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 185MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 415 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160U-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.7A SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160U-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT323 60V 1A PNP BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160U-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.7A SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160V,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5160V,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 900 mA, 300 mW, SOT-666, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 900mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 220MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160V,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; SOT666 Case: SOT666 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 60V Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 100...350 Frequency: 220MHz Collector current: 1A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 60V 0.9A SOT-666 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 900 mA Supplier Device Package: SOT-666 Frequency - Transition: 220MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5160V,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NRND for Automotive Applications PBSS5160V/SOT666/SOT6 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5220PAPS | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220PAPS - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach pnp, -20 V, -2 A, 370 mW, 100 hFE, SOT-1118 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 370 Bauform - Transistor: SOT-1118 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: Zweifach pnp DC-Kollektorstrom: -2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPS | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPS | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220PAPS - Bipolares Transistor-Array, AEC-Q101, Zweifach pnp, -20 V, -2 A, 370 mW, 100 hFE, SOT-1118 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPS-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5220PAPS-Q/SOT1118/HUSON6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 95MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPS-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPS115 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PBSS5220PAPS SMALL Part Status: Active Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN2020D-6 Frequency - Transition: 95MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 2A Power - Max: 370mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad | auf Bestellung 7440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5220PAPSX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 20V 2A DFN2020D-6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 2A 960mW 6-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5220PAPSX | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 2A; DFN2020D-6,SOT1118D Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 2A Case: DFN2020D-6; SOT1118D Current gain: 100...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 95MHz | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220PAPSX | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 20V 2A 960mW Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 7440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5220PAPSX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5220PAPS/SOT1118/HUSON6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220T | PHI | SOT23 | auf Bestellung 5930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220T T/R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 480 mW | auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5220T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5220T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5220T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5220T/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5220T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 2A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 480 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 2A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5220T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 2A; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 2A Case: SOT23; TO236AB Current gain: 150...225 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz | auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5220T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 225hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5220T-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5220T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 480 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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